β = 50인 NPN 트랜지스터가 VCC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 100 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 4배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
이상적인 강압 컨버터가 스위칭 주파수 200 kHz에서 15 V를 4.5 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값을 0.6 A로 유지하는 인덕턴스 L을(를) 구하시오.
Vin = 15 VVo = 4.5 Vf = 200 kHzΔIL = 0.6 A
L = µH
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 벅-부스트 컨버터가 20 kHz에서 5 Ω 부하에 대해 36 V를 −108 V로 바꿉니다. 출력 커패시터는 47 µF입니다. 출력 전압 리플의 피크 투 피크 값 ΔVo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vin = 36 VVo = −108 Vf = 20 kHzC = 47 µFR = 5 Ω
ΔVo = mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
브리지의 네 변이 모두 400 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 100 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 400 ΩΔR = 100 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
능동 게이지 하나(GF = 2.12)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 3.975 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12Vo = 3.975 mV
ε = µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
F = A′B′ + AB + A′BC′ + AC′을(를) 최소 곱의 합 형태로 간소화하시오. 간소화한 식에는 리터럴이 몇 개(L) 있는가?
F = A′B′ + AB + A′BC′ + AC′
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 6, 13, 14) + d(5, 8)의 최소 SOP 형태를 구하시오. 곱항은 몇 개(N)인가?
F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 6, 13, 14) + d(5, 8)
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: VCE = 10.04 V
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 18·6.8/(22 + 6.8) = 4.25 V
RTH = 22·6.8/(22 + 6.8) = 5.194 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (4.25 − 0.7)/(5.194 + 81·0.68) = 58.9 µA
컬렉터 전류
IC = 80·58.9 µA = 4.712 mA
IE = 81·58.9 µA = 4.771 mA
컬렉터–이미터 전압
VCE = 18 − 4.712·1 − 4.771·0.68 = 10.04 V
답
VCE = 10.04 V
2.다이오드와 트랜지스터
답: RB = 0.2754 kΩ
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
포화 시 컬렉터 전류
IC(sat) = (12 − 0.2)/100 = 118 mA
최소 베이스 전류
IB(min) = IC(sat)/β = 118/50 = 2360 µA
설계 베이스 전류
IB = 4·2360 µA = 9440 µA
베이스 저항
RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/9.44 mA = 0.2754 kΩ
답
RB = 0.2754 kΩ
3.연산 증폭기 회로
답: Vout = −6.655 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
초기 커패시터 전압
정상 상태에서 커패시터는 개방 회로이므로 R₁과 R₂가 전압 분배기를 이룹니다. 스위치가 열릴 때 커패시터 전압은 급변할 수 없습니다.
vC(0) = 24·3.3/(2.2 + 3.3) = 14.4 V
스위치가 열린 뒤의 시정수
τ = R2·C = 3.3·22 = 72.6 ms
방전
vC(t) = 14.4·e−40/72.6 = 8.3 V
i2 = vC/R2 = 8.3/3.3 = 2.515 mA
답
i2 = 2.515 mA
7.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 1.818 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 12 + 8 = 20 Ω
R2 ∥ 20 = 6·20/(6+20) = 4.615 Ω
Req = R1 + 4.615 = 3 + 4.615 = 7.615 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 18/7.615 = 2.364 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 18 − 2.364·3 = 10.91 V
IR2 = VA/R2 = 10.91/6 = 1.818 A
답
IR2 = 1.818 A
8.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.3452 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 8 + 15 = 23 Ω
R4 ∥ 23 = 11.98 Ω
R3 + 11.98 = 26.98 Ω
R2 ∥ 26.98 = 6.17 Ω
Req = R1 + 6.17 = 5 + 6.17 = 11.17 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 5/11.17 = 0.4476 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 5 − 0.4476·5 = 2.762 V
IR2 = VA/R2 = 2.762/8 = 0.3452 A
답
IR2 = 0.3452 A
9.DC-DC 컨버터
답: L = 26.25 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 4.5/15 = 0.3
인덕턴스
L = 10.5·0.3/(0.6·200·10³) = 26.25 µH
답
L = 26.25 µH
10.DC-DC 컨버터
답: ΔVo = 17234 mV
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 108/(36 + 108) = 0.75
부하 전류
Io = 108/5 = 21.6 A
출력 리플
ΔVo = 21.6·0.75/(20·10³·47·10⁻⁶) = 17234 mV
답
ΔVo = 17234 mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vab = 555.6 mV
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 10·500/900 = 5.556 V
Vb = 5 V
배설량
Vab = 555.6 mV
답
Vab = 555.6 mV
선형 추정값 Vs·ΔR/(4R) = 625 mV는 12.5 % 높게 나옵니다. 1/4 브리지는 완전한 선형이 아닙니다.
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ε = 1500 µε
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
1/4 브리지 방정식 풀기
ε = 4·0.003975/(5·2.12) = 0.0015
마이크로 스트레인 단위로
ε = 1500 µε
답
ε = 1500 µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 5
불 대수: 식을 간소화하는 규칙은 X + X′ = 1과 X·X′ = 0, X + X = X, 흡수 법칙 X + X·Y = X, 결합 규칙 X·Y + X·Y′ = X, X + X′Y = X + Y, 그리고 합의 정리 XY + X′Z + YZ = XY + X′Z입니다. 드모르간 법칙은 (X·Y)′를 X′ + Y′로, (X + Y)′를 X′·Y′로 바꿉니다. 카르노 맵은 이 규칙들을 그림으로 적용합니다. 이웃한 두 칸의 그룹은 모두 XY + XY′ = X를 한 번 쓴 것입니다.
식의 최소항
A′B′ → m(0, 1)
AB → m(6, 7)
A′BC′ → m(2)
AC′ → m(4, 6)
묶어서 읽기
F = C′ + A′B′ + AB
리터럴 세기
L = 5
답
L = 5
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 4
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.