एक 9 V DC स्रोत प्रतिरोधक R₁ = 330 Ω के माध्यम से नोड X से जुड़ा है। नोड X से स्रोत के ऋण टर्मिनल तक दो समांतर पथ हैं: प्रतिरोधक R₂ = 470 Ω, और एक सिलिकॉन डायोड जिसका एनोड X पर है। 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। डायोड धारा ID mA में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित डायोड और ट्रांज़िस्टर वर्कशीट
एक 9 V DC स्रोत प्रतिरोधक R₁ = 1.5 kΩ के माध्यम से नोड X से जुड़ा है। नोड X से स्रोत के ऋण टर्मिनल तक दो समांतर पथ हैं: प्रतिरोधक R₂ = 10 kΩ, और एक सिलिकॉन डायोड जिसका एनोड X पर है। 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। डायोड धारा ID mA में ज्ञात कीजिए।
β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 12 V से आधार प्रतिरोधक RB = 1000 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1.2 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा IC mA में ज्ञात कीजिए।
β = 50 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 12 V से आधार प्रतिरोधक RB = 270 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 2.2 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा IC mA में ज्ञात कीजिए।
β = 50 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 12 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 220 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 5 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 5 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। RB kΩ में ज्ञात कीजिए।
β = 150 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 5 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 100 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 5 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 10 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। RB kΩ में ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. ID = 23.66 mA
- 2. ID = 5.463 mA
- 3. IC = 1.695 mA
- 4. IC = 2.093 mA
- 5. RB = 0.8017 kΩ
- 6. RB = 1.344 kΩ
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