एक 9 V DC स्रोत एक 680 Ω प्रतिरोधक से होकर धारा चलाता है, जो एक अग्र-अभिनत सिलिकॉन डायोड के श्रेणी में है। प्रति चालक डायोड 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। धारा I mA में ज्ञात कीजिए।
उत्तरों सहित डायोड और ट्रांज़िस्टर वर्कशीट
एक 6 V DC स्रोत प्रतिरोधक R₁ = 2.2 kΩ के माध्यम से नोड X से जुड़ा है। नोड X से स्रोत के ऋण टर्मिनल तक दो समांतर पथ हैं: प्रतिरोधक R₂ = 2.2 kΩ, और एक सिलिकॉन डायोड जिसका एनोड X पर है। 0.7 V के साथ नियत-पात मॉडल का उपयोग करें। डायोड धारा ID mA में ज्ञात कीजिए।
β = 150 वाले एक NPN ट्रांज़िस्टर को VCC = 20 V से वोल्टता-विभाजक बायस दिया गया है: VCC से आधार तक R₁ = 39 kΩ और आधार से भू तक R₂ = 6.8 kΩ। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1 kΩ और उत्सर्जक प्रतिरोधक RE = 1.5 kΩ है। VBE = 0.7 V लें और विभाजक के थेवेनिन तुल्य का उपयोग करें (आधार धारा की उपेक्षा न करें)। संग्राहक–उत्सर्जक वोल्टता VCE ज्ञात कीजिए।
β = 80 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर आपूर्ति VCC = 15 V से आधार प्रतिरोधक RB = 680 kΩ द्वारा बायस किया गया है। संग्राहक प्रतिरोधक RC = 1.5 kΩ है और उत्सर्जक भू से जुड़ा है। VBE = 0.7 V लें और मानें कि ट्रांज़िस्टर सक्रिय क्षेत्र में है। संग्राहक धारा IC mA में ज्ञात कीजिए।
β = 80 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 12 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 470 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 3.3 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 4 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। RB kΩ में ज्ञात कीजिए।
β = 50 वाला एक NPN ट्रांज़िस्टर VCC = 24 V और अपने संग्राहक के बीच जुड़े 470 Ω भार प्रतिरोधक को स्विच करता है। उत्सर्जक भू से जुड़ा है। आधार को 3.3 V लॉजिक निर्गत से आधार प्रतिरोधक RB के माध्यम से चलाया जाता है। VBE = 0.7 V और VCE(sat) = 0.2 V लें। विश्वसनीय स्विचिंग के लिए, संतृप्ति हेतु आवश्यक न्यूनतम से 2 गुना आधार धारा के लिए डिज़ाइन करें। RB kΩ में ज्ञात कीजिए।
उत्तर कुंजी
- 1. I = 12.21 mA
- 2. ID = 2.091 mA
- 3. VCE = 16.32 V
- 4. IC = 1.682 mA
- 5. RB = 2.071 kΩ
- 6. RB = 1.284 kΩ
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