β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 680 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 4배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
이상적인 강압 컨버터가 스위칭 주파수 100 kHz에서 15 V를 4.5 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값을 0.4 A로 유지하는 인덕턴스 L을(를) 구하시오.
Vin = 15 VVo = 4.5 Vf = 100 kHzΔIL = 0.4 A
L = µH
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 강압(벅) 컨버터가 500 kHz에서 8 Ω 부하에 대해 24 V를 9.6 V로 바꿉니다. 연속 전도 모드를 위한 최소 인덕턴스 Lcrit을(를) 구하시오.
Vin = 24 VVo = 9.6 Vf = 500 kHzR = 8 Ω
Lcrit = µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
네 변이 모두 1000 Ω인 브리지에 3 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 36.59 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR = 1000 ΩVab = 36.59 mV
ΔR = Ω
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1ε = 1000 µε
Vo = mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
4-대-1 멀티플렉서의 선택 입력은 S₁ = A, S₀ = B이고 데이터 입력은 I₀ = C, I₁ = 0, I₂ = 1, I₃ = C′에 연결되어 있다. A, B, C의 8가지 조합 중 몇 개에서 출력 F = 1인가? N을(를) 구하시오.
I₀ = CI₁ = 0I₂ = 1I₃ = C′
N =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
상승 에지 트리거 JK 플립플롭이 Q = 0에서 시작하여 그림의 입력을 상승 클록 에지 6번에 걸쳐 받는다. Q의 상태는 몇 번(N) 바뀌는가?
Q₀ = 0JK
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 1.155 mA
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 12·15/(56 + 15) = 2.535 V
RTH = 56·15/(56 + 15) = 11.83 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (2.535 − 0.7)/(11.83 + 151·1.5) = 7.7 µA
컬렉터 전류
IC = 150·7.7 µA = 1.155 mA
IE = 151·7.7 µA = 1.163 mA
답
IC = 1.155 mA
2.다이오드와 트랜지스터
답: RB = 18.42 kΩ
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
포화 시 컬렉터 전류
IC(sat) = (5 − 0.2)/680 = 7.059 mA
최소 베이스 전류
IB(min) = IC(sat)/β = 7.059/200 = 35.29 µA
설계 베이스 전류
IB = 4·35.29 µA = 141.2 µA
베이스 저항
RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.1412 mA = 18.42 kΩ
답
RB = 18.42 kΩ
3.연산 증폭기 회로
답: Vin,max = 4.476 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
이득
Av = 1 + Rf/R1 = 1 + 100/47 = 3.128
잘리기 전의 최대 입력
Vin,max = Vsat/|Av| = 14/3.128 = 4.476 V
답
Vin,max = 4.476 V
4.연산 증폭기 회로
답: Vout = 2.445 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
커패시터에서 본 테브난 등가 회로
Rth를 구하려면 전원을 단락하고, 최종 전압을 구하려면 커패시터를 개방하세요.
Rth = R1 ∥ R2 = 10·3.3/(10 + 3.3) = 2.481 kΩ
vC(∞) = 15·3.3/(10 + 3.3) = 3.722 V
시정수
τ = Rth·C = 2.481·10 = 24.81 ms
충전 곡선
vC(t) = 3.722·(1 − e−10/24.81) = 1.235 V
답
vC = 1.235 V
6.RC·RL 과도 현상
답: vC = 10.92 V
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
초기값, 최종값, 시정수
커패시터 전압은 갑자기 변할 수 없으므로 저장된 값에서 시작해 전원 전압으로 향합니다.
vC(0) = 6 V, vC(∞) = Vs = 24 V
τ = R·C = 4.7 kΩ · 10 µF = 47 ms
vC(t) = 24 + (6 − 24)·e−t/τ
주어진 시각의 전압
vC(15) = 24 + (−18)·e−15/47 = 10.92 V
답
vC = 10.92 V
7.저항의 직렬·병렬
답: Req = 4.55 Ω
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 12 + 5 = 17 Ω
R2 ∥ 17 = 3·17/(3+17) = 2.55 Ω
Req = R1 + 2.55 = 2 + 2.55 = 4.55 Ω
답
Req = 4.55 Ω
8.저항의 직렬·병렬
답: Req = 7.783 Ω
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 8 + 10 = 18 Ω
R4 ∥ 18 = 5.538 Ω
R3 + 5.538 = 15.54 Ω
R2 ∥ 15.54 = 3.783 Ω
Req = R1 + 3.783 = 4 + 3.783 = 7.783 Ω
답
Req = 7.783 Ω
9.DC-DC 컨버터
답: L = 78.75 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 4.5/15 = 0.3
인덕턴스
L = 10.5·0.3/(0.4·100·10³) = 78.75 µH
답
L = 78.75 µH
10.DC-DC 컨버터
답: Lcrit = 4.8 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 9.6/24 = 0.4
경계 조건
평균 인덕터 전류를 리플 전류의 절반과 같게 놓고 L에 대해 푸세요.
Lcrit = (1 − D)·R/(2f)
임계 인덕턴스
Lcrit = (1 − 0.4)·8/(2500·10³) = 4.8 µH
답
Lcrit = 4.8 µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ΔR = 50.01 Ω
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 1.5 + 0.03659 = 1.537 V
분압식 풀기
R₂ = 1000·1.537/(3 − 1.537) = 1050 Ω
ΔR = 1050 − 1000 = 50.01 Ω
답
ΔR = 50.01 Ω
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vo = 3.15 mV
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
상대 저항 변화
ΔR/R = 2.1·1000·10⁻⁶ = 0.0021
브리지 출력
Vo = Vs·GF·ε/2 = 3·0.0021/2 = 3.15 mV
답
Vo = 3.15 mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 4
멀티플렉서: 2ⁿ-대-1 멀티플렉서는 데이터 입력 중 하나를 출력으로 보내며, 선택선을 이진수로 읽어 어느 것인지 정합니다. 선택선 S₁S₀ = AB인 4-대-1 MUX에서는 F = A′B′·I₀ + A′B·I₁ + AB′·I₂ + AB·I₃입니다. 데이터 입력을 0, 1, C, C′에 연결하면 MUX가 A, B, C의 어떤 함수든 만들 수 있으며, 이는 칩 하나로 논리를 구현하는 흔한 방법입니다.
출력식
F = A′B′C + AB′ + ABC′
F = 1인 행
ABC = 001, 100, 101, 110
N = 4
답
N = 4
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 4
플립플롭과 카운터: 플립플롭은 클록의 활성 에지에서만 바뀝니다. D는 입력을 복사합니다(Q⁺ = D). T는 T = 1이면 토글합니다. JK는 00이면 유지, 01이면 리셋, 10이면 셋, 11이면 토글합니다. n비트 이진 카운터는 상태가 2ⁿ개이고 2ⁿ을 법으로 세며, mod-N 카운터는 0, 1, …, N − 1을 거쳐 다시 0으로 돌아가고 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n개의 플립플롭이 필요합니다. 리플 카운터는 단마다 주파수가 절반이 되므로 mod-N 카운터의 마지막 출력은 fclk/N으로 동작합니다. 플립플롭 n개의 존슨 카운터는 상태가 2n개, 링 카운터는 n개입니다.