스트레인 게이지는 변형률을 ΔR/R = GF·ε로 바꾸고, 1/4, 1/2, 풀 브리지에 대해 각각 Vs·GF·ε/4, /2, ×1을 쓰세요.
디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
기본 게이트
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
불 규칙
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
드모르간 법칙
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
카르노 맵의 순서
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ칸의 그룹
변수 k개를 잃음
4-대-1 멀티플렉서
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
플립플롭
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
카운터
n비트: 2ⁿ개 상태; mod-N: 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n; fout = fclk/N
리플 카운터
fmax = 1/(n·tpd)
링 카운터와 존슨 카운터
상태 n개와 2n개
방법
회로는 입력에서 출력까지 게이트를 하나씩 따라가며 모든 선에 값을 적거나, 식을 쓰고 진리표를 채우세요.
간소화할 때는 1(그리고 무정의항은 X)을 그레이 코드 행과 열(00, 01, 11, 10)을 가진 카르노 맵에 넣으세요.
1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 가능한 한 적고 큰 그룹으로 덮되 가장자리를 넘어 이어 보세요. 각 그룹은 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. POS 형태는 0들을 묶으세요.
플립플롭과 카운터는 활성 클록 에지마다 입력을 읽고, 에지마다 상태를 적고, n비트 카운터는 2ⁿ개 상태 뒤에 되돌아간다는 것을 기억하세요.
2연습 문제
1.다이오드와 트랜지스터보통
4 초록개의 LED(각각 순방향 전압 2.2 V)가 저항과 직렬로 12 V 전원에 연결되어 있습니다. 전류를 25 mA로 정하는 저항 R을(를) 구하시오.
Vs = 12 VVF = 2.2 Vn = 4I = 25 mA
R = Ω
2.다이오드와 트랜지스터어려움
β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 330 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
이상적인 강압 컨버터가 스위칭 주파수 250 kHz에서 24 V를 14.4 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값을 0.3 A로 유지하는 인덕턴스 L을(를) 구하시오.
Vin = 24 VVo = 14.4 Vf = 250 kHzΔIL = 0.3 A
L = µH
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 반전 벅-부스트 컨버터가 500 kHz에서 4 Ω 부하에 대해 24 V를 −8 V로 바꿉니다. 연속 전도 모드를 위한 최소 인덕턴스 Lcrit을(를) 구하시오.
Vin = 24 VVo = −8 Vf = 500 kHzR = 4 Ω
Lcrit = µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 250 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 1000 ΩΔR = 250 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2ε = 400 µε
Vo = mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
카르노 맵으로 F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 9, 10, 13, 14)의 최소 곱의 합(SOP) 형태를 구하시오. 전체 리터럴은 몇 개(L)인가(프라임이 붙은 변수도 리터럴 하나로 센다)?
F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 9, 10, 13, 14)
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(1, 5, 7, 10, 12) + d(0, 2)의 최소 SOP 형태를 구하시오. 곱항은 몇 개(N)인가?
F(A, B, C, D) = Σm(1, 5, 7, 10, 12) + d(0, 2)
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: R = 128 Ω
LED와 다이오드 회로: 순방향 바이어스된 LED는 전류와 관계없이 대략 순방향 전압 VF(빨강은 약 2 V, 파랑이나 흰색은 약 3 V)만큼 전압이 떨어집니다. 직렬 저항이 전류를 정합니다: 직렬 LED n개에 대해 R = (Vs − n·VF)/I. 더 정확한 다이오드 모델 V = V₀ + I·rd에서는 동작점이 다이오드 직선과 부하선 I = (Vs − V)/R이 만나는 곳이므로 I = (Vs − V₀)/(R + rd)입니다.
저항 양단의 전압
VR = 12 − 4·2.2 = 3.2 V
저항
R = 3.2/0.025 = 128 Ω
답
R = 128 Ω
저항은 80 mW를 소비합니다.
2.다이오드와 트랜지스터
답: RB = 14.3 kΩ
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
포화 시 컬렉터 전류
IC(sat) = (5 − 0.2)/330 = 14.55 mA
최소 베이스 전류
IB(min) = IC(sat)/β = 14.55/80 = 181.8 µA
베이스 저항
RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.1818 mA = 14.3 kΩ
답
RB = 14.3 kΩ
이보다 작은 베이스 저항도 모두 트랜지스터를 포화시킵니다. 실제로는 몇 배 작은 값을 고릅니다.
3.연산 증폭기 회로
답: Rf = 1410 kΩ
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류와 증가율
kΩ × µF는 밀리초입니다.
RC = 4.7 kΩ · 0.47 µF = 2.209 ms
증가율 = −Vin/(RC) = −2.5/2.209 = −1.132 V/ms
주어진 시각의 출력
이상값이 ±Vsat 안에 있으므로 적분기는 아직 잘리지 않았습니다.
Vout = −Vin·t/(RC) = −2.5·10/2.209 = −11.32 V
답
Vout = −11.32 V
5.RC·RL 과도 현상
답: W = 0.2042 mJ
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
시정수와 최종 전류
스위치를 닫고 오래 지나면 인덕터는 단락처럼 동작하므로 최종 전류는 R로만 정해집니다.
τ = L/R = 10 mH / 22 Ω = 0.4545 ms
i(∞) = Vs/R = 5/22 = 0.2273 A
주어진 시각의 전류
i(t) = 0.2273·(1 − e−1/0.4545) = 0.2021 A
저장된 에너지
W = ½·L·i² = ½·10·0.2021² = 0.2042 mJ
답
W = 0.2042 mJ
6.RC·RL 과도 현상
답: vC = 11.54 V
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
초기값, 최종값, 시정수
커패시터 전압은 갑자기 변할 수 없으므로 저장된 값에서 시작해 전원 전압으로 향합니다.
vC(0) = 10 V, vC(∞) = Vs = 15 V
τ = R·C = 6.8 kΩ · 100 µF = 680 ms
vC(t) = 15 + (10 − 15)·e−t/τ
주어진 시각의 전압
vC(250) = 15 + (−5)·e−250/680 = 11.54 V
답
vC = 11.54 V
7.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.3164 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 8 + 10 = 18 Ω
R2 ∥ 18 = 4·18/(4+18) = 3.273 Ω
Req = R1 + 3.273 = 20 + 3.273 = 23.27 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 9/23.27 = 0.3867 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 9 − 0.3867·20 = 1.266 V
IR2 = VA/R2 = 1.266/4 = 0.3164 A
답
IR2 = 0.3164 A
8.저항의 직렬·병렬
답: IR1 = 1.842 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 30 + 30 = 60 Ω
R4 ∥ 60 = 1.935 Ω
R3 + 1.935 = 16.94 Ω
R2 ∥ 16.94 = 6.287 Ω
Req = R1 + 6.287 = 10 + 6.287 = 16.29 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 30/16.29 = 1.842 A
답
IR1 = 1.842 A
9.DC-DC 컨버터
답: L = 76.8 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 14.4/24 = 0.6
인덕턴스
L = 9.6·0.6/(0.3·250·10³) = 76.8 µH
답
L = 76.8 µH
10.DC-DC 컨버터
답: Lcrit = 2.25 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 8/(24 + 8) = 0.25
경계 조건
평균 인덕터 전류를 리플 전류의 절반과 같게 놓고 L에 대해 푸세요.
Lcrit = (1 − D)²·R/(2f)
임계 인덕턴스
Lcrit = (1 − 0.25)²·4/(2500·10³) = 2.25 µH
답
Lcrit = 2.25 µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vab = 333.3 mV
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 6·1250/2250 = 3.333 V
Vb = 3 V
배설량
Vab = 333.3 mV
답
Vab = 333.3 mV
선형 추정값 Vs·ΔR/(4R) = 375 mV는 12.5 % 높게 나옵니다. 1/4 브리지는 완전한 선형이 아닙니다.
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vo = 1.2 mV
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
상대 저항 변화
ΔR/R = 2·400·10⁻⁶ = 0.0008
브리지 출력
Vo = Vs·GF·ε/2 = 3·0.0008/2 = 1.2 mV
답
Vo = 1.2 mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 9
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.
1 묶기
모든 그룹은 2ᵏ칸의 직사각형입니다. 가장자리 칸은 반대쪽 가장자리의 칸과 이웃합니다.
AC′D
ACD′
A′B′C′
최소 SOP 형태
F = AC′D + ACD′ + A′B′C′
L = 9
답
L = 9
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 4
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.