एक 9 V DC स्रोत एक 330 Ω प्रतिरोधक से होकर धारा चलाता है, जो एक अग्र-अभिनत सिलिकॉन डायोड के श्रेणी में है। प्रति चालक डायोड 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। धारा I mA में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित डायोड और ट्रांज़िस्टर वर्कशीट
एक 10 V DC स्रोत एक 1.5 kΩ प्रतिरोधक से होकर धारा चलाता है, जो दो अग्र-अभिनत सिलिकॉन डायोडों के श्रेणी में है। प्रति चालक डायोड 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। धारा I mA में ज्ञात कीजिए।
β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 12 V से आधार प्रतिरोधक RB = 560 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1.5 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक–उत्सर्जक वोल्टता VCE ज्ञात कीजिए।
β = 200 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 12 V से आधार प्रतिरोधक RB = 390 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1.5 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा IC mA में ज्ञात कीजिए।
β = 200 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 5 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 220 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 5 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 5 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। RB kΩ में ज्ञात कीजिए।
β = 100 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 5 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 680 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 3.3 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। वह सबसे बड़ा आधार प्रतिरोधक RB, kΩ में, ज्ञात कीजिए जो ट्रांज़िस्टर को ठीक संतृप्ति तक ले जाता है।
उत्तर कुंजी
- 1. I = 25.15 mA
- 2. I = 5.733 mA
- 3. VCE = 7.46 V
- 4. IC = 5.795 mA
- 5. RB = 7.883 kΩ
- 6. RB = 36.83 kΩ
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