β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 470 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB = 3.3 kΩ을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 10 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.25 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2Vo = 1.25 mV
ε = µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
F = ABC + A′BC′ + AB′C′ + BC′을(를) 최소 곱의 합 형태로 간소화하시오. 간소화한 식에는 리터럴이 몇 개(L) 있는가?
F = ABC + A′BC′ + AB′C′ + BC′
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
상승 에지 트리거 D 플립플롭이 Q = 0에서 시작하여 그림의 입력을 상승 클록 에지 7번에 걸쳐 받는다. Q의 상태는 몇 번(N) 바뀌는가?
Q₀ = 0D
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: VCE = 5.76 V
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 18·15/(47 + 15) = 4.355 V
RTH = 47·15/(47 + 15) = 11.37 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (4.355 − 0.7)/(11.37 + 101·2.2) = 15.65 µA
컬렉터 전류
IC = 100·15.65 µA = 1.565 mA
IE = 101·15.65 µA = 1.58 mA
컬렉터–이미터 전압
VCE = 18 − 1.565·5.6 − 1.58·2.2 = 5.76 V
답
VCE = 5.76 V
2.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 10.21 mA
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
베이스 전류
IB = (5 − 0.7)/3.3 kΩ = 1303 µA
포화인가, 활성인가?
β·IB가 IC(sat)보다 크므로 트랜지스터는 포화됩니다.
β·IB = 104.2 mA
IC(sat) = (5 − 0.2)/470 = 10.21 mA
컬렉터 전류
IC = IC(sat) = 10.21 mA
답
IC = 10.21 mA
트랜지스터는 포화 상태입니다.
3.연산 증폭기 회로
답: Vin,max = 2.288 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
이득
Av = 1 + Rf/R1 = 1 + 22/4.7 = 5.681
잘리기 전의 최대 입력
Vin,max = Vsat/|Av| = 13/5.681 = 2.288 V
답
Vin,max = 2.288 V
4.연산 증폭기 회로
답: t = 116.7 ms
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류와 증가율
kΩ × µF는 밀리초입니다.
RC = 10 kΩ · 1 µF = 10 ms
증가율 = −Vin/(RC) = −(−1.2)/10 = 0.12 V/ms
포화까지의 시간
|Vin|·t/(RC) = Vsat → t = Vsat·RC/|Vin| = 14·10/1.2 = 116.7 ms
답
t = 116.7 ms
5.RC·RL 과도 현상
답: vC = 1.004 V
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
커패시터에서 본 테브난 등가 회로
Rth를 구하려면 전원을 단락하고, 최종 전압을 구하려면 커패시터를 개방하세요.
Rth = R1 ∥ R2 = 10·1/(10 + 1) = 0.9091 kΩ
vC(∞) = 15·1/(10 + 1) = 1.364 V
시정수
τ = Rth·C = 0.9091·33 = 30 ms
충전 곡선
vC(t) = 1.364·(1 − e−40/30) = 1.004 V
답
vC = 1.004 V
6.RC·RL 과도 현상
답: t = 47.13 ms
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 3 + 15 = 18 Ω
R2 ∥ 18 = 15·18/(15+18) = 8.182 Ω
Req = R1 + 8.182 = 8 + 8.182 = 16.18 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 9/16.18 = 0.5562 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 9 − 0.5562·8 = 4.551 V
IR2 = VA/R2 = 4.551/15 = 0.3034 A
답
IR2 = 0.3034 A
8.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 5.397 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 8 + 25 = 33 Ω
R4 ∥ 33 = 2.75 Ω
R3 + 2.75 = 10.75 Ω
R2 ∥ 10.75 = 2.345 Ω
Req = R1 + 2.345 = 2 + 2.345 = 4.345 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 30/4.345 = 6.904 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 30 − 6.904·2 = 16.19 V
IR2 = VA/R2 = 16.19/3 = 5.397 A
답
IR2 = 5.397 A
9.DC-DC 컨버터
답: ΔIL = 1.455 A
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 1 − 12/20 = 0.4
켜짐 시간 동안의 인덕터 전압
S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin에 바로 걸립니다.
VL = 12 V
리플 전류
ΔIL = VL·D/(L·f) = 12·0.4/(33·10⁻⁶·100·10³) = 1.455 A
답
ΔIL = 1.455 A
10.DC-DC 컨버터
답: C = 272.7 µF
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 6/24 = 0.25
인덕터 리플 전류
ΔIL = (24 − 6)·0.25/(330·10⁻⁶·25·10³) = 0.5455 A
정전 용량
C = 0.5455/(8·25·10³·10·10⁻³) = 272.7 µF
답
C = 272.7 µF
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Ig = −1261 µA
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
테브난 전압
Vth = 3·(60/160 − 120/240) = −0.375 V
테브난 저항
Rth = R₁∥R₂ + R₃∥R₄ = 97.5 Ω
검류계 전류
Ig = −0.375/(97.5 + 200) = −1261 µA
답
Ig = −1261 µA
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ε = 250 µε
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
1/4 브리지 방정식 풀기
ε = 4·0.00125/(10·2) = 0.00025
마이크로 스트레인 단위로
ε = 250 µε
답
ε = 250 µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 6
불 대수: 식을 간소화하는 규칙은 X + X′ = 1과 X·X′ = 0, X + X = X, 흡수 법칙 X + X·Y = X, 결합 규칙 X·Y + X·Y′ = X, X + X′Y = X + Y, 그리고 합의 정리 XY + X′Z + YZ = XY + X′Z입니다. 드모르간 법칙은 (X·Y)′를 X′ + Y′로, (X + Y)′를 X′·Y′로 바꿉니다. 카르노 맵은 이 규칙들을 그림으로 적용합니다. 이웃한 두 칸의 그룹은 모두 XY + XY′ = X를 한 번 쓴 것입니다.
식의 최소항
ABC → m(7)
A′BC′ → m(2)
AB′C′ → m(4)
BC′ → m(2, 6)
묶어서 읽기
F = BC′ + AC′ + AB
리터럴 세기
L = 6
답
L = 6
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 5
플립플롭과 카운터: 플립플롭은 클록의 활성 에지에서만 바뀝니다. D는 입력을 복사합니다(Q⁺ = D). T는 T = 1이면 토글합니다. JK는 00이면 유지, 01이면 리셋, 10이면 셋, 11이면 토글합니다. n비트 이진 카운터는 상태가 2ⁿ개이고 2ⁿ을 법으로 세며, mod-N 카운터는 0, 1, …, N − 1을 거쳐 다시 0으로 돌아가고 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n개의 플립플롭이 필요합니다. 리플 카운터는 단마다 주파수가 절반이 되므로 mod-N 카운터의 마지막 출력은 fclk/N으로 동작합니다. 플립플롭 n개의 존슨 카운터는 상태가 2n개, 링 카운터는 n개입니다.