電子回路 I:直前対策パック

公式集、全トピックの解法の要点、14 問の演習問題。完全な解答は巻末にあります。

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1公式と解法

ダイオードとトランジスタ

ダイオード(定電圧降下モデル)
VD = 0.7 V when conducting
活性領域
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
固定バイアス
IB = (VCC − 0.7)/RB
分圧バイアス
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
分圧回路のテブナン等価回路
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
コレクタ側の閉路
VCE = VCC − ICRC − IERE
飽和
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

オペアンプ回路

反転増幅器
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
非反転増幅器
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
加算増幅器
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
理想オペアンプ
V+ = V−, Iin = 0

RC・RL 過渡現象

時定数
τ = RC | τ = L/R
応答
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
直流でのコンデンサ
開放;vC は急変しない
直流でのインダクタ
短絡;iL は急変しない
定常値
t ≈ 5τ

解き方

  1. 切り替え直後の初期値を求めます:コンデンサの電圧とインダクタの電流は急に変化できません。
  2. 切り替えから十分時間がたったあとの最終値を求めます:コンデンサは開放、インダクタは短絡として扱えます。
  3. 時定数を求めます:τ = RC または τ = L/R。抵抗はコンデンサまたはインダクタから見た抵抗を使います。
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ を使います。

抵抗の直列・並列

抵抗の直列接続
Req = R1 + R2 + …
抵抗の並列接続
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
2 つの並列接続
Req = R1R2 / (R1 + R2)
オームの法則
V = I·R
電力
P = V·I = I²R = V²/R

解き方

  1. 端子からいちばん遠い回路網の端から始めます。
  2. 直列の抵抗は足し合わせ、並列の抵抗は 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … でまとめます。
  3. 1 ステップごとに回路を描き直します。
  4. 端子間に抵抗が 1 つだけ残るまで繰り返します。

DC-DC コンバータ

降圧形
Vo = D·Vin
昇圧形
Vo = Vin/(1 − D)
反転形昇降圧
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
理想的な電力の釣り合い
VinIin = VoIo
インダクタのリプル
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
インダクタ電流の平均値
降圧形 Io;昇圧形と昇降圧形 Io/(1 − D)
出力リプル
降圧形 ΔIL/(8fC);昇圧形と昇降圧形 Io·D/(fC)
CCM の境界
降圧形 (1 − D)R/(2f);昇圧形 D(1 − D)²R/(2f);昇降圧形 (1 − D)²R/(2f)

解き方

  1. 電圧比から、コンバータの種類(降圧、昇圧、昇降圧)とデューティ比 D を判断します。
  2. インダクタのボルト秒平衡を使いましょう:1 周期にわたるインダクタの平均電圧は 0 です。
  3. スイッチがオンの間のインダクタ電圧を求め、次に ΔIL = VL·D/(L·f) を求めます。
  4. 出力リプルでは、コンデンサに出入りする電荷を求めます。CCM の境界では、インダクタ電流の平均値を ΔIL/2 とおきます。

ホイートストンブリッジとひずみゲージ

分圧器の電圧
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
排泄量
Vab = Va − Vb
出納
R1/R2 = R3/R4
スライドワイヤブリッジ
R/Rx = l/(100 − l)
テブナン抵抗
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ゲージ率
ΔR/R = GF·ε
ブリッジの出力
1/4 ブリッジ Vs·GF·ε/4、1/2 ブリッジ Vs·GF·ε/2、フルブリッジ Vs·GF·ε
微小変化、1 辺のみ
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
応力
σ = E·ε

解き方

  1. ブリッジを、同じ電源につながれた 2 つの分圧器として扱います。
  2. 平衡では、R₁/R₂ = R₃/R₄ とおいて、未知の抵抗について解きます。
  3. 不平衡ブリッジでは、分圧器から Va と Vb を求めて差をとります。計器が出力に負荷をかけるときは、テブナン等価回路を使います。
  4. ひずみゲージでは、ひずみを ΔR/R = GF·ε に直し、1/4、1/2、フルブリッジに応じて Vs·GF·ε/4、/2、×1 を使います。

デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

基本ゲート
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
ブールの規則
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
ド・モルガンの法則
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
カルノー図の並び順
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ 個のセルのグループ
k 個の変数が消える
4 対 1 マルチプレクサ
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
フリップフロップ
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
カウンタ
n ビット:2ⁿ 状態; mod-N:2ⁿ ≥ N を満たす最小の n; fout = fclk/N
リップルカウンタ
fmax = 1/(n·tpd)
リングカウンタとジョンソンカウンタ
n 状態と 2n 状態

解き方

  1. 回路では、入力から出力へ向かってゲートを 1 つずつ進み、各配線に値を書き込むか、式を書いて真理値表を埋めましょう。
  2. 簡単化するには、1(とドントケアは X として)を、行と列がグレイコード 00, 01, 11, 10 のカルノー図に書き込みましょう。
  3. 1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる、できるだけ少なくできるだけ大きなグループで、端をまたぎながら覆いましょう。各グループは、一定のままの変数からなる 1 つの積項です。POS 形には 0 をグループ化します。
  4. フリップフロップとカウンタでは、各有効クロックエッジで入力を読み取り、エッジごとの状態を書き出し、n ビットのカウンタは 2ⁿ 個の状態で折り返すことを忘れないようにしましょう。

2演習問題

1.ダイオードとトランジスタふつう
RC​ = 2.7 kΩβ = 80VCC​ = 10 VRB​ = 1000 kΩ

β = 80 の NPN トランジスタが、電源 VCC = 10 V からベース抵抗 RB = 1000 kΩ でバイアスされている。コレクタ抵抗は RC = 2.7 kΩ で、エミッタは接地されている。VBE = 0.7 V とし、トランジスタは活性領域にあると仮定する。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。

VCC = 10 VRB = 1000 kΩRC = 2.7 kΩβ = 80VBE = 0.7 V
VCE = V
2.ダイオードとトランジスタむずかしい
RC​ = 1 kΩβ = 50VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

β = 50 の NPN トランジスタが、VCC = 24 V とコレクタの間に接続された 1 kΩ の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 5 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 トランジスタをちょうど飽和させることのできる最大のベース抵抗 RB を kΩ で求めよ。

VCC = 24 VRC = 1 kΩβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
3.オペアンプ回路ふつう
−+Vout​Rf​ = 100 kΩR1​ = 100 kΩVin​ = −1.4 V

オペアンプは理想的で、±15 V 電源で動作する。 出力電圧 Vout を求めよ。

Vin = −1.4 VR1 = 100 kΩRf = 100 kΩ
Vout = V
4.オペアンプ回路むずかしい
−+Vout​Rf​ = 22 kΩV1​ = 1 VR1​ = 4.7 kΩV2​ = 0.9 VR2​ = 100 kΩ

加算増幅器は ±15 V 電源の理想オペアンプを使う。 出力電圧 Vout を求めよ。

V1 = 1 VV2 = 0.9 VR1 = 4.7 kΩR2 = 100 kΩRf = 22 kΩ
Vout = V
5.RC・RL 過渡現象ふつう
R = 15 Ωt = 0L150 mHi(t)

コイルには 3 A の定常電流が流れている。t = 0 にスイッチが R を通るループを閉じ、電源が切り離されるので、コイルの電流は R を通して減衰する。 t = 10 ms における電流 i を求めよ。

i(0) = 3 AR = 15 ΩL = 150 mHt = 10 ms
i = A
6.RC・RL 過渡現象むずかしい
+−Vs​15 Vt = 0R = ?C1 µF+−vC​

タイマーが t = 0 に、15 V の電源から抵抗を通して充電されていないコンデンサの充電を始める。コンデンサの電圧が 12 V に達したとき、開始からちょうど 50 ms 後に作動しなければならない。 C = 1 µF のとき、必要な抵抗 R を求めよ。

Vs = 15 VVth = 12 VT = 50 msC = 1 µF
R = kΩ
7.抵抗の直列・並列ふつう
R1​ = 6 ΩIR1​R3​ = 6 Ω+−V1​12 VR2​12 ΩAR4​5 ΩB

電源が供給し R1 を流れる電流 IR1 を求めよ。

V1 = 12 VR1 = 6 ΩR2 = 12 ΩR3 = 6 ΩR4 = 5 Ω
IR1 = A
8.抵抗の直列・並列むずかしい
R1​ = 12 ΩIR1​R3​ = 6 ΩR5​ = 2 Ω+−V1​5 VR2​3 ΩAR4​25 ΩBR6​15 Ω

電源が供給し R1 を流れる電流 IR1 を求めよ。

V1 = 5 VR1 = 12 ΩR2 = 3 ΩR3 = 6 ΩR4 = 25 ΩR5 = 2 ΩR6 = 15 Ω
IR1 = A
9.DC-DC コンバータふつう
tiL​Imax​ = ?Imin​Io​DTT2T

降圧コンバータが 24 V を 9.6 V に変換し、負荷は 5 Ω です。スイッチング周波数は 100 kHz、L = 47 µH です。インダクタ電流のピーク値 Imax を求めなさい。

Vin​ = 24 VVo​ = 9.6 Vf = 100 kHzL = 47 µHR = 5 Ω
Imax = A
10.DC-DC コンバータむずかしい
tiL​Imax​IL​DTT2T

理想的な 降圧形 コンバータが、100 kHz で 36 V を 21.6 V に変換し、負荷は 25 Ω です。連続導通となる最小のインダクタンス Lcrit を求めなさい。

Vin​ = 36 VVo​ = 21.6 Vf = 100 kHzR = 25 Ω
Lcrit = µH
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージふつう
+−10 VR1​ = 50 ΩR2​ = 400 ΩR3​ = 800 ΩR4​ = 200 ΩabGRg​ = 100 Ω

抵抗 100 Ω の検流計が、図のブリッジの a と b の間につながれています(Vs = 10 V)。a から b へ流れる検流計電流 Ig を µA で求めなさい。

Vs = 10 VR1 = 50 ΩR2 = 400 ΩR3 = 800 ΩR4 = 200 ΩRg = 100 Ω
Ig = µA
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージむずかしい
+−5 V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−Vo​

1/4 ブリッジ(アクティブゲージ 1 枚、GF = 2.12)に 5 V を加えます。測定する最大のひずみは 1500 µε で、そのときアナログ–デジタル変換器の入力で 3.3 V にしなければなりません。増幅器のゲイン G を求めなさい。

Vs = 5 VGF = 2.12εmax = 1500 µεVFS = 3.3 V
G =
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップふつう
ABCD000111100001111010110312140507160121131151141809011010

カルノー図を使って F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 2, 4, 6, 8, 13, 14, 15) の最小の和積形(POS)を求めてください。和項(因数)N はいくつありますか?

F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 2, 4, 6, 8, 13, 14, 15)
N =
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップむずかしい
ABCD0001111000011110000113121415X716012113015014X809X11010

d はドントケア条件を表します。F(A, B, C, D) = Σm(2, 3, 4, 5, 6, 13) + d(7, 8, 11) の最小の SOP 形を求めてください。積項 N はいくつありますか?

F(A, B, C, D) = Σm(2, 3, 4, 5, 6, 13) + d(7, 8, 11)
N =

3溶液

1.ダイオードとトランジスタ

答え: VCE = 7.991 V

BJT の動作点:活性領域では VBE = 0.7 V、IC = β·IB、IE = (β + 1)·IB です。ベース側の閉路に KVL を適用して IB を求め、次に IC、さらにコレクタ–エミッタ側の閉路から VCE を求めます。ベースの分圧回路はテブナン等価回路 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂)、RTH = R₁∥R₂ に置き換えます。エミッタ抵抗はベース側の閉路では (β + 1) 倍の大きさに見えます。

ベース電流

IB = (VCC − VBE)/RB = (10 − 0.7)/1000 kΩ = 9.3 µA

コレクタ電流

IC = β·IB = 80·9.3 µA = 0.744 mA

コレクタ–エミッタ間電圧

VCE = 10 − 0.744 mA·2.7 kΩ = 7.991 V

答え

VCE = 7.991 V
2.ダイオードとトランジスタ

答え: RB = 9.034 kΩ

スイッチとしての BJT:負荷を完全にオンにするには、トランジスタを飽和させます。飽和では VCE = VCE(sat) となり、コレクタ電流は負荷で決まります:IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC。飽和させるには少なくとも IB = IC(sat)/β が必要です。ベース電流がこれより小さければ、トランジスタは活性領域のままで IC = β·IB です。

飽和時のコレクタ電流

IC(sat) = (24 − 0.2)/1000 = 23.8 mA

最小ベース電流

IB(min) = IC(sat)/β = 23.8/50 = 476 µA

ベース抵抗

RB = (5 − 0.7)/IB = 4.3 V/0.476 mA = 9.034 kΩ

答え

RB = 9.034 kΩ

これより小さいベース抵抗でもトランジスタは飽和します。実際には数分の 1 の値を選びます。

3.オペアンプ回路

答え: Vout = −2.8 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

反転入力が入力に追従する

V₋ = V₊ = −1.4 V
I = V₋/R1 = −1.4/100 = −0.014 mA

出力電圧

R₁ の電流は Rf も流れます。

Vout = V₋ + I·Rf = −1.4 + (−0.014)·100 = −2.8 V

答え

Vout = −2.8 V
4.オペアンプ回路

答え: Vout = −4.879 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

入力電流

V₋ = 0 なので、各入力抵抗には入力電圧がそのままかかります。

I1 = V1/R1 = 1/4.7 = 0.2128 mA
I2 = V2/R2 = 0.9/100 = 0.009 mA
If = I1 + I2 = 0.2218 mA

出力電圧

Vout = −Rf·If = −22·0.2218 = −4.879 V

答え

Vout = −4.879 V
5.RC・RL 過渡現象

答え: i = 1.104 A

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

時定数

τ = L/R = 150 mH / 15 Ω = 10 ms

電流の減衰

i(t) = 3·e−10/10 = 1.104 A

答え

i = 1.104 A
6.RC・RL 過渡現象

答え: R = 31.07 kΩ

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

必要な時定数

12 = 15·(1 − e−50/τ) → τ = 50/ln(15/(15 − 12))
τ = 50/1.609 = 31.07 ms

抵抗

kΩ × µF でミリ秒になります。

R = τ/C = 31.07/1 = 31.07 kΩ

答え

R = 31.07 kΩ
7.抵抗の直列・並列

答え: IR1 = 1.022 A

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 6 ΩR3​ = 6 Ω+−V1​12 VR2​12 ΩAR4​5 ΩB

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R3 + R4 = 6 + 5 = 11 Ω
R2 ∥ 11 = 12·11/(12+11) = 5.739 Ω
Req = R1 + 5.739 = 6 + 5.739 = 11.74 Ω

電源からの電流

電源から見えるのは Req だけなので、オームの法則で電源の電流が求まります。この電流は R₁ を流れます。

IR1 = V1/Req = 12/11.74 = 1.022 A

答え

IR1 = 1.022 A
8.抵抗の直列・並列

答え: IR1 = 0.3441 A

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 12 ΩR3​ = 6 ΩR5​ = 2 Ω+−V1​5 VR2​3 ΩAR4​25 ΩBR6​15 Ω

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R5 + R6 = 2 + 15 = 17 Ω
R4 ∥ 17 = 10.12 Ω
R3 + 10.12 = 16.12 Ω
R2 ∥ 16.12 = 2.529 Ω
Req = R1 + 2.529 = 12 + 2.529 = 14.53 Ω

電源からの電流

電源から見えるのは Req だけなので、オームの法則で電源の電流が求まります。この電流は R₁ を流れます。

IR1 = V1/Req = 5/14.53 = 0.3441 A

答え

IR1 = 0.3441 A
9.DC-DC コンバータ

答え: Imax = 2.533 A

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 9.6/24 = 0.4

平均電流とリプル電流

Io = 9.6/5 = 1.92 A
ΔIL = VL·D/(L·f) = 14.4·0.4/(47·10⁻⁶·100·10³) = 1.226 A

ピーク電流

Imax = 1.92 + 1.226/2 = 2.533 A

答え

Imax = 2.533 A
10.DC-DC コンバータ

答え: Lcrit = 50 µH

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 21.6/36 = 0.6

境界条件

インダクタ電流の平均値をリプル電流の半分とおき、L について解きます。

Lcrit = (1 − D)·R/(2f)

臨界インダクタンス

Lcrit = (1 − 0.6)·25/(2100·10³) = 50 µH

答え

Lcrit = 50 µH
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Ig = 22628 µA

ホイートストンブリッジ:2 つの分圧器が 1 つの電源 Vs を共有します。左の分圧器 R1–R2 は Va = Vs·R2/(R1 + R2) を、右の分圧器 R3–R4 は Vb = Vs·R4/(R3 + R4) を与え、出力は Vab = Va − Vb です。R1/R2 = R3/R4、すなわち R1·R4 = R2·R3 のとき、ブリッジは平衡しています(Vab = 0 で、検流計に電流が流れません)。出力端子から見ると、ブリッジは Rth = R1∥R2 + R3∥R4 のテブナン電源です。

テブナン電圧

Vth = 10·(400/450 − 200/1000) = 6.889 V

テブナン抵抗

Rth = R₁∥R₂ + R₃∥R₄ = 204.4 Ω

検流計電流

Ig = 6.889/(204.4 + 100) = 22628 µA

答え

Ig = 22628 µA
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: G = 830.2

ひずみゲージ:ゲージはひずみに応じて抵抗が変わります:ΔR/R = GF·ε。ゲージ率 GF は金属箔で約 2 です。すべての辺が R に等しいブリッジで、アクティブゲージが 1 枚(1/4 ブリッジ)のとき Vo ≈ Vs·GF·ε/4 です。隣り合う辺に逆向きのひずみを受ける 2 枚のアクティブゲージ(1/2 ブリッジ)では Vs·GF·ε/2、4 枚(フルブリッジ)では Vs·GF·ε になります。応力はフックの法則 σ = E·ε から求まります。ロードセルは感度を mV/V で表します:励起電圧 1 V あたりの定格荷重での出力です。

フルスケールでのブリッジ出力

Vo = 3.975 mV

利得

G = 3.3/0.003975 = 830.2

答え

G = 830.2
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 5

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

ABCD000111100001111010110312140507160121131151141809011010

0 をグループ化する

各グループは 2ᵏ 個のセルからなる長方形です。端のセルは、反対側の端のセルと隣り合っています。

(B + C′ + D′)
(A + B′ + D′)
(A′ + B + D′)
(A′ + B + C′)
(A′ + B′ + C + D)

最小の POS 形

F = (B + C′ + D′)(A + B′ + D′)(A′ + B + D′)(A′ + B + C′)(A′ + B′ + C + D)
N = 5

答え

N = 5

同じ大きさの別のグループ分けもあります。項の数もリテラルの数も同じです。

14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 3

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

主項

1 と X からつくれる最大のグループ。

B′CD, BC′D, A′C, A′B
ABCD0001111000011110000113121415X716012113015014X809X11010

最小被覆

F = BC′D + A′C + A′B
N = 3

答え

N = 3

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