उत्तरों सहित डायोड और ट्रांज़िस्टर वर्कशीट

एक 9 V DC स्रोत एक 330 Ω प्रतिरोधक से होकर धारा चलाता है, जो दो अग्र-अभिनत सिलिकॉन डायोडों के श्रेणी में है। प्रति चालक डायोड 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। धारा I mA में ज्ञात कीजिए।

एक 12 V DC स्रोत एक 1 kΩ प्रतिरोधक से होकर धारा चलाता है, जो एक अग्र-अभिनत सिलिकॉन डायोड के श्रेणी में है। प्रति चालक डायोड 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। धारा I mA में ज्ञात कीजिए।

β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति V_CC = 10 V से आधार प्रतिरोधक R_B = 1000 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक R_C = 2.2 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। V_BE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा I_C mA में ज्ञात कीजिए।

β = 120 वाले एक NPN ट्रांज़िस्टर को V_CC = 12 V से वोल्टता-विभाजक बायस दिया गया है: V_CC से आधार तक R₁ = 33 kΩ और आधार से भू तक R₂ = 6.8 kΩ। संग्राहक प्रतिरोधक R_C = 1 kΩ और उत्सर्जक प्रतिरोधक R_E = 1.5 kΩ है। V_BE = 0.7 V लें और विभाजक के थेवेनिन तुल्य का उपयोग करें (आधार धारा की उपेक्षा न करें)। संग्राहक–उत्सर्जक वोल्टता V_CE ज्ञात कीजिए।

β = 200 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर V_CC = 24 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 1 kΩ भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 5 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक R_B के माध्यम से चलाया जाता है। V_BE = 0.7 V और V_CE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 10 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। R_B kΩ में ज्ञात कीजिए।

5.6 V का ज़ेनर नियामक एक भार को 20 mA तक देता है। निवेश 24 V तक गिर सकता है, और नियमन के लिए ज़ेनर को कम से कम 1 mA चाहिए। वह सबसे बड़ा श्रेणी प्रतिरोध R_max ज्ञात कीजिए जो नियमन बनाए रखे।