इलेक्ट्रॉनिकी 1: क्रैम पैक

सूत्र-पत्रक, हर विषय के मुख्य विधि-चरण और 14 अभ्यास प्रश्न, पूरे हल पीछे दिए गए हैं।

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1सूत्र और विधियाँ

डायोड और ट्रांज़िस्टर

डायोड (नियत वोल्टता पात)
VD = 0.7 V when conducting
सक्रिय क्षेत्र
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
स्थिर बायस
IB = (VCC − 0.7)/RB
विभाजक बायस
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
विभाजक का थेवेनिन तुल्य
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
संग्राहक लूप
VCE = VCC − ICRC − IERE
संतृप्ति
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

ऑप-एम्प परिपथ

इनवर्टिंग प्रवर्धक
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
नॉन-इनवर्टिंग प्रवर्धक
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
योगकारी प्रवर्धक
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
आदर्श ऑप-एम्प
V+ = V−, Iin = 0

RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

समय स्थिरांक
τ = RC | τ = L/R
अनुक्रिया
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
DC पर संधारित्र
खुला परिपथ; vC अचानक नहीं बदल सकता
DC पर प्रेरक
शॉर्ट सर्किट; iL अचानक नहीं बदल सकता
स्थिर अवस्था
t ≈ 5τ

विधि

  1. स्विचिंग के ठीक बाद प्रारंभिक मान ज्ञात करें: संधारित्र की वोल्टता और प्रेरक की धारा अचानक नहीं बदल सकती।
  2. स्विचिंग के बहुत बाद अंतिम मान ज्ञात करें: संधारित्र खुले परिपथ जैसा, प्रेरक लघु परिपथ जैसा व्यवहार करता है।
  3. समय स्थिरांक ज्ञात करें: τ = RC या τ = L/R, संधारित्र या प्रेरक द्वारा देखे गए प्रतिरोध का उपयोग करके।
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ का उपयोग करें।

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

श्रेणी में प्रतिरोध
Req = R1 + R2 + …
समांतर में प्रतिरोध
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
दो समांतर में
Req = R1R2 / (R1 + R2)
ओम का नियम
V = I·R
शक्ति
P = V·I = I²R = V²/R

विधि

  1. नेटवर्क के उस सिरे से शुरू करें जो टर्मिनलों से सबसे दूर है।
  2. श्रेणी में प्रतिरोधकों को जोड़कर मिलाएँ, और समांतर में प्रतिरोधकों को 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … से।
  3. हर चरण के बाद परिपथ दोबारा बनाएँ।
  4. तब तक दोहराएँ जब तक टर्मिनलों के बीच एक ही प्रतिरोधक न बचे।

DC-DC कन्वर्टर

बक
Vo = D·Vin
बूस्ट
Vo = Vin/(1 − D)
प्रतिलोमी बक-बूस्ट
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
आदर्श शक्ति संतुलन
VinIin = VoIo
प्रेरक रिपल
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
औसत प्रेरक धारा
बक Io; बूस्ट और बक-बूस्ट Io/(1 − D)
निर्गत रिपल
बक ΔIL/(8fC); बूस्ट और बक-बूस्ट Io·D/(fC)
CCM सीमा
बक (1 − D)R/(2f); बूस्ट D(1 − D)²R/(2f); बक-बूस्ट (1 − D)²R/(2f)

विधि

  1. कन्वर्टर (बक, बूस्ट या बक-बूस्ट) पहचानिए और वोल्टता अनुपात से कर्तव्य चक्र D निकालिए।
  2. प्रेरक पर वोल्ट-सेकंड संतुलन का उपयोग कीजिए: एक आवर्तकाल में औसत प्रेरक वोल्टता शून्य होती है।
  3. स्विच चालू रहने पर प्रेरक वोल्टता ज्ञात कीजिए, फिर ΔIL = VL·D/(L·f)।
  4. निर्गत रिपल के लिए संधारित्र में आने-जाने वाला आवेश ज्ञात कीजिए; CCM सीमा के लिए औसत प्रेरक धारा को ΔIL/2 के बराबर रखिए।

व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

विभाजक वोल्टताएँ
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
निर्गम
Vab = Va − Vb
संतुलन
R1/R2 = R3/R4
स्लाइड-तार सेतु
R/Rx = l/(100 − l)
थेवेनिन प्रतिरोध
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
गेज गुणांक
ΔR/R = GF·ε
सेतु निर्गत
चतुर्थांश Vs·GF·ε/4, अर्ध Vs·GF·ε/2, पूर्ण Vs·GF·ε
छोटा परिवर्तन, एक भुजा
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
प्रतिबल
σ = E·ε

विधि

  1. सेतु को एक ही आपूर्ति के पार दो वोल्टता विभाजक मानिए।
  2. संतुलन के लिए R₁/R₂ = R₃/R₄ रखिए और अज्ञात प्रतिरोधक के लिए हल कीजिए।
  3. असंतुलित सेतु के लिए विभाजकों से Va और Vb निकालकर घटाइए; जब कोई मापी निर्गत पर भार डाले तब थेवेनिन तुल्य का उपयोग कीजिए।
  4. स्ट्रेन गेज के लिए विकृति को ΔR/R = GF·ε में बदलिए और चतुर्थांश, अर्ध या पूर्ण सेतु के लिए क्रमशः Vs·GF·ε/4, /2 या ×1 का उपयोग कीजिए।

डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

मूल गेट
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
बूलीय नियम
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
डी मॉर्गन
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
कार्नो मानचित्र का क्रम
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ खानों का समूह
k चर खो देता है
4-से-1 मल्टीप्लेक्सर
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
फ़्लिप-फ़्लॉप
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
काउंटर
n-बिट: 2ⁿ अवस्थाएँ; mod-N: सबसे छोटा n जिसमें 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
रिपल काउंटर
fmax = 1/(n·tpd)
रिंग और जॉनसन काउंटर
n और 2n अवस्थाएँ

विधि

  1. परिपथ के लिए निवेशों से निर्गत तक एक-एक गेट करके काम करें और हर तार पर मान लिखें, या उसका व्यंजक लिखें और सत्यमान सारणी भरें।
  2. सरलीकरण के लिए 1 (और डोंट-केयर को X के रूप में) को ग्रे-कोड पंक्तियों और स्तंभों वाले कार्नो मानचित्र में रखें: 00, 01, 11, 10।
  3. 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के जितने कम और जितने बड़े संभव हों उतने समूहों से ढकें, किनारों से लिपटते हुए; हर समूह एक गुणन पद है जो उन चरों से बना है जो स्थिर रहते हैं। POS रूप के लिए 0 को समूहित करें।
  4. फ़्लिप-फ़्लॉप और काउंटरों के लिए हर सक्रिय क्लॉक कोर पर निवेश पढ़ें, हर कोर के बाद अवस्था लिखें, और याद रखें कि n-बिट काउंटर 2ⁿ अवस्थाओं के बाद लौट जाता है।

2अभ्यास प्रश्न

1.डायोड और ट्रांज़िस्टरमध्यम
RC​ = 2.2 kΩβ = 120IC​ = ?RE​ = 1 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 68 kΩR2​ = 15 kΩ

β = 120 वाले एक NPN ट्रांज़िस्टर को VCC = 18 V से वोल्टता-विभाजक बायस दिया गया है: VCC से आधार तक R₁ = 68 kΩ और आधार से भू तक R₂ = 15 kΩ। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 2.2 kΩ और उत्सर्जक प्रतिरोधक RE = 1 kΩ है। VBE = 0.7 V लें और विभाजक के थेवेनिन तुल्य का उपयोग करें (आधार धारा की उपेक्षा न करें)। संग्राहक धारा IC mA में ज्ञात कीजिए।

VCC = 18 VR1 = 68 kΩR2 = 15 kΩRC = 2.2 kΩRE = 1 kΩβ = 120
IC = mA
2.डायोड और ट्रांज़िस्टरकठिन
+−≤ 21 V470 Ω3.3 V

3.3 V के ज़ेनर नियामक में 470 Ω का श्रेणी प्रतिरोधक है। निवेश 21 V तक बढ़ सकता है, और भार हट सकता है। वह सबसे बड़ी शक्ति PZ,max ज्ञात कीजिए जो ज़ेनर को क्षयित करनी पड़ेगी।

Vin,max = 21 VVZ = 3.3 VR = 470 Ω
PZ,max = mW
3.ऑप-एम्प परिपथमध्यम
−+Vout​Rf​ = ?R1​ = 100 kΩVin​

पुनर्निवेश प्रतिरोधक Rf चुनें जो इस नॉन-इनवर्टिंग एम्पलीफ़ायर को 6 की वोल्टता लब्धि दे।

R1 = 100 kΩAv = 6
Rf = kΩ
4.ऑप-एम्प परिपथकठिन
Vin​V1​Vout​चरण 1: इनवर्टिंगR1​ = 1 kΩRf1​ = 22 kΩचरण 2: नॉन-इनवर्टिंगR2​ = 100 kΩRf2​ = 1 kΩ

दो आदर्श ऑप-एम्प चरण सोपानी (कैस्केड) क्रम में जुड़े हैं: एक इनवर्टिंग एम्पलीफ़ायर (R1, Rf1) और उसके बाद एक नॉन-इनवर्टिंग एम्पलीफ़ायर (ग्राउंड तक R2, पुनर्निवेश में Rf2)। दोनों ±15 V आपूर्ति से चलते हैं। इनपुट Vin = −0.45 V है। आउटपुट वोल्टता Vout ज्ञात कीजिए।

R1 = 1 kΩRf1 = 22 kΩR2 = 100 kΩRf2 = 1 kΩVin = −0.45 V
Vout = V
5.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँमध्यम
+−Vs​12 Vt = 0R1​ = 2.2 kΩR2​ = 2.2 kΩC68 µF+−vC​

स्रोत Vₛ, R₁ के माध्यम से संधारित्र को आवेशित करता है, और R₂, C के समांतर जुड़ा है। t = 0 पर स्विच बंद होते समय संधारित्र अनावेशित है। t = 40 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।

Vs = 12 VR1 = 2.2 kΩR2 = 2.2 kΩC = 68 µFt = 40 ms
vC = V
6.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँकठिन
+−Vs​5 Vt = 0R = ?C1 µF+−vC​

एक टाइमर t = 0 पर 5 V आपूर्ति से एक प्रतिरोधक के माध्यम से एक अनावेशित संधारित्र को आवेशित करना शुरू करता है। इसे तब ट्रिगर होना है जब संधारित्र वोल्टता 2.5 V तक पहुँचे, शुरुआत के ठीक 10 ms बाद। C = 1 µF के साथ आवश्यक प्रतिरोध R ज्ञात कीजिए।

Vs = 5 VVth = 2.5 VT = 10 msC = 1 µF
R = kΩ
7.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधकमध्यम
R1​ = 4 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​10 VR2​3 ΩIR2​AR4​12 ΩB

R2 से होकर धारा IR2 ज्ञात कीजिए।

V1 = 10 VR1 = 4 ΩR2 = 3 ΩR3 = 5 ΩR4 = 12 Ω
IR2 = A
8.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधककठिन
R1​ = 5 ΩIR1​R3​ = 12 ΩR5​ = 10 Ω+−V1​18 VR2​8 ΩAR4​12 ΩBR6​25 Ω

स्रोत द्वारा दी गई धारा IR1 ज्ञात कीजिए, जो R1 से होकर बहती है।

V1 = 18 VR1 = 5 ΩR2 = 8 ΩR3 = 12 ΩR4 = 12 ΩR5 = 10 ΩR6 = 25 Ω
IR1 = A
9.DC-DC कन्वर्टरमध्यम
tiL​Imax​ = ?Imin​Io​DTT2T

एक बक कन्वर्टर 12 Ω भार के लिए 36 V को 14.4 V में बदलता है। यह 500 kHz पर स्विच करता है और L = 47 µH है। शिखर प्रेरक धारा Imax ज्ञात कीजिए।

Vin​ = 36 VVo​ = 14.4 Vf = 500 kHzL = 47 µHR = 12 Ω
Imax = A
10.DC-DC कन्वर्टरकठिन
+−9 VSLC = 47 µFR = 25 Ω−+−21 V

एक आदर्श बक-बूस्ट कन्वर्टर 200 kHz पर 25 Ω भार के लिए 9 V को −21 V में बदलता है। निर्गत संधारित्र 47 µF है। mV में शिखर-से-शिखर निर्गत वोल्टता रिपल ΔVo ज्ञात कीजिए।

Vin​ = 9 VVo​ = −21 Vf = 200 kHzC = 47 µFR = 25 Ω
ΔVo = mV
11.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेजमध्यम
+−3 VR1​ = 80 ΩR2​ = 80 ΩR3​ = 100 ΩR4​ = 800 Ωab+−Rth​ = ?

दिखाए गए सेतु का थेवेनिन प्रतिरोध Rth ज्ञात कीजिए, निर्गत टर्मिनल a और b से देखने पर।

Vs = 3 VR1 = 80 ΩR2 = 80 ΩR3 = 100 ΩR4 = 800 Ω
Rth = Ω
12.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेजकठिन
+−5 V350 Ω − ΔR350 Ω + ΔR350 Ω + ΔR350 Ω − ΔRab+−Vo​ = ?

350 Ω भुजाओं वाले एक सेतु को 5 V से उत्तेजित किया जाता है और उसमें चार सक्रिय गेज, दो तनाव में और दो संपीडन में (पूर्ण सेतु) है। गेज गुणांक 2 है और विकृति 750 µε है। mV में सेतु निर्गत Vo ज्ञात कीजिए।

Vs = 5 VGF = 2ε = 750 µε
Vo = mV
13.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉपमध्यम
ABCD00011110000111101111111

इस कार्नो मानचित्र में ठीक एक 1 का कोई पड़ोसी 1 नहीं है, इसलिए वह न्यूनतम SOP रूप में एक खाने का समूह (चार लिटरल का पूर्ण मिनटर्म) बना रहता है। मानचित्र के किनारों के आर-पार के पड़ोसी भी गिने जाते हैं। उस खाने पर क्लिक करें।

F = Σm(0, 3, 4, 5, 12, 13, 15)
  1. 1AB = 00, CD = 00
  2. 2AB = 00, CD = 01
  3. 3AB = 00, CD = 11
  4. 4AB = 00, CD = 10
  5. 5AB = 01, CD = 00
  6. 6AB = 01, CD = 01
  7. 7AB = 01, CD = 11
  8. 8AB = 01, CD = 10
  9. 9AB = 11, CD = 00
  10. 10AB = 11, CD = 01
  11. 11AB = 11, CD = 11
  12. 12AB = 11, CD = 10
  13. 13AB = 10, CD = 00
  14. 14AB = 10, CD = 01
  15. 15AB = 10, CD = 11
  16. 16AB = 10, CD = 10
14.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉपकठिन
ABCD0001111000011110001113X214X50716X12X131150141819011X10

F(A, B, C, D) = Σm(1, 3, 4, 6, 8, 9, 15) + d(2, 5, 10, 12, 13) के लिए, जहाँ d डोंट-केयर स्थितियों को दर्शाता है, अनिवार्य प्रमुख प्रभाव्यों (एसेंशियल प्राइम इम्प्लिकेंट) की संख्या N ज्ञात करें।

F(A, B, C, D) = Σm(1, 3, 4, 6, 8, 9, 15) + d(2, 5, 10, 12, 13)
N =

3विलयन

1.डायोड और ट्रांज़िस्टर

उत्तर: IC = 2.298 mA

BJT बायस बिंदु: सक्रिय क्षेत्र में VBE = 0.7 V, IC = β·IB और IE = (β + 1)·IB। KVL से आधार लूप में IB ज्ञात करें, फिर IC, फिर संग्राहक–उत्सर्जक लूप से VCE। आधार पर वोल्टता विभाजक को उसके थेवेनिन तुल्य VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂ से बदला जाता है; उत्सर्जक प्रतिरोधक आधार लूप में (β + 1) गुना बड़ा दिखता है।

विभाजक का थेवेनिन तुल्य

VTH = 18·15/(68 + 15) = 3.253 V
RTH = 68·15/(68 + 15) = 12.29 kΩ

आधार धारा

आधार लूप के चारों ओर KVL; उत्सर्जक धारा (β + 1)·IB है।

IB = (3.253 − 0.7)/(12.29 + 121·1) = 19.15 µA

संग्राहक धारा

IC = 120·19.15 µA = 2.298 mA
IE = 121·19.15 µA = 2.318 mA

उत्तर

IC = 2.298 mA
2.डायोड और ट्रांज़िस्टर

उत्तर: PZ,max = 124.3 mW

ज़ेनर नियामक: विपरीत-अभिनत ज़ेनर डायोड अपनी वोल्टता VZ तब तक बनाए रखता है जब तक उसकी धारा न्यूनतम IZ,min से ऊपर रहे। श्रेणी प्रतिरोधक R निवेश और निर्गत का अंतर वहन करता है: IR = (Vin − VZ)/R। वह धारा भार, IL = VZ/RL, और ज़ेनर, IZ = IR − IL, के बीच बँटती है। सबसे बुरी स्थितियों के लिए अभिकल्पन करें: सबसे कम निवेश के साथ सबसे बड़े भार पर भी IZ,min बचना चाहिए, और सबसे ऊँचे निवेश के साथ बिना भार के ज़ेनर की सबसे बड़ी शक्ति PZ = VZ·IZ मिलती है।

सबसे बुरी स्थिति की ज़ेनर धारा

IZ = 17.7/470 = 37.66 mA

ज़ेनर शक्ति

PZ = 3.3·37.66 = 124.3 mW

उत्तर

PZ,max = 124.3 mW
3.ऑप-एम्प परिपथ

उत्तर: Rf = 500 kΩ

आदर्श ऑप-एम्प नियम: ऋणात्मक पुनर्निवेश के साथ ऑप-एम्प अपना आउटपुट ऐसे चलाता है कि दोनों इनपुट समान वोल्टता पर रहें (V₋ = V₊), और किसी भी इनपुट में धारा नहीं जाती। इन दो तथ्यों के साथ इनवर्टिंग इनपुट पर KCL लिखने से आउटपुट मिलता है।

नॉन-इनवर्टिंग एम्पलीफ़ायर की लब्धि

V₋ = V₊ = Vin, और R₁ की धारा Rf से भी बहती है, इसलिए Vout = Vin·(1 + Rf/R₁)।

Av = 1 + Rf/R1
Rf = (6 − 1)·100 = 500 kΩ

उत्तर

Rf = 500 kΩ
4.ऑप-एम्प परिपथ

उत्तर: Vout = 9.999 V

आदर्श ऑप-एम्प नियम: ऋणात्मक पुनर्निवेश के साथ ऑप-एम्प अपना आउटपुट ऐसे चलाता है कि दोनों इनपुट समान वोल्टता पर रहें (V₋ = V₊), और किसी भी इनपुट में धारा नहीं जाती। इन दो तथ्यों के साथ इनवर्टिंग इनपुट पर KCL लिखने से आउटपुट मिलता है।

हर चरण की लब्धि

A1 = −Rf1/R1 = −22/1 = −22
A2 = 1 + Rf2/R2 = 1 + 1/100 = 1.01

चरण-दर-चरण

V1 = −22·(−0.45) = 9.9 V
Vout = 1.01·9.9 = 9.999 V

उत्तर

Vout = 9.999 V
5.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

उत्तर: vC = 2.485 V

प्रथम-कोटि क्षणिक अवस्थाएँ: एक संधारित्र या एक प्रेरक वाले परिपथ में हर वोल्टता और धारा अपने प्रारंभिक मान से अंतिम मान तक घातांकी रूप से बदलती है: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, जहाँ τ = RC या τ = L/R। लगभग 5τ के बाद परिपथ स्थिर हो जाता है।

संधारित्र द्वारा देखा गया थेवेनिन तुल्य

Rth के लिए स्रोत को शॉर्ट करें; संधारित्र को हटाकर (खुला करके) वह वोल्टता ज्ञात करें जिस पर वह स्थिर होगा।

Rth = R1 ∥ R2 = 2.2·2.2/(2.2 + 2.2) = 1.1 kΩ
vC(∞) = 12·2.2/(2.2 + 2.2) = 6 V

समय स्थिरांक

τ = Rth·C = 1.1·68 = 74.8 ms

आवेशन वक्र

vC(t) = 6·(1 − e−40/74.8) = 2.485 V

उत्तर

vC = 2.485 V
6.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

उत्तर: R = 14.43 kΩ

प्रथम-कोटि क्षणिक अवस्थाएँ: एक संधारित्र या एक प्रेरक वाले परिपथ में हर वोल्टता और धारा अपने प्रारंभिक मान से अंतिम मान तक घातांकी रूप से बदलती है: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, जहाँ τ = RC या τ = L/R। लगभग 5τ के बाद परिपथ स्थिर हो जाता है।

आवश्यक समय स्थिरांक

2.5 = 5·(1 − e−10/τ) → τ = 10/ln(5/(5 − 2.5))
τ = 10/0.6931 = 14.43 ms

प्रतिरोध

kΩ गुणा µF से मिलीसेकंड मिलते हैं।

R = τ/C = 14.43/1 = 14.43 kΩ

उत्तर

R = 14.43 kΩ
7.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

उत्तर: IR2 = 1.298 A

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक: श्रेणी में हर प्रतिरोधक से समान धारा बहती है और R = R₁ + R₂ + …। समांतर में हर प्रतिरोधक पर समान वोल्टता होती है और 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …। सीढ़ी नेटवर्क को एक-एक युग्म घटाया जाता है जब तक एक समतुल्य प्रतिरोध न बचे।

R1​ = 4 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​10 VR2​3 ΩAR4​12 ΩB

दूर वाले सिरे से प्रतिरोधक जोड़ें

स्रोत से सबसे दूर वाले सिरे से शुरू करें और उसकी ओर लौटें। समान धारा वाले प्रतिरोधक श्रेणी में हैं; समान दो नोड के बीच वाले प्रतिरोधक समांतर में हैं।

R3 + R4 = 5 + 12 = 17 Ω
R2 ∥ 17 = 3·17/(3+17) = 2.55 Ω
Req = R1 + 2.55 = 4 + 2.55 = 6.55 Ω

स्रोत से धारा

स्रोत केवल Req देखता है, इसलिए ओम का नियम उसकी दी धारा देता है। यह धारा R₁ से होकर बहती है।

IR1 = V1/Req = 10/6.55 = 1.527 A

R₂ से होकर धारा

नोड A पर वोल्टता पाने के लिए R₁ पर पात घटाएँ, जो R₂ पर वोल्टता है।

VA = V1 − IR1·R1 = 10 − 1.527·4 = 3.893 V
IR2 = VA/R2 = 3.893/3 = 1.298 A

उत्तर

IR2 = 1.298 A
8.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

उत्तर: IR1 = 1.668 A

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक: श्रेणी में हर प्रतिरोधक से समान धारा बहती है और R = R₁ + R₂ + …। समांतर में हर प्रतिरोधक पर समान वोल्टता होती है और 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …। सीढ़ी नेटवर्क को एक-एक युग्म घटाया जाता है जब तक एक समतुल्य प्रतिरोध न बचे।

R1​ = 5 ΩR3​ = 12 ΩR5​ = 10 Ω+−V1​18 VR2​8 ΩAR4​12 ΩBR6​25 Ω

दूर वाले सिरे से प्रतिरोधक जोड़ें

स्रोत से सबसे दूर वाले सिरे से शुरू करें और उसकी ओर लौटें। समान धारा वाले प्रतिरोधक श्रेणी में हैं; समान दो नोड के बीच वाले प्रतिरोधक समांतर में हैं।

R5 + R6 = 10 + 25 = 35 Ω
R4 ∥ 35 = 8.936 Ω
R3 + 8.936 = 20.94 Ω
R2 ∥ 20.94 = 5.788 Ω
Req = R1 + 5.788 = 5 + 5.788 = 10.79 Ω

स्रोत से धारा

स्रोत केवल Req देखता है, इसलिए ओम का नियम उसकी दी धारा देता है। यह धारा R₁ से होकर बहती है।

IR1 = V1/Req = 18/10.79 = 1.668 A

उत्तर

IR1 = 1.668 A
9.DC-DC कन्वर्टर

उत्तर: Imax = 1.384 A

DC-DC कन्वर्टर: एक स्विच S हर आवर्तकाल T = 1/f के भिन्न D भाग में चालू रहता है। स्थायी अवस्था में प्रेरक की औसत वोल्टता शून्य होती है (वोल्ट-सेकंड संतुलन), जिससे संतत चालन में आदर्श रूपांतरण अनुपात मिलते हैं: बक Vo = D·Vin, बूस्ट Vo = Vin/(1 − D), प्रतिलोमी बक-बूस्ट |Vo| = Vin·D/(1 − D)। आदर्श कन्वर्टर शक्ति को बनाए रखता है: Vin·Iin = Vo·Io। जब S चालू होता है तब प्रेरक धारा ΔIL = VL·D·T/L से बढ़ती है, जहाँ बक के लिए VL = Vin − Vo और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Vin है। निर्गत रिपल बक के लिए ΔVo = ΔIL/(8fC) और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Io·D/(fC) है। प्रेरक धारा शून्य को ठीक छूती है (CCM सीमा) जब औसत प्रेरक धारा ΔIL/2 के बराबर हो।

कर्तव्य चक्र

D = 14.4/36 = 0.4

औसत और रिपल धारा

Io = 14.4/12 = 1.2 A
ΔIL = VL·D/(L·f) = 21.6·0.4/(47·10⁻⁶·500·10³) = 0.3677 A

शिखर धारा

Imax = 1.2 + 0.3677/2 = 1.384 A

उत्तर

Imax = 1.384 A
10.DC-DC कन्वर्टर

उत्तर: ΔVo = 62.55 mV

DC-DC कन्वर्टर: एक स्विच S हर आवर्तकाल T = 1/f के भिन्न D भाग में चालू रहता है। स्थायी अवस्था में प्रेरक की औसत वोल्टता शून्य होती है (वोल्ट-सेकंड संतुलन), जिससे संतत चालन में आदर्श रूपांतरण अनुपात मिलते हैं: बक Vo = D·Vin, बूस्ट Vo = Vin/(1 − D), प्रतिलोमी बक-बूस्ट |Vo| = Vin·D/(1 − D)। आदर्श कन्वर्टर शक्ति को बनाए रखता है: Vin·Iin = Vo·Io। जब S चालू होता है तब प्रेरक धारा ΔIL = VL·D·T/L से बढ़ती है, जहाँ बक के लिए VL = Vin − Vo और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Vin है। निर्गत रिपल बक के लिए ΔVo = ΔIL/(8fC) और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Io·D/(fC) है। प्रेरक धारा शून्य को ठीक छूती है (CCM सीमा) जब औसत प्रेरक धारा ΔIL/2 के बराबर हो।

कर्तव्य चक्र

D = 21/(9 + 21) = 0.7

लोड धारा

Io = 21/25 = 0.84 A

निर्गत रिपल

ΔVo = 0.84·0.7/(200·10³·47·10⁻⁶) = 62.55 mV

उत्तर

ΔVo = 62.55 mV
11.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

उत्तर: Rth = 128.9 Ω

व्हीटस्टोन सेतु: दो वोल्टता विभाजक एक ही आपूर्ति Vs साझा करते हैं। बायाँ विभाजक R1–R2 Va = Vs·R2/(R1 + R2) देता है और दायाँ विभाजक R3–R4 Vb = Vs·R4/(R3 + R4) देता है; निर्गत Vab = Va − Vb है। सेतु संतुलित (Vab = 0, मापी में कोई धारा नहीं) तब होता है जब R1/R2 = R3/R4, यानी R1·R4 = R2·R3। निर्गत के सिरों से देखने पर सेतु एक थेवेनिन स्रोत है जिसमें Rth = R1∥R2 + R3∥R4।

आपूर्ति लघुपथित

R₁∥R₂ = 80·80/160 = 40 Ω
R₃∥R₄ = 100·800/900 = 88.89 Ω

थेवेनिन प्रतिरोध

Rth = 128.9 Ω

उत्तर

Rth = 128.9 Ω
12.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

उत्तर: Vo = 7.5 mV

स्ट्रेन गेज: गेज विकृति के साथ अपना प्रतिरोध बदलता है: ΔR/R = GF·ε, जहाँ धात्विक फ़ॉइल के लिए गेज गुणांक GF लगभग 2 होता है। सभी भुजाएँ R के बराबर वाले सेतु में एक सक्रिय गेज (चतुर्थांश सेतु) Vo ≈ Vs·GF·ε/4 देता है। आसन्न भुजाओं में विपरीत विकृति वाले दो सक्रिय गेज (अर्ध सेतु) Vs·GF·ε/2 देते हैं, और चार (पूर्ण सेतु) Vs·GF·ε देते हैं। प्रतिबल हुक के नियम से मिलता है, σ = E·ε। लोड सेल अपनी संवेदनशीलता mV/V में बताते हैं: प्रति वोल्ट उत्तेजन पर पूर्ण भार पर निर्गत।

सापेक्ष प्रतिरोध परिवर्तन

ΔR/R = 2·750·10⁻⁶ = 0.0015

सेतु निर्गत

Vo = Vs·GF·ε = 5·0.0015 = 7.5 mV

उत्तर

Vo = 7.5 mV
13.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

उत्तर: AB = 00, CD = 11

कार्नो मानचित्र: खाने ग्रे कोड (00, 01, 11, 10) में क्रमबद्ध होते हैं, इसलिए पड़ोसी खाने, किनारों के आर-पार वाले भी, ठीक एक चर में भिन्न होते हैं। 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के आयतों में समूहित करें, जितने बड़े और जितने कम समूह हो सकें, जब तक हर 1 ढक न जाए। हर समूह एक गुणन पद है: वे चर जो उसके भीतर स्थिर रहते हैं। 2ᵏ खानों का समूह k चर खो देता है। डोंट-केयर (X) का उपयोग समूह बड़े करने के लिए किया जा सकता है पर उन्हें ढकना ज़रूरी नहीं है। इसके बजाय 0 को समूहित करने से न्यूनतम POS रूप मिलता है।

हर 1 के पड़ोसी

पड़ोसी 1 वाला 1 दो या अधिक के समूह में शामिल हो सकता है।

m3: m2, m1, m7, m11 → 0
ABCD00011110000111101111111

अकेला 1

m3 = A′B′CD → AB = 00, CD = 11

उत्तर

AB = 00, CD = 11
14.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

उत्तर: N = 1

कार्नो मानचित्र: खाने ग्रे कोड (00, 01, 11, 10) में क्रमबद्ध होते हैं, इसलिए पड़ोसी खाने, किनारों के आर-पार वाले भी, ठीक एक चर में भिन्न होते हैं। 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के आयतों में समूहित करें, जितने बड़े और जितने कम समूह हो सकें, जब तक हर 1 ढक न जाए। हर समूह एक गुणन पद है: वे चर जो उसके भीतर स्थिर रहते हैं। 2ᵏ खानों का समूह k चर खो देता है। डोंट-केयर (X) का उपयोग समूह बड़े करने के लिए किया जा सकता है पर उन्हें ढकना ज़रूरी नहीं है। इसके बजाय 0 को समूहित करने से न्यूनतम POS रूप मिलता है।

प्रमुख प्रभाव्य

1 और X से बनने वाले सबसे बड़े समूह।

C′D, BC′, AC′, A′CD′, A′B′D, A′BD′, AB′D′, ABD, A′B′C
ABCD0001111000011110001113X214X50716X12X131150141819011X10

अनिवार्य प्रमुख प्रभाव्य

ABD
N = 1

उत्तर

N = 1

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