電子回路 I:直前対策パック

公式集、全トピックの解法の要点、14 問の演習問題。完全な解答は巻末にあります。

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1公式と解法

ダイオードとトランジスタ

ダイオード(定電圧降下モデル)
VD = 0.7 V when conducting
活性領域
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
固定バイアス
IB = (VCC − 0.7)/RB
分圧バイアス
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
分圧回路のテブナン等価回路
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
コレクタ側の閉路
VCE = VCC − ICRC − IERE
飽和
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

オペアンプ回路

反転増幅器
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
非反転増幅器
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
加算増幅器
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
理想オペアンプ
V+ = V−, Iin = 0

RC・RL 過渡現象

時定数
τ = RC | τ = L/R
応答
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
直流でのコンデンサ
開放;vC は急変しない
直流でのインダクタ
短絡;iL は急変しない
定常値
t ≈ 5τ

解き方

  1. 切り替え直後の初期値を求めます:コンデンサの電圧とインダクタの電流は急に変化できません。
  2. 切り替えから十分時間がたったあとの最終値を求めます:コンデンサは開放、インダクタは短絡として扱えます。
  3. 時定数を求めます:τ = RC または τ = L/R。抵抗はコンデンサまたはインダクタから見た抵抗を使います。
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ を使います。

抵抗の直列・並列

抵抗の直列接続
Req = R1 + R2 + …
抵抗の並列接続
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
2 つの並列接続
Req = R1R2 / (R1 + R2)
オームの法則
V = I·R
電力
P = V·I = I²R = V²/R

解き方

  1. 端子からいちばん遠い回路網の端から始めます。
  2. 直列の抵抗は足し合わせ、並列の抵抗は 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … でまとめます。
  3. 1 ステップごとに回路を描き直します。
  4. 端子間に抵抗が 1 つだけ残るまで繰り返します。

DC-DC コンバータ

降圧形
Vo = D·Vin
昇圧形
Vo = Vin/(1 − D)
反転形昇降圧
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
理想的な電力の釣り合い
VinIin = VoIo
インダクタのリプル
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
インダクタ電流の平均値
降圧形 Io;昇圧形と昇降圧形 Io/(1 − D)
出力リプル
降圧形 ΔIL/(8fC);昇圧形と昇降圧形 Io·D/(fC)
CCM の境界
降圧形 (1 − D)R/(2f);昇圧形 D(1 − D)²R/(2f);昇降圧形 (1 − D)²R/(2f)

解き方

  1. 電圧比から、コンバータの種類(降圧、昇圧、昇降圧)とデューティ比 D を判断します。
  2. インダクタのボルト秒平衡を使いましょう:1 周期にわたるインダクタの平均電圧は 0 です。
  3. スイッチがオンの間のインダクタ電圧を求め、次に ΔIL = VL·D/(L·f) を求めます。
  4. 出力リプルでは、コンデンサに出入りする電荷を求めます。CCM の境界では、インダクタ電流の平均値を ΔIL/2 とおきます。

ホイートストンブリッジとひずみゲージ

分圧器の電圧
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
排泄量
Vab = Va − Vb
出納
R1/R2 = R3/R4
スライドワイヤブリッジ
R/Rx = l/(100 − l)
テブナン抵抗
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ゲージ率
ΔR/R = GF·ε
ブリッジの出力
1/4 ブリッジ Vs·GF·ε/4、1/2 ブリッジ Vs·GF·ε/2、フルブリッジ Vs·GF·ε
微小変化、1 辺のみ
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
応力
σ = E·ε

解き方

  1. ブリッジを、同じ電源につながれた 2 つの分圧器として扱います。
  2. 平衡では、R₁/R₂ = R₃/R₄ とおいて、未知の抵抗について解きます。
  3. 不平衡ブリッジでは、分圧器から Va と Vb を求めて差をとります。計器が出力に負荷をかけるときは、テブナン等価回路を使います。
  4. ひずみゲージでは、ひずみを ΔR/R = GF·ε に直し、1/4、1/2、フルブリッジに応じて Vs·GF·ε/4、/2、×1 を使います。

デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

基本ゲート
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
ブールの規則
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
ド・モルガンの法則
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
カルノー図の並び順
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ 個のセルのグループ
k 個の変数が消える
4 対 1 マルチプレクサ
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
フリップフロップ
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
カウンタ
n ビット:2ⁿ 状態; mod-N:2ⁿ ≥ N を満たす最小の n; fout = fclk/N
リップルカウンタ
fmax = 1/(n·tpd)
リングカウンタとジョンソンカウンタ
n 状態と 2n 状態

解き方

  1. 回路では、入力から出力へ向かってゲートを 1 つずつ進み、各配線に値を書き込むか、式を書いて真理値表を埋めましょう。
  2. 簡単化するには、1(とドントケアは X として)を、行と列がグレイコード 00, 01, 11, 10 のカルノー図に書き込みましょう。
  3. 1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる、できるだけ少なくできるだけ大きなグループで、端をまたぎながら覆いましょう。各グループは、一定のままの変数からなる 1 つの積項です。POS 形には 0 をグループ化します。
  4. フリップフロップとカウンタでは、各有効クロックエッジで入力を読み取り、エッジごとの状態を書き出し、n ビットのカウンタは 2ⁿ 個の状態で折り返すことを忘れないようにしましょう。

2演習問題

1.ダイオードとトランジスタふつう
RC​ = 2.2 kΩβ = 150VCC​ = 15 VRB​ = 680 kΩ

β = 150 の NPN トランジスタが、電源 VCC = 15 V からベース抵抗 RB = 680 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は RC = 2.2 kΩ で、エミッタは接地されている。VBE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。

VCC = 15 VRB = 680 kΩRC = 2.2 kΩβ = 150VBE = 0.7 V
VCE = V
2.ダイオードとトランジスタむずかしい
RC​ = 470 Ωβ = 150VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 24 V とコレクタの間に接続された 470 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。RB を kΩ で求めよ。

VCC = 24 VRC = 470 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vオーバードライブ係数 = 5
RB = kΩ
3.オペアンプ回路ふつう
−+Vout​R2​ = 2 kΩV1​ = 2.7 VR1​ = 1 kΩV2​ = −1 VR3​ = 1 kΩR4​ = 2 kΩ

差動増幅器は ±15 V 電源の理想オペアンプを使い、R3 = R1、R4 = R2 である。 反転入力の電圧 V− を求めよ。

V1 = 2.7 VV2 = −1 VR1 = R3 = 1 kΩR2 = R4 = 2 kΩ
V− = V
4.オペアンプ回路むずかしい
−+Vout​Rf​ = 4.7 kΩV1​ = 0.4 VR1​ = 47 kΩV2​ = −0.5 VR2​ = 1 kΩ

加算増幅器は ±15 V 電源の理想オペアンプを使う。 出力電圧 Vout を求めよ。

V1 = 0.4 VV2 = −0.5 VR1 = 47 kΩR2 = 1 kΩRf = 4.7 kΩ
Vout = V
5.RC・RL 過渡現象ふつう
+−Vs​24 Vt = 0R = 20 ΩL47 mHi(t)

t = 0 でスイッチが閉じる前、コイルに電流は流れていない。 t = 5 ms でコイルに蓄えられているエネルギー W を mJ で求めよ。

Vs = 24 VR = 20 ΩL = 47 mHt = 5 ms
W = mJ
6.RC・RL 過渡現象むずかしい
+−Vs​15 Vt = 0R = 2.2 kΩC68 µF+−vC​vC​(0) = 12 V

t = 0 でスイッチが閉じる直前、コンデンサは図の極性で 12 V に充電されている。 vC が 14.4 V に達するまでの時間はいくらか。t を求めよ。

Vs = 15 VR = 2.2 kΩC = 68 µFvC(0) = 12 V
t = ms
7.抵抗の直列・並列ふつう
R1​ = 5 ΩR3​ = 6 Ω+−V1​9 VR2​5 ΩAR4​12 ΩB

電源 V1 から見た合成抵抗 Req を求めよ。

V1 = 9 VR1 = 5 ΩR2 = 5 ΩR3 = 6 ΩR4 = 12 Ω
Req = Ω
8.抵抗の直列・並列むずかしい
R1​ = 8 ΩR3​ = 6 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​18 VR2​4 ΩAR4​30 ΩBR6​5 Ω

電源 V1 から見た合成抵抗 Req を求めよ。

V1 = 18 VR1 = 8 ΩR2 = 4 ΩR3 = 6 ΩR4 = 30 ΩR5 = 12 ΩR6 = 5 Ω
Req = Ω
9.DC-DC コンバータふつう
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

理想的な反転形昇降圧コンバータが、25 kHz、L = 150 µH で 48 V を −16 V に変換します。インダクタのピーク間リプル電流 ΔIL を求めなさい。

Vin​ = 48 VVo​ = −16 Vf = 25 kHzL = 150 µH
ΔIL = A
10.DC-DC コンバータむずかしい
tvo​Vo​ΔV = ?DTT2T

降圧コンバータが 24 V を 6 V に変換し、負荷は 10 Ω、周波数は 500 kHz、L = 100 µH、C = 470 µF です。出力電圧のピーク間リプル ΔVo を mV で求めなさい。

Vin​ = 24 VVo​ = 6 Vf = 500 kHzL = 100 µHC = 470 µF
ΔVo = mV
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージふつう
+−2 V100 Ω100 Ω100 Ω100 Ωab+−

100 Ω のひずみゲージが、4 つの辺がすべて 100 Ω で励起電圧 2 V のブリッジの 1 辺(R₂)になっています。ゲージで消費される電力 Pg を mW で求めなさい。自己発熱が励起電圧を制限します。

Vs = 2 VR = 100 Ω
Pg = mW
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージむずかしい
+−5 V120 Ω − ΔR120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−Vo​ = ?

120 Ω の辺をもつブリッジに 5 V を加え、隣り合う辺にアクティブゲージ 2 枚、1 枚は引張、1 枚は圧縮(1/2 ブリッジ) とします。ゲージ率は 2.05、ひずみは 500 µε です。ブリッジの出力 Vo を mV で求めなさい。

Vs = 5 VGF = 2.05ε = 500 µε
Vo = mV
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップふつう
ABCD000111100001111010011312041507060120131150141809111010

カルノー図を使って F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 3, 5, 8, 11, 15) の最小の和積形(POS)を求めてください。和項(因数)N はいくつありますか?

F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 3, 5, 8, 11, 15)
N =
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップむずかしい
ABCD000111100001111010X1131204X5X7060121130150141809X11X10

d はドントケア条件を表します。F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 3, 8, 13) + d(1, 5, 7, 10, 11) について、必須主項の個数 N を求めてください。

F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 3, 8, 13) + d(1, 5, 7, 10, 11)
N =

3溶液

1.ダイオードとトランジスタ

答え: VCE = 8.06 V

BJT の動作点:活性領域では VBE = 0.7 V、IC = β·IB、IE = (β + 1)·IB です。ベース側の閉路に KVL を適用して IB を求め、次に IC、さらにコレクタ–エミッタ側の閉路から VCE を求めます。ベースの分圧回路はテブナン等価回路 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂)、RTH = R₁∥R₂ に置き換えます。エミッタ抵抗はベース側の閉路では (β + 1) 倍の大きさに見えます。

ベース電流

IB = (VCC − VBE)/RB = (15 − 0.7)/680 kΩ = 21.03 µA

コレクタ電流

IC = β·IB = 150·21.03 µA = 3.154 mA

コレクタ–エミッタ間電圧

VCE = 15 − 3.154 mA·2.2 kΩ = 8.06 V

答え

VCE = 8.06 V
2.ダイオードとトランジスタ

答え: RB = 2.547 kΩ

スイッチとしての BJT:負荷を完全にオンにするには、トランジスタを飽和させます。飽和では VCE = VCE(sat) となり、コレクタ電流は負荷で決まります:IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC。飽和させるには少なくとも IB = IC(sat)/β が必要です。ベース電流がこれより小さければ、トランジスタは活性領域のままで IC = β·IB です。

飽和時のコレクタ電流

IC(sat) = (24 − 0.2)/470 = 50.64 mA

最小ベース電流

IB(min) = IC(sat)/β = 50.64/150 = 337.6 µA

設計ベース電流

IB = 5·337.6 µA = 1688 µA

ベース抵抗

RB = (5 − 0.7)/IB = 4.3 V/1.688 mA = 2.547 kΩ

答え

RB = 2.547 kΩ
3.オペアンプ回路

答え: V− = −0.6667 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

入力の電圧

R₃ と R₄ には同じ電流が流れるので分圧回路をつくり、帰還により V₋ = V₊ となります。

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = −1·2/(1 + 2) = −0.6667 V
V₋ = V₊

答え

V− = −0.6667 V
4.オペアンプ回路

答え: Vout = 2.31 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

入力電流

V₋ = 0 なので、各入力抵抗には入力電圧がそのままかかります。

I1 = V1/R1 = 0.4/47 = 0.008511 mA
I2 = V2/R2 = −0.5/1 = −0.5 mA
If = I1 + I2 = −0.4915 mA

出力電圧

Vout = −Rf·If = −4.7·(−0.4915) = 2.31 V

答え

Vout = 2.31 V
5.RC・RL 過渡現象

答え: W = 26.26 mJ

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

時定数と最終電流

スイッチを閉じて十分時間がたつと、コイルは短絡と同じに振る舞うので、最終電流は R だけで決まります。

τ = L/R = 47 mH / 20 Ω = 2.35 ms
i(∞) = Vs/R = 24/20 = 1.2 A

指定時刻の電流

i(t) = 1.2·(1 − e−5/2.35) = 1.057 A

蓄積エネルギー

W = ½·L·i² = ½·47·1.057² = 26.26 mJ

答え

W = 26.26 mJ
6.RC・RL 過渡現象

答え: t = 240.8 ms

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

初期値、最終値、時定数

コンデンサの電圧は急変できないので、蓄えた値から始まり、電源電圧へ向かいます。

vC(0) = 12 V, vC(∞) = Vs = 15 V
τ = R·C = 2.2 kΩ · 68 µF = 149.6 ms
vC(t) = 15 + (12 − 15)·e−t/τ

時間について解く

14.4 = 15 + (−3)·e−t/τ → e−t/τ = (14.4 − 15)/(12 − 15) = 0.2
t = τ·ln((12 − 15)/(14.4 − 15)) = 149.6·ln(5) = 240.8 ms

答え

t = 240.8 ms
7.抵抗の直列・並列

答え: Req = 8.913 Ω

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 5 ΩR3​ = 6 Ω+−V1​9 VR2​5 ΩAR4​12 ΩB

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R3 + R4 = 6 + 12 = 18 Ω
R2 ∥ 18 = 5·18/(5+18) = 3.913 Ω
Req = R1 + 3.913 = 5 + 3.913 = 8.913 Ω

答え

Req = 8.913 Ω
8.抵抗の直列・並列

答え: Req = 11.23 Ω

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 8 ΩR3​ = 6 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​18 VR2​4 ΩAR4​30 ΩBR6​5 Ω

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R5 + R6 = 12 + 5 = 17 Ω
R4 ∥ 17 = 10.85 Ω
R3 + 10.85 = 16.85 Ω
R2 ∥ 16.85 = 3.233 Ω
Req = R1 + 3.233 = 8 + 3.233 = 11.23 Ω

答え

Req = 11.23 Ω
9.DC-DC コンバータ

答え: ΔIL = 3.2 A

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 16/(48 + 16) = 0.25

オン時間中のインダクタ電圧

S がオンの間、インダクタは Vin に直接つながれます。

VL = 48 V

リプル電流

ΔIL = VL·D/(L·f) = 48·0.25/(150·10⁻⁶·25·10³) = 3.2 A

答え

ΔIL = 3.2 A
10.DC-DC コンバータ

答え: ΔVo = 0.04787 mV

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 6/24 = 0.25

インダクタのリプル電流

ΔIL = (24 − 6)·0.25/(100·10⁻⁶·500·10³) = 0.09 A

出力リプル

ΔVo = 0.09/(8·500·10³·470·10⁻⁶) = 0.04787 mV

答え

ΔVo = 0.04787 mV
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Pg = 10 mW

ホイートストンブリッジ:2 つの分圧器が 1 つの電源 Vs を共有します。左の分圧器 R1–R2 は Va = Vs·R2/(R1 + R2) を、右の分圧器 R3–R4 は Vb = Vs·R4/(R3 + R4) を与え、出力は Vab = Va − Vb です。R1/R2 = R3/R4、すなわち R1·R4 = R2·R3 のとき、ブリッジは平衡しています(Vab = 0 で、検流計に電流が流れません)。出力端子から見ると、ブリッジは Rth = R1∥R2 + R3∥R4 のテブナン電源です。

ゲージにかかる電圧

V = 2/2 = 1 V

電力

Pg = 1²/100 = 10 mW

答え

Pg = 10 mW
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Vo = 2.563 mV

ひずみゲージ:ゲージはひずみに応じて抵抗が変わります:ΔR/R = GF·ε。ゲージ率 GF は金属箔で約 2 です。すべての辺が R に等しいブリッジで、アクティブゲージが 1 枚(1/4 ブリッジ)のとき Vo ≈ Vs·GF·ε/4 です。隣り合う辺に逆向きのひずみを受ける 2 枚のアクティブゲージ(1/2 ブリッジ)では Vs·GF·ε/2、4 枚(フルブリッジ)では Vs·GF·ε になります。応力はフックの法則 σ = E·ε から求まります。ロードセルは感度を mV/V で表します:励起電圧 1 V あたりの定格荷重での出力です。

抵抗の相対変化

ΔR/R = 2.05·500·10⁻⁶ = 0.001025

ブリッジの出力

Vo = Vs·GF·ε/2 = 5·0.001025/2 = 2.563 mV

答え

Vo = 2.563 mV
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 5

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

ABCD000111100001111010011312041507060120131150141809111010

0 をグループ化する

各グループは 2ᵏ 個のセルからなる長方形です。端のセルは、反対側の端のセルと隣り合っています。

(B′ + D)
(B + C + D′)
(A′ + C + D′)
(A′ + C′ + D)
(A + B′ + C′)

最小の POS 形

F = (B′ + D)(B + C + D′)(A′ + C + D′)(A′ + C′ + D)(A + B′ + C′)
N = 5

答え

N = 5

同じ大きさの別のグループ分けもあります。項の数もリテラルの数も同じです。

14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 2

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

主項

1 と X からつくれる最大のグループ。

B′D′, B′C, BC′D, A′D, A′B′
ABCD000111100001111010X1131204X5X7060121130150141809X11X10

必須主項

B′D′, BC′D
N = 2

答え

N = 2

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