電子回路 I:直前対策パック

公式集、全トピックの解法の要点、14 問の演習問題。完全な解答は巻末にあります。

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1公式と解法

ダイオードとトランジスタ

ダイオード(定電圧降下モデル)
VD = 0.7 V when conducting
活性領域
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
固定バイアス
IB = (VCC − 0.7)/RB
分圧バイアス
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
分圧回路のテブナン等価回路
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
コレクタ側の閉路
VCE = VCC − ICRC − IERE
飽和
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

オペアンプ回路

反転増幅器
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
非反転増幅器
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
加算増幅器
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
理想オペアンプ
V+ = V−, Iin = 0

RC・RL 過渡現象

時定数
τ = RC | τ = L/R
応答
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
直流でのコンデンサ
開放;vC は急変しない
直流でのインダクタ
短絡;iL は急変しない
定常値
t ≈ 5τ

解き方

  1. 切り替え直後の初期値を求めます:コンデンサの電圧とインダクタの電流は急に変化できません。
  2. 切り替えから十分時間がたったあとの最終値を求めます:コンデンサは開放、インダクタは短絡として扱えます。
  3. 時定数を求めます:τ = RC または τ = L/R。抵抗はコンデンサまたはインダクタから見た抵抗を使います。
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ を使います。

抵抗の直列・並列

抵抗の直列接続
Req = R1 + R2 + …
抵抗の並列接続
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
2 つの並列接続
Req = R1R2 / (R1 + R2)
オームの法則
V = I·R
電力
P = V·I = I²R = V²/R

解き方

  1. 端子からいちばん遠い回路網の端から始めます。
  2. 直列の抵抗は足し合わせ、並列の抵抗は 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … でまとめます。
  3. 1 ステップごとに回路を描き直します。
  4. 端子間に抵抗が 1 つだけ残るまで繰り返します。

DC-DC コンバータ

降圧形
Vo = D·Vin
昇圧形
Vo = Vin/(1 − D)
反転形昇降圧
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
理想的な電力の釣り合い
VinIin = VoIo
インダクタのリプル
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
インダクタ電流の平均値
降圧形 Io;昇圧形と昇降圧形 Io/(1 − D)
出力リプル
降圧形 ΔIL/(8fC);昇圧形と昇降圧形 Io·D/(fC)
CCM の境界
降圧形 (1 − D)R/(2f);昇圧形 D(1 − D)²R/(2f);昇降圧形 (1 − D)²R/(2f)

解き方

  1. 電圧比から、コンバータの種類(降圧、昇圧、昇降圧)とデューティ比 D を判断します。
  2. インダクタのボルト秒平衡を使いましょう:1 周期にわたるインダクタの平均電圧は 0 です。
  3. スイッチがオンの間のインダクタ電圧を求め、次に ΔIL = VL·D/(L·f) を求めます。
  4. 出力リプルでは、コンデンサに出入りする電荷を求めます。CCM の境界では、インダクタ電流の平均値を ΔIL/2 とおきます。

ホイートストンブリッジとひずみゲージ

分圧器の電圧
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
排泄量
Vab = Va − Vb
出納
R1/R2 = R3/R4
スライドワイヤブリッジ
R/Rx = l/(100 − l)
テブナン抵抗
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ゲージ率
ΔR/R = GF·ε
ブリッジの出力
1/4 ブリッジ Vs·GF·ε/4、1/2 ブリッジ Vs·GF·ε/2、フルブリッジ Vs·GF·ε
微小変化、1 辺のみ
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
応力
σ = E·ε

解き方

  1. ブリッジを、同じ電源につながれた 2 つの分圧器として扱います。
  2. 平衡では、R₁/R₂ = R₃/R₄ とおいて、未知の抵抗について解きます。
  3. 不平衡ブリッジでは、分圧器から Va と Vb を求めて差をとります。計器が出力に負荷をかけるときは、テブナン等価回路を使います。
  4. ひずみゲージでは、ひずみを ΔR/R = GF·ε に直し、1/4、1/2、フルブリッジに応じて Vs·GF·ε/4、/2、×1 を使います。

デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

基本ゲート
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
ブールの規則
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
ド・モルガンの法則
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
カルノー図の並び順
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ 個のセルのグループ
k 個の変数が消える
4 対 1 マルチプレクサ
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
フリップフロップ
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
カウンタ
n ビット:2ⁿ 状態; mod-N:2ⁿ ≥ N を満たす最小の n; fout = fclk/N
リップルカウンタ
fmax = 1/(n·tpd)
リングカウンタとジョンソンカウンタ
n 状態と 2n 状態

解き方

  1. 回路では、入力から出力へ向かってゲートを 1 つずつ進み、各配線に値を書き込むか、式を書いて真理値表を埋めましょう。
  2. 簡単化するには、1(とドントケアは X として)を、行と列がグレイコード 00, 01, 11, 10 のカルノー図に書き込みましょう。
  3. 1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる、できるだけ少なくできるだけ大きなグループで、端をまたぎながら覆いましょう。各グループは、一定のままの変数からなる 1 つの積項です。POS 形には 0 をグループ化します。
  4. フリップフロップとカウンタでは、各有効クロックエッジで入力を読み取り、エッジごとの状態を書き出し、n ビットのカウンタは 2ⁿ 個の状態で折り返すことを忘れないようにしましょう。

2演習問題

1.ダイオードとトランジスタふつう
RC​ = 2.7 kΩβ = 200RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 20 VR1​ = 68 kΩR2​ = 12 kΩ

β = 200 の NPN トランジスタが、VCC = 20 V から分圧バイアスされている:VCC とベースの間に R₁ = 68 kΩ、ベースと接地の間に R₂ = 12 kΩ。コレクタ抵抗は RC = 2.7 kΩ、エミッタ抵抗は RE = 2.2 kΩ である。VBE = 0.7 V とし、分圧回路のテブナン等価回路を用いよ(ベース電流は無視しない)。 コレクタ–エミッタ間電圧 VCE を求めよ。

VCC = 20 VR1 = 68 kΩR2 = 12 kΩRC = 2.7 kΩRE = 2.2 kΩβ = 200
VCE = V
2.ダイオードとトランジスタむずかしい
RC​ = 100 Ωβ = 150VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

β = 150 の NPN トランジスタが、VCC = 5 V とコレクタの間に接続された 100 Ω の負荷抵抗をスイッチングする。エミッタは接地されている。ベースは 3.3 V のロジック出力からベース抵抗 RB を通して駆動される。VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V とする。 確実にスイッチングさせるため、ベース電流を飽和に必要な最小値の 5 倍に設計する。RB を kΩ で求めよ。

VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vオーバードライブ係数 = 5
RB = kΩ
3.オペアンプ回路ふつう
−+Vout​Rf​ = 100 kΩVin​R1​ = 22 kΩ

オペアンプは理想的で、±15 V 電源で動作する。出力は ±13 V で飽和する。 反転増幅器を正弦波で駆動する。出力がクリップしない最大の入力振幅 Vin,max(最大値)を求めよ。

R1 = 22 kΩRf = 100 kΩVsat = ±13 V
Vin,max = V
4.オペアンプ回路むずかしい
−+Vout​C = 2.2 µFVin​ = −0.8 VR = 47 kΩ

積分器は ±15 V 電源の理想オペアンプを使い、出力は ±12 V で飽和する。t = 0 に一定の入力 Vin = −0.8 V が加えられたとき、コンデンサは充電されていない。 t = 500 ms での出力電圧 Vout を求めよ。

Vin = −0.8 VR = 47 kΩC = 2.2 µFVsat = ±12 Vt = 500 ms
Vout = V
5.RC・RL 過渡現象ふつう
+−Vs​24 Vt = 0R = 5 ΩL220 mHi(t)

t = 0 でスイッチが閉じる前、コイルに電流は流れていない。 t = 30 ms でコイルに蓄えられているエネルギー W を mJ で求めよ。

Vs = 24 VR = 5 ΩL = 220 mHt = 30 ms
W = mJ
6.RC・RL 過渡現象むずかしい
+−Vs​10 Vt = 0R = 1 kΩC22 µF+−vC​vC​(0) = 12 V

t = 0 でスイッチが閉じる直前、コンデンサは図の極性で 12 V に充電されている。 vC が 11.2 V に達するまでの時間はいくらか。t を求めよ。

Vs = 10 VR = 1 kΩC = 22 µFvC(0) = 12 V
t = ms
7.抵抗の直列・並列ふつう
R1​ = 4 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​12 VR2​2 ΩAR4​4 ΩB

電源 V1 から見た合成抵抗 Req を求めよ。

V1 = 12 VR1 = 4 ΩR2 = 2 ΩR3 = 5 ΩR4 = 4 Ω
Req = Ω
8.抵抗の直列・並列むずかしい
R1​ = 25 ΩR3​ = 8 ΩR5​ = 20 Ω+−V1​15 VR2​6 ΩAR4​15 ΩBR6​25 Ω

電源 V1 から見た合成抵抗 Req を求めよ。

V1 = 15 VR1 = 25 ΩR2 = 6 ΩR3 = 8 ΩR4 = 15 ΩR5 = 20 ΩR6 = 25 Ω
Req = Ω
9.DC-DC コンバータふつう
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

理想的な 昇圧形 コンバータが、20 kHz、L = 150 µH で 12 V を 24 V に変換します。インダクタのピーク間リプル電流 ΔIL を求めなさい。

Vin​ = 12 VVo​ = 24 Vf = 20 kHzL = 150 µH
ΔIL = A
10.DC-DC コンバータむずかしい
+−15 VLSC = 22 µFR = 5 Ω+−30 V

理想的な 昇圧形 コンバータが、50 kHz で 15 V を 30 V に変換し、負荷は 5 Ω です。出力コンデンサは 22 µF です。出力電圧のピーク間リプル ΔVo を mV で求めなさい。

Vin​ = 15 VVo​ = 30 Vf = 50 kHzC = 22 µFR = 5 Ω
ΔVo = mV
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージふつう
+−12 V100 Ω100 Ω + ΔR100 Ω100 Ωab+−Vab​ = ?

4 つの辺がすべて 100 Ω のブリッジで、Vs = 12 V です。センサ R₂ が ΔR = 0.25 Ω だけ増加します。微小変化の近似を使って、出力 Vab を mV で求めなさい。

Vs = 12 VR = 100 ΩΔR = 0.25 Ω
Vab = mV
12.ホイートストンブリッジとひずみゲージむずかしい
+−2.5 V120 Ω − ΔR120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−Vo​ = ?

120 Ω の辺をもつブリッジに 2.5 V を加え、隣り合う辺にアクティブゲージ 2 枚、1 枚は引張、1 枚は圧縮(1/2 ブリッジ) とします。ゲージ率は 2.05、ひずみは 1000 µε です。ブリッジの出力 Vo を mV で求めなさい。

Vs = 2.5 VGF = 2.05ε = 1000 µε
Vo = mV
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップふつう
MUX1I0​1I1​0I2​1I3​ABS1​S0​F

4 対 1 マルチプレクサの選択入力が S₁ = A、S₀ = B で、データ入力は I₀ = 1、I₁ = 1、I₂ = 0、I₃ = 1 につながれています。A, B, C の 8 通りの組み合わせのうち、出力 F = 1 になるのはいくつですか? N を求めてください。

I₀ = 1I₁ = 1I₂ = 0I₃ = 1
N =
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップむずかしい
ABCD000111100001111010110302X415X706112113015X140809011010

d はドントケア条件を表します。F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 5, 12, 13) + d(4, 7, 14) の最小の SOP 形を求めてください。積項 N はいくつありますか?

F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 5, 12, 13) + d(4, 7, 14)
N =

3溶液

1.ダイオードとトランジスタ

答え: VCE = 15.01 V

BJT の動作点:活性領域では VBE = 0.7 V、IC = β·IB、IE = (β + 1)·IB です。ベース側の閉路に KVL を適用して IB を求め、次に IC、さらにコレクタ–エミッタ側の閉路から VCE を求めます。ベースの分圧回路はテブナン等価回路 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂)、RTH = R₁∥R₂ に置き換えます。エミッタ抵抗はベース側の閉路では (β + 1) 倍の大きさに見えます。

分圧回路のテブナン等価回路

VTH = 20·12/(68 + 12) = 3 V
RTH = 68·12/(68 + 12) = 10.2 kΩ

ベース電流

ベース側の閉路の KVL。エミッタ電流は (β + 1)·IB です。

IB = (3 − 0.7)/(10.2 + 201·2.2) = 5.084 µA

コレクタ電流

IC = 200·5.084 µA = 1.017 mA
IE = 201·5.084 µA = 1.022 mA

コレクタ–エミッタ間電圧

VCE = 20 − 1.017·2.7 − 1.022·2.2 = 15.01 V

答え

VCE = 15.01 V
2.ダイオードとトランジスタ

答え: RB = 1.625 kΩ

スイッチとしての BJT:負荷を完全にオンにするには、トランジスタを飽和させます。飽和では VCE = VCE(sat) となり、コレクタ電流は負荷で決まります:IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC。飽和させるには少なくとも IB = IC(sat)/β が必要です。ベース電流がこれより小さければ、トランジスタは活性領域のままで IC = β·IB です。

飽和時のコレクタ電流

IC(sat) = (5 − 0.2)/100 = 48 mA

最小ベース電流

IB(min) = IC(sat)/β = 48/150 = 320 µA

設計ベース電流

IB = 5·320 µA = 1600 µA

ベース抵抗

RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/1.6 mA = 1.625 kΩ

答え

RB = 1.625 kΩ
3.オペアンプ回路

答え: Vin,max = 2.86 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

利得

|Av| = Rf/R1 = 100/22 = 4.545

クリップ前の最大入力

Vin,max = Vsat/|Av| = 13/4.545 = 2.86 V

答え

Vin,max = 2.86 V
4.オペアンプ回路

答え: Vout = 3.868 V

理想オペアンプの規則:負帰還があるとき、オペアンプは 2 つの入力が同じ電圧 (V₋ = V₊) になるよう出力を調整し、どちらの入力にも電流は流れ込みません。この 2 つを使って反転入力で KCL を立てると出力が求まります。

入力電流と変化率

kΩ × µF でミリ秒になります。

RC = 47 kΩ · 2.2 µF = 103.4 ms
変化率 = −Vin/(RC) = −(−0.8)/103.4 = 0.007737 V/ms

与えられた時刻での出力

理想的な値は ±Vsat の内にあるので、積分器はまだクリップしていません。

Vout = −Vin·t/(RC) = −(−0.8)·500/103.4 = 3.868 V

答え

Vout = 3.868 V
5.RC・RL 過渡現象

答え: W = 619.2 mJ

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

時定数と最終電流

スイッチを閉じて十分時間がたつと、コイルは短絡と同じに振る舞うので、最終電流は R だけで決まります。

τ = L/R = 220 mH / 5 Ω = 44 ms
i(∞) = Vs/R = 24/5 = 4.8 A

指定時刻の電流

i(t) = 4.8·(1 − e−30/44) = 2.373 A

蓄積エネルギー

W = ½·L·i² = ½·220·2.373² = 619.2 mJ

答え

W = 619.2 mJ
6.RC・RL 過渡現象

答え: t = 11.24 ms

1 次の過渡現象:コンデンサまたはコイルを 1 つ含む回路では、すべての電圧・電流が初期値から最終値へ指数関数的に変化します:x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ、τ = RC または τ = L/R。約 5τ で回路は定常状態になります。

初期値、最終値、時定数

コンデンサの電圧は急変できないので、蓄えた値から始まり、電源電圧へ向かいます。

vC(0) = 12 V, vC(∞) = Vs = 10 V
τ = R·C = 1 kΩ · 22 µF = 22 ms
vC(t) = 10 + (12 − 10)·e−t/τ

時間について解く

11.2 = 10 + (2)·e−t/τ → e−t/τ = (11.2 − 10)/(12 − 10) = 0.6
t = τ·ln((12 − 10)/(11.2 − 10)) = 22·ln(1.667) = 11.24 ms

答え

t = 11.24 ms
7.抵抗の直列・並列

答え: Req = 5.636 Ω

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 4 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​12 VR2​2 ΩAR4​4 ΩB

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R3 + R4 = 5 + 4 = 9 Ω
R2 ∥ 9 = 2·9/(2+9) = 1.636 Ω
Req = R1 + 1.636 = 4 + 1.636 = 5.636 Ω

答え

Req = 5.636 Ω
8.抵抗の直列・並列

答え: Req = 29.57 Ω

直列と並列の抵抗:直列では各抵抗に同じ電流が流れ、R = R₁ + R₂ + …。並列では各抵抗に同じ電圧がかかり、1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …。はしご形回路は 1 組ずつまとめ、1 つの合成抵抗になるまで続けます。

R1​ = 25 ΩR3​ = 8 ΩR5​ = 20 Ω+−V1​15 VR2​6 ΩAR4​15 ΩBR6​25 Ω

遠い端から抵抗をまとめる

電源から最も遠い端から始め、電源に向かって戻ります。同じ電流が流れる抵抗は直列、同じ 2 つの節点の間にある抵抗は並列です。

R5 + R6 = 20 + 25 = 45 Ω
R4 ∥ 45 = 11.25 Ω
R3 + 11.25 = 19.25 Ω
R2 ∥ 19.25 = 4.574 Ω
Req = R1 + 4.574 = 25 + 4.574 = 29.57 Ω

答え

Req = 29.57 Ω
9.DC-DC コンバータ

答え: ΔIL = 2 A

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 1 − 12/24 = 0.5

オン時間中のインダクタ電圧

S がオンの間、インダクタは Vin に直接つながれます。

VL = 12 V

リプル電流

ΔIL = VL·D/(L·f) = 12·0.5/(150·10⁻⁶·20·10³) = 2 A

答え

ΔIL = 2 A
10.DC-DC コンバータ

答え: ΔVo = 2727 mV

DC-DC コンバータ:スイッチ S は、各周期 T = 1/f のうち割合 D だけオンになります。定常状態ではインダクタの平均電圧は 0 になり(ボルト秒平衡)、連続導通モードでの理想的な変換比が得られます:降圧形 Vo = D·Vin、昇圧形 Vo = Vin/(1 − D)、反転形昇降圧 |Vo| = Vin·D/(1 − D)。理想的なコンバータでは電力が保存されます:Vin·Iin = Vo·Io。S がオンの間、インダクタ電流は ΔIL = VL·D·T/L だけ増加します。VL は、降圧形では Vin − Vo、昇圧形と昇降圧形では Vin です。出力リプルは、降圧形では ΔVo = ΔIL/(8fC)、昇圧形と昇降圧形では Io·D/(fC) です。インダクタ電流がちょうど 0 に触れる(CCM の境界)のは、インダクタの平均電流が ΔIL/2 に等しいときです。

デューティ比

D = 1 − 15/30 = 0.5

負荷電流

Io = 30/5 = 6 A

出力リプル

ΔVo = 6·0.5/(50·10³·22·10⁻⁶) = 2727 mV

答え

ΔVo = 2727 mV
11.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Vab = 7.5 mV

ホイートストンブリッジ:2 つの分圧器が 1 つの電源 Vs を共有します。左の分圧器 R1–R2 は Va = Vs·R2/(R1 + R2) を、右の分圧器 R3–R4 は Vb = Vs·R4/(R3 + R4) を与え、出力は Vab = Va − Vb です。R1/R2 = R3/R4、すなわち R1·R4 = R2·R3 のとき、ブリッジは平衡しています(Vab = 0 で、検流計に電流が流れません)。出力端子から見ると、ブリッジは Rth = R1∥R2 + R3∥R4 のテブナン電源です。

相対変化

ΔR/R = 0.25/100 = 0.0025

線形化した出力

Vab ≈ 12·0.0025/4 = 7.5 mV

答え

Vab = 7.5 mV

厳密な値は 7.491 mV です。ΔR/R が小さいうちは、近似はよく合います。

12.ホイートストンブリッジとひずみゲージ

答え: Vo = 2.563 mV

ひずみゲージ:ゲージはひずみに応じて抵抗が変わります:ΔR/R = GF·ε。ゲージ率 GF は金属箔で約 2 です。すべての辺が R に等しいブリッジで、アクティブゲージが 1 枚(1/4 ブリッジ)のとき Vo ≈ Vs·GF·ε/4 です。隣り合う辺に逆向きのひずみを受ける 2 枚のアクティブゲージ(1/2 ブリッジ)では Vs·GF·ε/2、4 枚(フルブリッジ)では Vs·GF·ε になります。応力はフックの法則 σ = E·ε から求まります。ロードセルは感度を mV/V で表します:励起電圧 1 V あたりの定格荷重での出力です。

抵抗の相対変化

ΔR/R = 2.05·1000·10⁻⁶ = 0.00205

ブリッジの出力

Vo = Vs·GF·ε/2 = 2.5·0.00205/2 = 2.563 mV

答え

Vo = 2.563 mV
13.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 6

マルチプレクサ:2ⁿ 対 1 のマルチプレクサは、データ入力の 1 つを出力に通します。選択線を 2 進数として読んだ値が、どれを通すかを決めます。選択線 S₁S₀ = AB の 4 対 1 MUX では、F = A′B′·I₀ + A′B·I₁ + AB′·I₂ + AB·I₃ です。データ入力を 0, 1, C, C′ につなぐと、MUX は A, B, C の任意の関数を出力でき、1 つのチップで論理をつくる一般的な方法です。

出力の式

F = A′B′ + A′B + AB

F = 1 の行

ABC = 000, 001, 010, 011, 110, 111
N = 6

答え

N = 6
14.デジタル論理:ゲート・カルノー図・フリップフロップ

答え: N = 2

カルノー図:セルはグレイコード(00, 01, 11, 10)の順に並んでいるので、端をまたぐものも含め、隣り合うセルはちょうど 1 つの変数だけが異なります。1 を、1, 2, 4, 8, 16 個のセルからなる長方形で、できるだけ大きく、できるだけ少ない数でグループ化し、すべての 1 を覆います。各グループは 1 つの積項で、グループの中で一定のままの変数からなります。2ᵏ 個のセルのグループでは k 個の変数が消えます。ドントケア(X)はグループを大きくするために使えますが、覆う必要はありません。代わりに 0 をグループ化すると、最小の POS 形が得られます。

主項

1 と X からつくれる最大のグループ。

BC′, A′C′, A′BD, ABD′
ABCD000111100001111010110302X415X706112113015X140809011010

最小被覆

F = BC′ + A′C′
N = 2

答え

N = 2

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