उत्तरों सहित डायोड और ट्रांज़िस्टर वर्कशीट

एक 12 V DC स्रोत प्रतिरोधक R₁ = 330 Ω के माध्यम से नोड X से जुड़ा है। नोड X से स्रोत के ऋण टर्मिनल तक दो समांतर पथ हैं: प्रतिरोधक R₂ = 470 Ω, और एक सिलिकॉन डायोड जिसका एनोड X पर है। 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। डायोड धारा I_D mA में ज्ञात कीजिए।

एक 12 V DC स्रोत प्रतिरोधक R₁ = 1 kΩ के माध्यम से नोड X से जुड़ा है। नोड X से स्रोत के ऋण टर्मिनल तक दो समांतर पथ हैं: प्रतिरोधक R₂ = 4.7 kΩ, और एक सिलिकॉन डायोड जिसका एनोड X पर है। 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। डायोड धारा I_D mA में ज्ञात कीजिए।

β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति V_CC = 10 V से आधार प्रतिरोधक R_B = 270 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक R_C = 1.2 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। V_BE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा I_C mA में ज्ञात कीजिए।

β = 80 वाले एक NPN ट्रांज़िस्टर को V_CC = 20 V से वोल्टता-विभाजक बायस दिया गया है: V_CC से आधार तक R₁ = 47 kΩ और आधार से भू तक R₂ = 12 kΩ। संग्राहक प्रतिरोधक R_C = 2.7 kΩ और उत्सर्जक प्रतिरोधक R_E = 680 Ω है। V_BE = 0.7 V लें और विभाजक के थेवेनिन तुल्य का उपयोग करें (आधार धारा की उपेक्षा न करें)। संग्राहक धारा I_C mA में ज्ञात कीजिए।

β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर V_CC = 5 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 1 kΩ भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 5 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक R_B = 47 kΩ के माध्यम से चलाया जाता है। V_BE = 0.7 V और V_CE(sat) = 0.2 V लें। निवेश उच्च होने पर संग्राहक धारा I_C mA में ज्ञात कीजिए। पहले तय करें कि ट्रांज़िस्टर संतृप्त है या नहीं।

β = 80 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर V_CC = 5 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 100 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 3.3 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक R_B के माध्यम से चलाया जाता है। V_BE = 0.7 V और V_CE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 4 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। R_B kΩ में ज्ञात कीजिए।