इलेक्ट्रॉनिकी 1: क्रैम पैक

सूत्र-पत्रक, हर विषय के मुख्य विधि-चरण और 14 अभ्यास प्रश्न, पूरे हल पीछे दिए गए हैं।

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1सूत्र और विधियाँ

डायोड और ट्रांज़िस्टर

डायोड (नियत वोल्टता पात)
VD = 0.7 V when conducting
सक्रिय क्षेत्र
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
स्थिर बायस
IB = (VCC − 0.7)/RB
विभाजक बायस
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
विभाजक का थेवेनिन तुल्य
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
संग्राहक लूप
VCE = VCC − ICRC − IERE
संतृप्ति
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

ऑप-एम्प परिपथ

इनवर्टिंग प्रवर्धक
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
नॉन-इनवर्टिंग प्रवर्धक
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
योगकारी प्रवर्धक
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
आदर्श ऑप-एम्प
V+ = V−, Iin = 0

RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

समय स्थिरांक
τ = RC | τ = L/R
अनुक्रिया
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
DC पर संधारित्र
खुला परिपथ; vC अचानक नहीं बदल सकता
DC पर प्रेरक
शॉर्ट सर्किट; iL अचानक नहीं बदल सकता
स्थिर अवस्था
t ≈ 5τ

विधि

  1. स्विचिंग के ठीक बाद प्रारंभिक मान ज्ञात करें: संधारित्र की वोल्टता और प्रेरक की धारा अचानक नहीं बदल सकती।
  2. स्विचिंग के बहुत बाद अंतिम मान ज्ञात करें: संधारित्र खुले परिपथ जैसा, प्रेरक लघु परिपथ जैसा व्यवहार करता है।
  3. समय स्थिरांक ज्ञात करें: τ = RC या τ = L/R, संधारित्र या प्रेरक द्वारा देखे गए प्रतिरोध का उपयोग करके।
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ का उपयोग करें।

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

श्रेणी में प्रतिरोध
Req = R1 + R2 + …
समांतर में प्रतिरोध
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
दो समांतर में
Req = R1R2 / (R1 + R2)
ओम का नियम
V = I·R
शक्ति
P = V·I = I²R = V²/R

विधि

  1. नेटवर्क के उस सिरे से शुरू करें जो टर्मिनलों से सबसे दूर है।
  2. श्रेणी में प्रतिरोधकों को जोड़कर मिलाएँ, और समांतर में प्रतिरोधकों को 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … से।
  3. हर चरण के बाद परिपथ दोबारा बनाएँ।
  4. तब तक दोहराएँ जब तक टर्मिनलों के बीच एक ही प्रतिरोधक न बचे।

DC-DC कन्वर्टर

बक
Vo = D·Vin
बूस्ट
Vo = Vin/(1 − D)
प्रतिलोमी बक-बूस्ट
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
आदर्श शक्ति संतुलन
VinIin = VoIo
प्रेरक रिपल
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
औसत प्रेरक धारा
बक Io; बूस्ट और बक-बूस्ट Io/(1 − D)
निर्गत रिपल
बक ΔIL/(8fC); बूस्ट और बक-बूस्ट Io·D/(fC)
CCM सीमा
बक (1 − D)R/(2f); बूस्ट D(1 − D)²R/(2f); बक-बूस्ट (1 − D)²R/(2f)

विधि

  1. कन्वर्टर (बक, बूस्ट या बक-बूस्ट) पहचानिए और वोल्टता अनुपात से कर्तव्य चक्र D निकालिए।
  2. प्रेरक पर वोल्ट-सेकंड संतुलन का उपयोग कीजिए: एक आवर्तकाल में औसत प्रेरक वोल्टता शून्य होती है।
  3. स्विच चालू रहने पर प्रेरक वोल्टता ज्ञात कीजिए, फिर ΔIL = VL·D/(L·f)।
  4. निर्गत रिपल के लिए संधारित्र में आने-जाने वाला आवेश ज्ञात कीजिए; CCM सीमा के लिए औसत प्रेरक धारा को ΔIL/2 के बराबर रखिए।

व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

विभाजक वोल्टताएँ
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
निर्गम
Vab = Va − Vb
संतुलन
R1/R2 = R3/R4
स्लाइड-तार सेतु
R/Rx = l/(100 − l)
थेवेनिन प्रतिरोध
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
गेज गुणांक
ΔR/R = GF·ε
सेतु निर्गत
चतुर्थांश Vs·GF·ε/4, अर्ध Vs·GF·ε/2, पूर्ण Vs·GF·ε
छोटा परिवर्तन, एक भुजा
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
प्रतिबल
σ = E·ε

विधि

  1. सेतु को एक ही आपूर्ति के पार दो वोल्टता विभाजक मानिए।
  2. संतुलन के लिए R₁/R₂ = R₃/R₄ रखिए और अज्ञात प्रतिरोधक के लिए हल कीजिए।
  3. असंतुलित सेतु के लिए विभाजकों से Va और Vb निकालकर घटाइए; जब कोई मापी निर्गत पर भार डाले तब थेवेनिन तुल्य का उपयोग कीजिए।
  4. स्ट्रेन गेज के लिए विकृति को ΔR/R = GF·ε में बदलिए और चतुर्थांश, अर्ध या पूर्ण सेतु के लिए क्रमशः Vs·GF·ε/4, /2 या ×1 का उपयोग कीजिए।

डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

मूल गेट
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
बूलीय नियम
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
डी मॉर्गन
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
कार्नो मानचित्र का क्रम
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ खानों का समूह
k चर खो देता है
4-से-1 मल्टीप्लेक्सर
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
फ़्लिप-फ़्लॉप
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
काउंटर
n-बिट: 2ⁿ अवस्थाएँ; mod-N: सबसे छोटा n जिसमें 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
रिपल काउंटर
fmax = 1/(n·tpd)
रिंग और जॉनसन काउंटर
n और 2n अवस्थाएँ

विधि

  1. परिपथ के लिए निवेशों से निर्गत तक एक-एक गेट करके काम करें और हर तार पर मान लिखें, या उसका व्यंजक लिखें और सत्यमान सारणी भरें।
  2. सरलीकरण के लिए 1 (और डोंट-केयर को X के रूप में) को ग्रे-कोड पंक्तियों और स्तंभों वाले कार्नो मानचित्र में रखें: 00, 01, 11, 10।
  3. 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के जितने कम और जितने बड़े संभव हों उतने समूहों से ढकें, किनारों से लिपटते हुए; हर समूह एक गुणन पद है जो उन चरों से बना है जो स्थिर रहते हैं। POS रूप के लिए 0 को समूहित करें।
  4. फ़्लिप-फ़्लॉप और काउंटरों के लिए हर सक्रिय क्लॉक कोर पर निवेश पढ़ें, हर कोर के बाद अवस्था लिखें, और याद रखें कि n-बिट काउंटर 2ⁿ अवस्थाओं के बाद लौट जाता है।

2अभ्यास प्रश्न

1.डायोड और ट्रांज़िस्टरमध्यम
RC​ = 1 kΩβ = 75VCC​ = 15 VRB​ = 330 kΩ

β = 75 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 15 V से आधार प्रतिरोधक RB = 330 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक–उत्सर्जक वोल्टता VCE ज्ञात कीजिए।

VCC = 15 VRB = 330 kΩRC = 1 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
VCE = V
2.डायोड और ट्रांज़िस्टरकठिन
+−≥ 15 VR = ?9.1 V≤ 50 mA

9.1 V का ज़ेनर नियामक एक भार को 50 mA तक देता है। निवेश 15 V तक गिर सकता है, और नियमन के लिए ज़ेनर को कम से कम 5 mA चाहिए। वह सबसे बड़ा श्रेणी प्रतिरोध Rmax ज्ञात कीजिए जो नियमन बनाए रखे।

Vin,min = 15 VVZ = 9.1 VIL,max = 50 mAIZ,min = 5 mA
Rmax = Ω
3.ऑप-एम्प परिपथमध्यम
−+Vout​Rf​ = 2 kΩR1​ = 2 kΩVin​ = −1.9 V

ऑप-एम्प आदर्श है और ±15 V आपूर्ति से चलता है। आउटपुट वोल्टता Vout ज्ञात कीजिए।

Vin = −1.9 VR1 = 2 kΩRf = 2 kΩ
Vout = V
4.ऑप-एम्प परिपथकठिन
−+Vout​R2​ = 1 kΩV1​ = −0.8 VR1​ = 2 kΩV2​ = 1.8 VR3​ = 1 kΩR4​ = 2 kΩ

ऑप-एम्प आदर्श है और ±15 V आपूर्ति से चलता है। प्रतिरोधक अनुपात मेल नहीं खाते। आउटपुट वोल्टता Vout ज्ञात कीजिए।

V1 = −0.8 VV2 = 1.8 VR1 = 2 kΩR2 = 1 kΩR3 = 1 kΩR4 = 2 kΩ
Vout = V
5.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँमध्यम
+−Vs​24 Vt = 0R1​ = 4.7 kΩR2​ = 1 kΩC100 µF+−vC​

स्रोत Vₛ, R₁ के माध्यम से संधारित्र को आवेशित करता है, और R₂, C के समांतर जुड़ा है। t = 0 पर स्विच बंद होते समय संधारित्र अनावेशित है। t = 120 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।

Vs = 24 VR1 = 4.7 kΩR2 = 1 kΩC = 100 µFt = 120 ms
vC = V
6.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँकठिन
+−Vs​6 Vt = 0 पर खुलता हैR1​ = 1 kΩR2​ = 10 kΩC68 µF+−vC​

स्विच लंबे समय से बंद है, इसलिए परिपथ स्थायी अवस्था में है। t = 0 पर स्विच खुलता है। t = 300 ms पर संधारित्र वोल्टता vC ज्ञात कीजिए।

Vs = 6 VR1 = 1 kΩR2 = 10 kΩC = 68 µFt = 300 ms
vC = V
7.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधकमध्यम
R1​ = 8 ΩR3​ = 12 Ω+−V1​9 VR2​20 ΩAR4​2 ΩB

स्रोत V1 द्वारा देखा गया समतुल्य प्रतिरोध Req ज्ञात कीजिए।

V1 = 9 VR1 = 8 ΩR2 = 20 ΩR3 = 12 ΩR4 = 2 Ω
Req = Ω
8.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधककठिन
R1​ = 2 ΩR3​ = 2 ΩR5​ = 8 Ω+−V1​36 VR2​2 ΩAR4​15 ΩBR6​20 Ω

स्रोत V1 द्वारा देखा गया समतुल्य प्रतिरोध Req ज्ञात कीजिए।

V1 = 36 VR1 = 2 ΩR2 = 2 ΩR3 = 2 ΩR4 = 15 ΩR5 = 8 ΩR6 = 20 Ω
Req = Ω
9.DC-DC कन्वर्टरमध्यम
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

एक आदर्श बक कन्वर्टर 20 kHz पर L = 330 µH के साथ 48 V को 14.4 V में बदलता है। शिखर-से-शिखर प्रेरक रिपल धारा ΔIL ज्ञात कीजिए।

Vin​ = 48 VVo​ = 14.4 Vf = 20 kHzL = 330 µH
ΔIL = A
10.DC-DC कन्वर्टरकठिन
tvo​Vo​ΔV = ?DTT2T

एक बक कन्वर्टर 500 kHz पर 2 Ω भार के लिए 15 V को 9 V में बदलता है, जिसमें L = 33 µH और C = 100 µF है। mV में शिखर-से-शिखर निर्गत वोल्टता रिपल ΔVo ज्ञात कीजिए।

Vin​ = 15 VVo​ = 9 Vf = 500 kHzL = 33 µHC = 100 µF
ΔVo = mV
11.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेजमध्यम
+−3 V100 Ω100 Ω + ΔR100 Ω100 Ωab+−Vab​ = ?

एक सेतु की चारों भुजाएँ 100 Ω की हैं और Vs = 3 V है। संवेदक R₂ में ΔR = 25 Ω की वृद्धि होती है। mV में यथार्थ निर्गत Vab ज्ञात कीजिए।

Vs = 3 VR = 100 ΩΔR = 25 Ω
Vab = mV
12.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेजकठिन
+−5 V120 Ω − ΔR120 Ω + ΔR120 Ω + ΔR120 Ω − ΔRab+−Vo​ = ?

120 Ω भुजाओं वाले एक सेतु को 5 V से उत्तेजित किया जाता है और उसमें चार सक्रिय गेज, दो तनाव में और दो संपीडन में (पूर्ण सेतु) है। गेज गुणांक 2.12 है और विकृति 1200 µε है। mV में सेतु निर्गत Vo ज्ञात कीजिए।

Vs = 5 VGF = 2.12ε = 1200 µε
Vo = mV
13.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉपमध्यम
ABC00011110010011030214051706

F(A, B, C) = Σm(1, 4, 7) का न्यूनतम गुणनफलों का योग (SOP) रूप कार्नो मानचित्र से ज्ञात करें। उसमें कितने गुणन पद N हैं?

F(A, B, C) = Σm(1, 4, 7)
N =
14.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉपकठिन
ABCD0001111000011110X011030214151716X1201301501408X9111110

F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 5, 6, 7, 10, 11) + d(0, 9, 12) के लिए, जहाँ d डोंट-केयर स्थितियों को दर्शाता है, अनिवार्य प्रमुख प्रभाव्यों (एसेंशियल प्राइम इम्प्लिकेंट) की संख्या N ज्ञात करें।

F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 5, 6, 7, 10, 11) + d(0, 9, 12)
N =

3विलयन

1.डायोड और ट्रांज़िस्टर

उत्तर: VCE = 11.75 V

BJT बायस बिंदु: सक्रिय क्षेत्र में VBE = 0.7 V, IC = β·IB और IE = (β + 1)·IB। KVL से आधार लूप में IB ज्ञात करें, फिर IC, फिर संग्राहक–उत्सर्जक लूप से VCE। आधार पर वोल्टता विभाजक को उसके थेवेनिन तुल्य VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂ से बदला जाता है; उत्सर्जक प्रतिरोधक आधार लूप में (β + 1) गुना बड़ा दिखता है।

आधार धारा

IB = (VCC − VBE)/RB = (15 − 0.7)/330 kΩ = 43.33 µA

संग्राहक धारा

IC = β·IB = 75·43.33 µA = 3.25 mA

संग्राहक–उत्सर्जक वोल्टता

VCE = 15 − 3.25 mA·1 kΩ = 11.75 V

उत्तर

VCE = 11.75 V
2.डायोड और ट्रांज़िस्टर

उत्तर: Rmax = 107.3 Ω

ज़ेनर नियामक: विपरीत-अभिनत ज़ेनर डायोड अपनी वोल्टता VZ तब तक बनाए रखता है जब तक उसकी धारा न्यूनतम IZ,min से ऊपर रहे। श्रेणी प्रतिरोधक R निवेश और निर्गत का अंतर वहन करता है: IR = (Vin − VZ)/R। वह धारा भार, IL = VZ/RL, और ज़ेनर, IZ = IR − IL, के बीच बँटती है। सबसे बुरी स्थितियों के लिए अभिकल्पन करें: सबसे कम निवेश के साथ सबसे बड़े भार पर भी IZ,min बचना चाहिए, और सबसे ऊँचे निवेश के साथ बिना भार के ज़ेनर की सबसे बड़ी शक्ति PZ = VZ·IZ मिलती है।

सबसे बुरी स्थिति की धारा

IR = 50 + 5 = 55 mA

सबसे बड़ा प्रतिरोध

Rmax = 5.9/0.055 = 107.3 Ω

उत्तर

Rmax = 107.3 Ω
3.ऑप-एम्प परिपथ

उत्तर: Vout = −3.8 V

आदर्श ऑप-एम्प नियम: ऋणात्मक पुनर्निवेश के साथ ऑप-एम्प अपना आउटपुट ऐसे चलाता है कि दोनों इनपुट समान वोल्टता पर रहें (V₋ = V₊), और किसी भी इनपुट में धारा नहीं जाती। इन दो तथ्यों के साथ इनवर्टिंग इनपुट पर KCL लिखने से आउटपुट मिलता है।

इनवर्टिंग इनपुट इनपुट का अनुसरण करता है

V₋ = V₊ = −1.9 V
I = V₋/R1 = −1.9/2 = −0.95 mA

आउटपुट वोल्टता

R₁ की धारा Rf से भी बहती है।

Vout = V₋ + I·Rf = −1.9 + (−0.95)·2 = −3.8 V

उत्तर

Vout = −3.8 V
4.ऑप-एम्प परिपथ

उत्तर: Vout = 2.2 V

आदर्श ऑप-एम्प नियम: ऋणात्मक पुनर्निवेश के साथ ऑप-एम्प अपना आउटपुट ऐसे चलाता है कि दोनों इनपुट समान वोल्टता पर रहें (V₋ = V₊), और किसी भी इनपुट में धारा नहीं जाती। इन दो तथ्यों के साथ इनवर्टिंग इनपुट पर KCL लिखने से आउटपुट मिलता है।

+ इनपुट पर वोल्टता

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = 1.8·2/(1 + 2) = 1.2 V

दोनों इनपुटों का अध्यारोपण करें

V₂ = 0 पर V₁ एक इनवर्टिंग एम्पलीफ़ायर देखता है। V₁ = 0 पर V₊ नॉन-इनवर्टिंग लब्धि 1 + R₂/R₁ से प्रवर्धित होता है।

Vout = −(1/2)·(−0.8) + (1 + 1/2)·1.2 = 0.4 + 1.8 = 2.2 V

उत्तर

Vout = 2.2 V
5.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

उत्तर: vC = 3.228 V

प्रथम-कोटि क्षणिक अवस्थाएँ: एक संधारित्र या एक प्रेरक वाले परिपथ में हर वोल्टता और धारा अपने प्रारंभिक मान से अंतिम मान तक घातांकी रूप से बदलती है: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, जहाँ τ = RC या τ = L/R। लगभग 5τ के बाद परिपथ स्थिर हो जाता है।

संधारित्र द्वारा देखा गया थेवेनिन तुल्य

Rth के लिए स्रोत को शॉर्ट करें; संधारित्र को हटाकर (खुला करके) वह वोल्टता ज्ञात करें जिस पर वह स्थिर होगा।

Rth = R1 ∥ R2 = 4.7·1/(4.7 + 1) = 0.8246 kΩ
vC(∞) = 24·1/(4.7 + 1) = 4.211 V

समय स्थिरांक

τ = Rth·C = 0.8246·100 = 82.46 ms

आवेशन वक्र

vC(t) = 4.211·(1 − e−120/82.46) = 3.228 V

उत्तर

vC = 3.228 V
6.RC और RL क्षणिक अवस्थाएँ

उत्तर: vC = 3.509 V

प्रथम-कोटि क्षणिक अवस्थाएँ: एक संधारित्र या एक प्रेरक वाले परिपथ में हर वोल्टता और धारा अपने प्रारंभिक मान से अंतिम मान तक घातांकी रूप से बदलती है: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, जहाँ τ = RC या τ = L/R। लगभग 5τ के बाद परिपथ स्थिर हो जाता है।

प्रारंभिक संधारित्र वोल्टता

स्थायी अवस्था में संधारित्र खुला परिपथ है, इसलिए R₁ और R₂ एक वोल्टता विभाजक बनाते हैं। स्विच खुलने पर संधारित्र वोल्टता छलाँग नहीं लगा सकती।

vC(0) = 6·10/(1 + 10) = 5.455 V

स्विच खुलने के बाद समय स्थिरांक

τ = R2·C = 10·68 = 680 ms

निरावेशन

vC(t) = 5.455·e−300/680 = 3.509 V

उत्तर

vC = 3.509 V
7.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

उत्तर: Req = 16.24 Ω

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक: श्रेणी में हर प्रतिरोधक से समान धारा बहती है और R = R₁ + R₂ + …। समांतर में हर प्रतिरोधक पर समान वोल्टता होती है और 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …। सीढ़ी नेटवर्क को एक-एक युग्म घटाया जाता है जब तक एक समतुल्य प्रतिरोध न बचे।

R1​ = 8 ΩR3​ = 12 Ω+−V1​9 VR2​20 ΩAR4​2 ΩB

दूर वाले सिरे से प्रतिरोधक जोड़ें

स्रोत से सबसे दूर वाले सिरे से शुरू करें और उसकी ओर लौटें। समान धारा वाले प्रतिरोधक श्रेणी में हैं; समान दो नोड के बीच वाले प्रतिरोधक समांतर में हैं।

R3 + R4 = 12 + 2 = 14 Ω
R2 ∥ 14 = 20·14/(20+14) = 8.235 Ω
Req = R1 + 8.235 = 8 + 8.235 = 16.24 Ω

उत्तर

Req = 16.24 Ω
8.श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक

उत्तर: Req = 3.709 Ω

श्रेणी और समांतर प्रतिरोधक: श्रेणी में हर प्रतिरोधक से समान धारा बहती है और R = R₁ + R₂ + …। समांतर में हर प्रतिरोधक पर समान वोल्टता होती है और 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …। सीढ़ी नेटवर्क को एक-एक युग्म घटाया जाता है जब तक एक समतुल्य प्रतिरोध न बचे।

R1​ = 2 ΩR3​ = 2 ΩR5​ = 8 Ω+−V1​36 VR2​2 ΩAR4​15 ΩBR6​20 Ω

दूर वाले सिरे से प्रतिरोधक जोड़ें

स्रोत से सबसे दूर वाले सिरे से शुरू करें और उसकी ओर लौटें। समान धारा वाले प्रतिरोधक श्रेणी में हैं; समान दो नोड के बीच वाले प्रतिरोधक समांतर में हैं।

R5 + R6 = 8 + 20 = 28 Ω
R4 ∥ 28 = 9.767 Ω
R3 + 9.767 = 11.77 Ω
R2 ∥ 11.77 = 1.709 Ω
Req = R1 + 1.709 = 2 + 1.709 = 3.709 Ω

उत्तर

Req = 3.709 Ω
9.DC-DC कन्वर्टर

उत्तर: ΔIL = 1.527 A

DC-DC कन्वर्टर: एक स्विच S हर आवर्तकाल T = 1/f के भिन्न D भाग में चालू रहता है। स्थायी अवस्था में प्रेरक की औसत वोल्टता शून्य होती है (वोल्ट-सेकंड संतुलन), जिससे संतत चालन में आदर्श रूपांतरण अनुपात मिलते हैं: बक Vo = D·Vin, बूस्ट Vo = Vin/(1 − D), प्रतिलोमी बक-बूस्ट |Vo| = Vin·D/(1 − D)। आदर्श कन्वर्टर शक्ति को बनाए रखता है: Vin·Iin = Vo·Io। जब S चालू होता है तब प्रेरक धारा ΔIL = VL·D·T/L से बढ़ती है, जहाँ बक के लिए VL = Vin − Vo और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Vin है। निर्गत रिपल बक के लिए ΔVo = ΔIL/(8fC) और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Io·D/(fC) है। प्रेरक धारा शून्य को ठीक छूती है (CCM सीमा) जब औसत प्रेरक धारा ΔIL/2 के बराबर हो।

कर्तव्य चक्र

D = 14.4/48 = 0.3

चालू-समय में प्रेरक वोल्टता

जब S चालू होता है, प्रेरक Vin और Vo के बीच होता है।

VL = 48 − 14.4 = 33.6 V

रिपल धारा

ΔIL = VL·D/(L·f) = 33.6·0.3/(330·10⁻⁶·20·10³) = 1.527 A

उत्तर

ΔIL = 1.527 A
10.DC-DC कन्वर्टर

उत्तर: ΔVo = 0.5455 mV

DC-DC कन्वर्टर: एक स्विच S हर आवर्तकाल T = 1/f के भिन्न D भाग में चालू रहता है। स्थायी अवस्था में प्रेरक की औसत वोल्टता शून्य होती है (वोल्ट-सेकंड संतुलन), जिससे संतत चालन में आदर्श रूपांतरण अनुपात मिलते हैं: बक Vo = D·Vin, बूस्ट Vo = Vin/(1 − D), प्रतिलोमी बक-बूस्ट |Vo| = Vin·D/(1 − D)। आदर्श कन्वर्टर शक्ति को बनाए रखता है: Vin·Iin = Vo·Io। जब S चालू होता है तब प्रेरक धारा ΔIL = VL·D·T/L से बढ़ती है, जहाँ बक के लिए VL = Vin − Vo और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Vin है। निर्गत रिपल बक के लिए ΔVo = ΔIL/(8fC) और बूस्ट तथा बक-बूस्ट के लिए Io·D/(fC) है। प्रेरक धारा शून्य को ठीक छूती है (CCM सीमा) जब औसत प्रेरक धारा ΔIL/2 के बराबर हो।

कर्तव्य चक्र

D = 9/15 = 0.6

प्रेरक रिपल धारा

ΔIL = (15 − 9)·0.6/(33·10⁻⁶·500·10³) = 0.2182 A

निर्गत रिपल

ΔVo = 0.2182/(8·500·10³·100·10⁻⁶) = 0.5455 mV

उत्तर

ΔVo = 0.5455 mV
11.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

उत्तर: Vab = 166.7 mV

व्हीटस्टोन सेतु: दो वोल्टता विभाजक एक ही आपूर्ति Vs साझा करते हैं। बायाँ विभाजक R1–R2 Va = Vs·R2/(R1 + R2) देता है और दायाँ विभाजक R3–R4 Vb = Vs·R4/(R3 + R4) देता है; निर्गत Vab = Va − Vb है। सेतु संतुलित (Vab = 0, मापी में कोई धारा नहीं) तब होता है जब R1/R2 = R3/R4, यानी R1·R4 = R2·R3। निर्गत के सिरों से देखने पर सेतु एक थेवेनिन स्रोत है जिसमें Rth = R1∥R2 + R3∥R4।

नोड वोल्टताएँ

Va = 3·125/225 = 1.667 V
Vb = 1.5 V

निर्गम

Vab = 166.7 mV

उत्तर

Vab = 166.7 mV

रैखिक अनुमान Vs·ΔR/(4R) = 187.5 mV, 12.5 % अधिक है: चतुर्थांश सेतु पूरी तरह रैखिक नहीं होता।

12.व्हीटस्टोन सेतु और स्ट्रेन गेज

उत्तर: Vo = 12.72 mV

स्ट्रेन गेज: गेज विकृति के साथ अपना प्रतिरोध बदलता है: ΔR/R = GF·ε, जहाँ धात्विक फ़ॉइल के लिए गेज गुणांक GF लगभग 2 होता है। सभी भुजाएँ R के बराबर वाले सेतु में एक सक्रिय गेज (चतुर्थांश सेतु) Vo ≈ Vs·GF·ε/4 देता है। आसन्न भुजाओं में विपरीत विकृति वाले दो सक्रिय गेज (अर्ध सेतु) Vs·GF·ε/2 देते हैं, और चार (पूर्ण सेतु) Vs·GF·ε देते हैं। प्रतिबल हुक के नियम से मिलता है, σ = E·ε। लोड सेल अपनी संवेदनशीलता mV/V में बताते हैं: प्रति वोल्ट उत्तेजन पर पूर्ण भार पर निर्गत।

सापेक्ष प्रतिरोध परिवर्तन

ΔR/R = 2.12·1200·10⁻⁶ = 0.002544

सेतु निर्गत

Vo = Vs·GF·ε = 5·0.002544 = 12.72 mV

उत्तर

Vo = 12.72 mV
13.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

उत्तर: N = 3

कार्नो मानचित्र: खाने ग्रे कोड (00, 01, 11, 10) में क्रमबद्ध होते हैं, इसलिए पड़ोसी खाने, किनारों के आर-पार वाले भी, ठीक एक चर में भिन्न होते हैं। 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के आयतों में समूहित करें, जितने बड़े और जितने कम समूह हो सकें, जब तक हर 1 ढक न जाए। हर समूह एक गुणन पद है: वे चर जो उसके भीतर स्थिर रहते हैं। 2ᵏ खानों का समूह k चर खो देता है। डोंट-केयर (X) का उपयोग समूह बड़े करने के लिए किया जा सकता है पर उन्हें ढकना ज़रूरी नहीं है। इसके बजाय 0 को समूहित करने से न्यूनतम POS रूप मिलता है।

ABC00011110010011030214051706

1 को समूहित करें

हर समूह 2ᵏ खानों का आयत होता है; किनारे के खाने विपरीत किनारे के खानों के पड़ोसी होते हैं।

A′B′C
AB′C′
ABC

न्यूनतम SOP रूप

F = A′B′C + AB′C′ + ABC
N = 3

उत्तर

N = 3
14.डिजिटल लॉजिक: गेट, K-मानचित्र और फ़्लिप-फ़्लॉप

उत्तर: N = 2

कार्नो मानचित्र: खाने ग्रे कोड (00, 01, 11, 10) में क्रमबद्ध होते हैं, इसलिए पड़ोसी खाने, किनारों के आर-पार वाले भी, ठीक एक चर में भिन्न होते हैं। 1 को 1, 2, 4, 8 या 16 खानों के आयतों में समूहित करें, जितने बड़े और जितने कम समूह हो सकें, जब तक हर 1 ढक न जाए। हर समूह एक गुणन पद है: वे चर जो उसके भीतर स्थिर रहते हैं। 2ᵏ खानों का समूह k चर खो देता है। डोंट-केयर (X) का उपयोग समूह बड़े करने के लिए किया जा सकता है पर उन्हें ढकना ज़रूरी नहीं है। इसके बजाय 0 को समूहित करने से न्यूनतम POS रूप मिलता है।

प्रमुख प्रभाव्य

1 और X से बनने वाले सबसे बड़े समूह।

B′C′D, BC′D′, A′C′, A′B, AB′D, AB′C
ABCD0001111000011110X011030214151716X1201301501408X9111110

अनिवार्य प्रमुख प्रभाव्य

A′B, AB′C
N = 2

उत्तर

N = 2

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