電子回路 I:直前対策パック

公式集、全トピックの解法の要点、14 問の演習問題。完全な解答は巻末にあります。

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1公式と解法

ダイオードとトランジスタ

ダイオード(定電圧降下モデル)
VD = 0.7 V when conducting
活性領域
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
固定バイアス
IB = (VCC − 0.7)/RB
分圧バイアス
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
分圧回路のテブナン等価回路
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
コレクタ側の閉路
VCE = VCC − ICRC − IERE
飽和
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

オペアンプ回路

反転増幅器
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
非反転増幅器
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
加算増幅器
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
理想オペアンプ
V+ = V−, Iin = 0

RC・RL 過渡現象

時定数
τ = RC | τ = L/R
応答
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
直流でのコンデンサ
開放;vC は急変しない
直流でのインダクタ
短絡;iL は急変しない
定常値
t ≈ 5τ

解き方

  1. 切り替え直後の初期値を求めます:コンデンサの電圧とインダクタの電流は急に変化できません。
  2. 切り替えから十分時間がたったあとの最終値を求めます:コンデンサは開放、インダクタは短絡として扱えます。
  3. 時定数を求めます:τ = RC または τ = L/R。抵抗はコンデンサまたはインダクタから見た抵抗を使います。
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ を使います。

抵抗の直列・並列

抵抗の直列接続
Req = R1 + R2 + …
抵抗の並列接続
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
2 つの並列接続
Req = R1R2 / (R1 + R2)
オームの法則
V = I·R
電力
P = V·I = I²R = V²/R

解き方

  1. 端子からいちばん遠い回路網の端から始めます。
  2. 直列の抵抗は足し合わせ、並列の抵抗は 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … でまとめます。
  3. 1 ステップごとに回路を描き直します。
  4. 端子間に抵抗が 1 つだけ残るまで繰り返します。

DC-DC コンバータ

降圧形
Vo = D·Vin
昇圧形
Vo = Vin/(1 − D)
反転形昇降圧
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
理想的な電力の釣り合い
VinIin = VoIo
インダクタのリプル
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
インダクタ電流の平均値
降圧形 Io;昇圧形と昇降圧形 Io/(1 − D)
出力リプル
降圧形 ΔIL/(8fC);昇圧形と昇降圧形 Io·D/(fC)
CCM の境界
降圧形 (1 − D)R/(2f);昇圧形 D(1 − D)²R/(2f);昇降圧形 (1 − D)²R/(2f)

解き方

  1. 電圧比から、コンバータの種類(降圧、昇圧、昇降圧)とデューティ比 D を判断します。
  2. インダクタのボルト秒平衡を使いましょう:1 周期にわたるインダクタの平均電圧は 0 です。
  3. スイッチがオンの間のインダクタ電圧を求め、次に ΔIL = VL·D/(L·f) を求めます。
  4. 出力リプルでは、コンデンサに出入りする電荷を求めます。CCM の境界では、インダクタ電流の平均値を ΔIL/2 とおきます。

ホイートストンブリッジとひずみゲージ

分圧器の電圧
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
排泄量
Vab = Va − Vb
出納
R1/R2 = R3/R4
スライドワイヤブリッジ
R/Rx = l/(100 − l)
テブナン抵抗
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ゲージ率
ΔR/R = GF·ε
ブリッジの出力
1/4 ブリッジ Vs·GF·ε/4、1/2 ブリッジ Vs·GF·ε/2、フルブリッジ Vs·GF·ε
微小変化、1 辺のみ
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
応力
σ = E·ε

解き方

  1. ブリッジを、同じ電源につながれた 2 つの分圧器として扱います。
  2. 平衡では、R₁/R₂ = R₃/R₄ とおいて、未知の抵抗について解きます。
  3. 不平衡ブリッジでは、分圧器から Va と Vb を求めて差をとります。計器が出力に負荷をかけるときは、テブナン等価回路を使います。
  4. ひずみゲージでは、ひずみを ΔR/R = GF·ε に直し、1/4、1/2、フルブリッジに応じて Vs·GF·ε/4、/2、×1 を使います。

デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

基本ゲート
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
ブールの規則
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
ド・モルガンの法則
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
カルノー図の並び順
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ 個のセルのグループ
k 個の変数が消える
4 対 1 マルチプレクサ
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
フリップフロップ
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
カウンタ
n ビット:2ⁿ 状態; mod-N:2ⁿ ≥ N を満たす最小の n; fout = fclk/N
リップルカウンタ
fmax = 1/(n·tpd)
リングカウンタとジョンソンカウンタ
n 状態と 2n 状態

解き方

  1. 回路では、入力から出力へ向かってゲートを 1 つずつ進み、各配線に値を書き込むか、式を書いて真理値表を埋めましょう。
  2. 簡単化するには、1(とドントケアは X として)を、行と列がグレイコード 00, 01, 11, 10 のカルノー図に書き込みましょう。
  3. 1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる、できるだけ少なくできるだけ大きなグループで、端をまたぎながら覆いましょう。各グループは、一定のままの変数からなる 1 つの積項です。POS 形には 0 をグループ化します。
  4. フリップフロップとカウンタでは、各有効クロックエッジで入力を読み取り、エッジごとの状態を書き出し、n ビットのカウンタは 2ⁿ 個の状態で折り返すことを忘れないようにしましょう。

2演習問題

1.ダイオードとトランジスタふつう
RC​ = 1 kΩβ = 120VCC​ = 15 VRB​ = 820 kΩ

β = 120 の NPN トランジスタが、電源 VCC = 15 V からベース抵抗 RB = 820 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は RC = 1 kΩ で、エミッタは接地されている。VBE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。

VCC = 15 VRB = 820 kΩRC = 1 kΩβ = 120VBE = 0.7 V
VCE = V
2.ダイオードとトランジスタむずかしい
RC​ = 680 Ωβ = 200VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

β = 200 の NPN トランジスタが、VCC = 5 V とコレクタの間に接続された 680 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 10 倍に設計する。RB を kΩ で求めよ。

VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 200Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vオーバードライブ係数 = 10
RB = kΩ
3.オペアンプ回路ふつう
−+Vout​Rf​ = 47 kΩVin​R1​ = 4.7 kΩ

オペアンプは理想的で、±15 V 電源で動作する。出力は ±14 V で飽和する。 反転増幅器を正弦波で駆動する。出力がクリップしない最大の入力振幅 Vin,max(最大値)を求めよ。

R1 = 4.7 kΩRf = 47 kΩVsat = ±14 V
Vin,max = V
4.オペアンプ回路むずかしい
−+Vout​C = 0.47 µFVin​ = 0.2 VR = 47 kΩ

積分器は ±15 V 電源の理想オペアンプを使い、出力は ±13 V で飽和する。t = 0 に一定の入力 Vin = 0.2 V が加えられたとき、コンデンサは充電されていない。 t = 500 ms での出力電圧 Vout を求めよ。

Vin = 0.2 VR = 47 kΩC = 0.47 µFVsat = ±13 Vt = 500 ms
Vout = V
5.RC・RL 過渡現象ふつう
+−Vs​20 Vt = 0R1​ = 10 kΩR2​ = 1 kΩC220 µF+−vC​

電源 Vₛ は R₁ を通してコンデンサを充電し、R₂ は C と並列に接続されています。 t = 0 でスイッチが閉じるとき、コンデンサは充電されていない。 スイッチを閉じた後の回路の時定数 τ を求めよ。

Vs = 20 VR1 = 10 kΩR2 = 1 kΩC = 220 µF
τ = ms
6.RC・RL 過渡現象むずかしい
+−Vs​15 Vt = 0R = 2.2 kΩC100 µF+−vC​vC​(0) = 3 V

t = 0 でスイッチが閉じる直前、コンデンサは図の極性で 3 V に充電されている。 t = 200 ms におけるコンデンサの電圧 vC を求めよ。

Vs = 15 VR = 2.2 kΩC = 100 µFvC(0) = 3 Vt = 200 ms
vC = V
7.抵抗の直列・並列ふつう
R1​ = 3 ΩIR1​R3​ = 10 Ω+−V1​9 VR2​10 ΩAR4​15 ΩB

電源が供給し R1 を流れる電流 IR1 を求めよ。

V1 = 9 VR1 = 3 ΩR2 = 10 ΩR3 = 10 ΩR4 = 15 Ω
IR1 = A
8.抵抗の直列・並列むずかしい
R1​ = 12 ΩIR1​R3​ = 2 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​15 VR2​12 ΩAR4​6 ΩBR6​2 Ω

電源が供給し R1 を流れる電流 IR1 を求めよ。

V1 = 15 VR1 = 12 ΩR2 = 12 ΩR3 = 2 ΩR4 = 6 ΩR5 = 12 ΩR6 = 2 Ω
IR1 = A
9.DC-DC コンバータふつう
+−12 VLSCR = 8 Ω+−30 V

理想的な昇圧コンバータが 12 V を 30 V に変換し、負荷は 8 Ω です。インダクタ電流の平均値 IL を求めなさい。

Vin​ = 12 VVo​ = 30 VR = 8 Ω
IL = A
10.DC-DC コンバータむずかしい
tiL​Imax​Io​DTT2T

降圧コンバータが、40 kHz、L = 150 µH で 36 V を 10.8 V に変換します。連続導通を保てる最小の負荷電流 Io,min を求めなさい。

Vin​ = 36 VVo​ = 10.8 Vf = 40 kHzL = 150 µH
Io,min = A
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージふつう
+−12 V1000 Ω1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vab​ = ?

4 つの辺がすべて 1000 Ω のブリッジで、Vs = 12 V です。センサ R₂ が ΔR = 10 Ω だけ増加します。微小変化の近似を使って、出力 Vab を mV で求めなさい。

Vs = 12 VR = 1000 ΩΔR = 10 Ω
Vab = mV
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージむずかしい
+−10 V350 Ω350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−1.25 mV

アクティブゲージ 1 枚の 1/4 ブリッジ(GF = 2)に 10 V を加えます。荷重がかかると、出力は 1.25 mV を示します。ひずみ ε を µε で求めなさい。

Vs = 10 VGF = 2Vo = 1.25 mV
ε = µε
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップふつう
ABC000111100101324576

F = AB′C + A′BC′ + B′C′ + ABC′ を最小の積和形に簡単化してください。簡単化した式に含まれるリテラル L はいくつですか?

F = AB′C + A′BC′ + B′C′ + ABC′
L =
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップむずかしい
ABCD000111100001111010010302X415071611201301511408X9X11110

d はドントケア条件を表します。F(A, B, C, D) = Σm(0, 5, 6, 10, 12, 14) + d(4, 9, 11) について、必須主項の個数 N を求めてください。

F(A, B, C, D) = Σm(0, 5, 6, 10, 12, 14) + d(4, 9, 11)
N =

3溶液

1.ダイオードとトランジスタ

答え: VCE = 12.91 V

BJT の動作点:活性領域では VBE = 0.7 V、IC = β·IB、IE = (β + 1)·IB です。ベース側の閉路に KVL を適用して IB を求め、次に IC、さらにコレクタ–エミッタ側の閉路から VCE を求めます。ベースの分圧回路はテブナン等価回路 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂)、RTH = R₁∥R₂ に置き換えます。エミッタ抵抗はベース側の閉路では (β + 1) 倍の大きさに見えます。

ベース電流

IB = (VCC − VBE)/RB = (15 − 0.7)/820 kΩ = 17.44 µA

コレクタ電流

IC = β·IB = 120·17.44 µA = 2.093 mA

コレクタ–エミッタ間電圧

VCE = 15 − 2.093 mA·1 kΩ = 12.91 V

答え

VCE = 12.91 V
2.ダイオードとトランジスタ

答え: RB = 7.367 kΩ

スイッチとしての BJT:負荷を完全にオンにするには、トランジスタを飽和させます。飽和では VCE = VCE(sat) となり、コレクタ電流は負荷で決まります:IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC。飽和させるには少なくとも IB = IC(sat)/β が必要です。ベース電流がこれより小さければ、トランジスタは活性領域のままで IC = β·IB です。

飽和時のコレクタ電流

IC(sat) = (5 − 0.2)/680 = 7.059 mA

最小ベース電流

IB(min) = IC(sat)/β = 7.059/200 = 35.29 µA

設計ベース電流

IB = 10·35.29 µA = 352.9 µA

ベース抵抗

RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.3529 mA = 7.367 kΩ

答え

RB = 7.367 kΩ
3.オペアンプ回路

答え: Vin,max = 1.4 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

利得

|Av| = Rf/R1 = 47/4.7 = 10

クリップ前の最大入力

Vin,max = Vsat/|Av| = 14/10 = 1.4 V

答え

Vin,max = 1.4 V
4.オペアンプ回路

答え: Vout = −4.527 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

入力電流と変化率

kΩ × µF でミリ秒になります。

RC = 47 kΩ · 0.47 µF = 22.09 ms
変化率 = −Vin/(RC) = −0.2/22.09 = −0.009054 V/ms

与えられた時刻での出力

理想的な値は ±Vsat の内にあるので、積分器はまだクリップしていません。

Vout = −Vin·t/(RC) = −0.2·500/22.09 = −4.527 V

答え

Vout = −4.527 V
5.RC・RL 過渡現象

答え: τ = 200 ms

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

コンデンサから見たテブナン等価回路

電源を短絡して Rth を求め、コンデンサを開放して最終的に落ち着く電圧を求めます。

Rth = R1 ∥ R2 = 10·1/(10 + 1) = 0.9091 kΩ
vC(∞) = 20·1/(10 + 1) = 1.818 V

時定数

τ = Rth·C = 0.9091·220 = 200 ms

答え

τ = 200 ms
6.RC・RL 過渡現象

答え: vC = 10.17 V

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

初期値、最終値、時定数

コンデンサの電圧は急変できないので、蓄えた値から始まり、電源電圧へ向かいます。

vC(0) = 3 V, vC(∞) = Vs = 15 V
τ = R·C = 2.2 kΩ · 100 µF = 220 ms
vC(t) = 15 + (3 − 15)·e−t/τ

指定時刻の電圧

vC(200) = 15 + (−12)·e−200/220 = 10.17 V

答え

vC = 10.17 V
7.抵抗の直列・並列

答え: IR1 = 0.8873 A

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 3 ΩR3​ = 10 Ω+−V1​9 VR2​10 ΩAR4​15 ΩB

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R3 + R4 = 10 + 15 = 25 Ω
R2 ∥ 25 = 10·25/(10+25) = 7.143 Ω
Req = R1 + 7.143 = 3 + 7.143 = 10.14 Ω

電源からの電流

電源から見えるのは Req だけなので、オームの法則で電源の電流が求まります。この電流は R₁ を流れます。

IR1 = V1/Req = 9/10.14 = 0.8873 A

答え

IR1 = 0.8873 A
8.抵抗の直列・並列

答え: IR1 = 0.9324 A

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 12 ΩR3​ = 2 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​15 VR2​12 ΩAR4​6 ΩBR6​2 Ω

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R5 + R6 = 12 + 2 = 14 Ω
R4 ∥ 14 = 4.2 Ω
R3 + 4.2 = 6.2 Ω
R2 ∥ 6.2 = 4.088 Ω
Req = R1 + 4.088 = 12 + 4.088 = 16.09 Ω

電源からの電流

電源から見えるのは Req だけなので、オームの法則で電源の電流が求まります。この電流は R₁ を流れます。

IR1 = V1/Req = 15/16.09 = 0.9324 A

答え

IR1 = 0.9324 A
9.DC-DC コンバータ

答え: IL = 9.375 A

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 1 − 12/30 = 0.6

負荷電流

Io = 30/8 = 3.75 A

インダクタ電流

IL = Io/(1 − D) = 3.75/0.4 = 9.375 A

答え

IL = 9.375 A
10.DC-DC コンバータ

答え: Io,min = 0.63 A

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 10.8/36 = 0.3

リプル電流

ΔIL = 10.8·0.7/(150·10⁻⁶·40·10³) = 1.26 A

境界での負荷電流

Io,min = ΔIL/2 = 0.63 A

答え

Io,min = 0.63 A

この電流より小さくなると、コンバータは不連続導通に入り、Vo は D·Vin を超えて上昇します。

11.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Vab = 30 mV

ホイートストンブリッジ:2 つの分圧器が 1 つの電源 Vs を共有します。左の分圧器 R1–R2 は Va = Vs·R2/(R1 + R2) を、右の分圧器 R3–R4 は Vb = Vs·R4/(R3 + R4) を与え、出力は Vab = Va − Vb です。R1/R2 = R3/R4、すなわち R1·R4 = R2·R3 のとき、ブリッジは平衡しています(Vab = 0 で、検流計に電流が流れません)。出力端子から見ると、ブリッジは Rth = R1∥R2 + R3∥R4 のテブナン電源です。

相対変化

ΔR/R = 10/1000 = 0.01

線形化した出力

Vab ≈ 12·0.01/4 = 30 mV

答え

Vab = 30 mV

厳密な値は 29.85 mV です。ΔR/R が小さいうちは、近似はよく合います。

12.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: ε = 250 µε

ひずみゲージ:ゲージはひずみに応じて抵抗が変わります:ΔR/R = GF·ε。ゲージ率 GF は金属箔で約 2 です。すべての辺が R に等しいブリッジで、アクティブゲージが 1 枚(1/4 ブリッジ)のとき Vo ≈ Vs·GF·ε/4 です。隣り合う辺に逆向きのひずみを受ける 2 枚のアクティブゲージ(1/2 ブリッジ)では Vs·GF·ε/2、4 枚(フルブリッジ)では Vs·GF·ε になります。応力はフックの法則 σ = E·ε から求まります。ロードセルは感度を mV/V で表します:励起電圧 1 V あたりの定格荷重での出力です。

1/4 ブリッジの式を解く

ε = 4·0.00125/(10·2) = 0.00025

マイクロストレインで

ε = 250 µε

答え

ε = 250 µε
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: L = 3

ブール代数:式を簡単にする規則は、X + X′ = 1 と X·X′ = 0、X + X = X、吸収則 X + X·Y = X、結合則 X·Y + X·Y′ = X、X + X′Y = X + Y、そしてコンセンサス定理 XY + X′Z + YZ = XY + X′Z です。ド・モルガンの法則は (X·Y)′ を X′ + Y′ に、(X + Y)′ を X′·Y′ に変えます。カルノー図はこれらの規則を図で適用するものです:隣り合う 2 つのセルのグループは、XY + XY′ = X を 1 回使うことに当たります。

式の最小項

AB′C → m(5)
A′BC′ → m(2)
B′C′ → m(0, 4)
ABC′ → m(6)
ABC00011110011001031214150716

グループ化して読み取る

F = C′ + AB′

リテラルを数える

L = 3

答え

L = 3
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 3

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

主項

1 と X からつくれる最大のグループ。

BD′, A′C′D′, ACD′, A′BC′, AB′C
ABCD000111100001111010010302X415071611201301511408X9X11110

必須主項

BD′, A′C′D′, A′BC′
N = 3

答え

N = 3

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