전자회로 1: 벼락치기 팩

공식 모음, 모든 주제의 핵심 풀이 단계, 연습 문제 14개가 들어 있으며 전체 풀이는 맨 뒤에 있습니다.

새 문제강의로 돌아가기

인쇄 창에서 “PDF로 저장”을 선택하면 기기에 사본을 보관할 수 있습니다.

1공식과 풀이 방법

다이오드와 트랜지스터

다이오드(정전압 강하 모델)
VD = 0.7 V when conducting
활성 영역
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
고정 바이어스
IB = (VCC − 0.7)/RB
전압 분배 바이어스
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
분압기의 테브난 등가
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
컬렉터 루프
VCE = VCC − ICRC − IERE
포화
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

연산 증폭기 회로

반전 증폭기
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
비반전 증폭기
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
가산 증폭기
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
이상적인 연산 증폭기
V+ = V−, Iin = 0

RC·RL 과도 현상

시정수
τ = RC | τ = L/R
응답
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
직류에서의 커패시터
개방; vC는 갑자기 변할 수 없음
직류에서의 인덕터
단락; iL은 갑자기 변할 수 없음
정상 상태 값
t ≈ 5τ

방법

  1. 스위칭 직후의 초깃값을 구하세요. 커패시터 전압과 인덕터 전류는 갑자기 변할 수 없습니다.
  2. 스위칭 후 충분히 지난 뒤의 최종값을 구하세요. 커패시터는 개방 회로, 인덕터는 단락 회로처럼 동작합니다.
  3. 커패시터나 인덕터에서 본 저항을 이용해 시정수 τ = RC 또는 τ = L/R을 구하세요.
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ를 쓰세요.

저항의 직렬·병렬

저항의 직렬 연결
Req = R1 + R2 + …
저항의 병렬 연결
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
두 저항의 병렬
Req = R1R2 / (R1 + R2)
옴의 법칙
V = I·R
전력
P = V·I = I²R = V²/R

방법

  1. 단자에서 가장 먼 회로망 끝에서 시작하세요.
  2. 직렬 저항은 더하고, 병렬 저항은 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …로 합성하세요.
  3. 단계마다 회로를 다시 그리세요.
  4. 단자 사이에 저항이 하나 남을 때까지 반복하세요.

DC-DC 컨버터

강압(벅)
Vo = D·Vin
승압(부스트)
Vo = Vin/(1 − D)
반전 벅-부스트
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
이상적인 전력 평형
VinIin = VoIo
인덕터 리플
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
평균 인덕터 전류
강압 Io; 승압과 벅-부스트 Io/(1 − D)
출력 리플
강압 ΔIL/(8fC); 승압과 벅-부스트 Io·D/(fC)
CCM 경계
강압 (1 − D)R/(2f); 승압 D(1 − D)²R/(2f); 벅-부스트 (1 − D)²R/(2f)

방법

  1. 컨버터(강압, 승압, 벅-부스트)를 식별하고 전압비로부터 듀티비 D를 구하세요.
  2. 인덕터의 볼트-초 평형을 쓰세요. 한 주기 동안 인덕터 평균 전압은 0입니다.
  3. 스위치가 켜져 있는 동안의 인덕터 전압을 구한 뒤 ΔIL = VL·D/(L·f)를 쓰세요.
  4. 출력 리플은 커패시터로 들어가고 나오는 전하를 구하고, CCM 경계는 평균 인덕터 전류를 ΔIL/2와 같게 놓으세요.

휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

분압기 전압
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
배설량
Vab = Va − Vb
균형
R1/R2 = R3/R4
슬라이드 와이어 브리지
R/Rx = l/(100 − l)
테브난 저항
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
게이지율
ΔR/R = GF·ε
브리지 출력
1/4 브리지 Vs·GF·ε/4, 1/2 브리지 Vs·GF·ε/2, 풀 브리지 Vs·GF·ε
미소 변화, 한 변
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
응력
σ = E·ε

방법

  1. 브리지를 같은 전원에 걸린 두 개의 분압기로 보세요.
  2. 평형에서는 R₁/R₂ = R₃/R₄로 놓고 미지 저항에 대해 푸세요.
  3. 불평형 브리지는 분압기에서 Va와 Vb를 구해 빼세요. 계기가 출력에 부하로 걸리면 테브난 등가회로를 쓰세요.
  4. 스트레인 게이지는 변형률을 ΔR/R = GF·ε로 바꾸고, 1/4, 1/2, 풀 브리지에 대해 각각 Vs·GF·ε/4, /2, ×1을 쓰세요.

디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

기본 게이트
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
불 규칙
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
드모르간 법칙
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
카르노 맵의 순서
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ칸의 그룹
변수 k개를 잃음
4-대-1 멀티플렉서
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
플립플롭
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
카운터
n비트: 2ⁿ개 상태; mod-N: 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n; fout = fclk/N
리플 카운터
fmax = 1/(n·tpd)
링 카운터와 존슨 카운터
상태 n개와 2n개

방법

  1. 회로는 입력에서 출력까지 게이트를 하나씩 따라가며 모든 선에 값을 적거나, 식을 쓰고 진리표를 채우세요.
  2. 간소화할 때는 1(그리고 무정의항은 X)을 그레이 코드 행과 열(00, 01, 11, 10)을 가진 카르노 맵에 넣으세요.
  3. 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 가능한 한 적고 큰 그룹으로 덮되 가장자리를 넘어 이어 보세요. 각 그룹은 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. POS 형태는 0들을 묶으세요.
  4. 플립플롭과 카운터는 활성 클록 에지마다 입력을 읽고, 에지마다 상태를 적고, n비트 카운터는 2ⁿ개 상태 뒤에 되돌아간다는 것을 기억하세요.

2연습 문제

1.다이오드와 트랜지스터보통
RC​ = 1 kΩβ = 120RE​ = 470 ΩVCC​ = 18 VR1​ = 22 kΩR2​ = 10 kΩ

β = 120인 NPN 트랜지스터가 VCC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 22 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 10 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 1 kΩ, 이미터 저항은 RE = 470 Ω이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 18 VR1 = 22 kΩR2 = 10 kΩRC = 1 kΩRE = 470 Ωβ = 120
VCE = V
2.다이오드와 트랜지스터어려움
+−≥ 9 VR = ?5.6 V≤ 50 mA

5.6 V 제너 레귤레이터가 부하에 최대 50 mA를 공급해야 합니다. 입력은 9 V까지 떨어질 수 있고, 제너가 조정 상태를 유지하려면 최소 2 mA가 필요합니다. 조정 상태를 유지하는 최대 직렬 저항 Rmax을(를) 구하시오.

Vin,min = 9 VVZ = 5.6 VIL,max = 50 mAIZ,min = 2 mA
Rmax = Ω
3.연산 증폭기 회로보통
−+Vout​Rf​ = 10 kΩR1​ = 2 kΩVin​ = −0.5 V

연산 증폭기는 이상적이며 ±15 V 전원으로 동작한다. 출력 전압 Vout을(를) 구하시오.

Vin = −0.5 VR1 = 2 kΩRf = 10 kΩ
Vout = V
4.연산 증폭기 회로어려움
−+Vout​R2​ = 4.7 kΩV1​ = 1.2 VR1​ = 22 kΩV2​ = 0.9 VR3​ = 1 kΩR4​ = 100 kΩ

연산 증폭기는 이상적이며 ±15 V 전원으로 동작한다. 저항비가 맞지 않는다. 출력 전압 Vout을(를) 구하시오.

V1 = 1.2 VV2 = 0.9 VR1 = 22 kΩR2 = 4.7 kΩR3 = 1 kΩR4 = 100 kΩ
Vout = V
5.RC·RL 과도 현상보통
+−Vs​6 Vt = 0R = 47 ΩL150 mHi(t)

t = 0에서 스위치가 닫히기 전에는 인덕터에 전류가 흐르지 않는다. t = 5 ms에서 인덕터 전압 vL을(를) 구하시오.

Vs = 6 VR = 47 ΩL = 150 mHt = 5 ms
vL = V
6.RC·RL 과도 현상어려움
+−Vs​6 VR1​ = 5 ΩR2​ = 20 Ωt = 0에 열림L100 mHi(t)

R2 양단의 스위치가 오랫동안 닫혀 있었으므로 인덕터 전류는 정상 상태이다. t = 0에 스위치가 열린다. t = 5 ms에서의 인덕터 전류 i을(를) 구하시오.

Vs = 6 VR1 = 5 ΩR2 = 20 ΩL = 100 mHt = 5 ms
i = A
7.저항의 직렬·병렬보통
R1​ = 3 ΩR3​ = 10 Ω+−V1​9 VR2​12 ΩAR4​4 ΩB

전원 V1이(가) 보는 합성 저항 Req을(를) 구하시오.

V1 = 9 VR1 = 3 ΩR2 = 12 ΩR3 = 10 ΩR4 = 4 Ω
Req = Ω
8.저항의 직렬·병렬어려움
R1​ = 12 ΩR3​ = 25 ΩR5​ = 4 Ω+−V1​10 VR2​4 ΩAR4​30 ΩBR6​8 Ω

전원 V1이(가) 보는 합성 저항 Req을(를) 구하시오.

V1 = 10 VR1 = 12 ΩR2 = 4 ΩR3 = 25 ΩR4 = 30 ΩR5 = 4 ΩR6 = 8 Ω
Req = Ω
9.DC-DC 컨버터보통
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

이상적인 강압(벅) 컨버터가 200 kHz, L = 68 µH에서 48 V를 19.2 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값 ΔIL을(를) 구하시오.

Vin​ = 48 VVo​ = 19.2 Vf = 200 kHzL = 68 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 컨버터어려움
+−24 VSL = 150 µHC = ?R+−12 V

강압 컨버터가 250 kHz, L = 150 µH에서 24 V를 12 V로 바꿉니다. 출력 리플의 피크 투 피크 값을 25 mV로 제한하는 출력 커패시턴스 C을(를) 구하시오.

Vin​ = 24 VVo​ = 12 Vf = 250 kHzL = 150 µHΔVo = 25 mV
C = µF
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
+−5 V220 Ω220 Ω + ΔR220 Ω220 Ωab+−Vab​ = ?

브리지의 네 변이 모두 220 Ω이고 Vs = 5 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 0.55 Ω만큼 증가합니다. 미소 변화 근사를 써서 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 5 VR = 220 ΩΔR = 0.55 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
+−3 V1000 Ω1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−1.8 mV

E = 70 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 3 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.8 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.

Vs = 3 VGF = 2Vo = 1.8 mVE = 70 GPa
σ = MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
ABCD000111100001111010010312141507160120130151141819011010

카르노 맵으로 F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 4, 5, 6, 8, 9, 14)의 최소 곱의 합(SOP) 형태를 구하시오. 전체 리터럴은 몇 개(L)인가(프라임이 붙은 변수도 리터럴 하나로 센다)?

F(A, B, C, D) = Σm(0, 2, 4, 5, 6, 8, 9, 14)
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
ABCD00011110000111100001031214050716112X13X150140809111X10

d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(2, 4, 6, 11, 12) + d(10, 13, 15)의 최소 SOP 형태를 구하시오. 리터럴은 몇 개(L)인가?

F(A, B, C, D) = Σm(2, 4, 6, 11, 12) + d(10, 13, 15)
L =

3용액

1.다이오드와 트랜지스터

답: VCE = 4.335 V

BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.

분압기의 테브난 등가

VTH = 18·10/(22 + 10) = 5.625 V
RTH = 22·10/(22 + 10) = 6.875 kΩ

베이스 전류

베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.

IB = (5.625 − 0.7)/(6.875 + 121·0.47) = 77.26 µA

컬렉터 전류

IC = 120·77.26 µA = 9.271 mA
IE = 121·77.26 µA = 9.349 mA

컬렉터–이미터 전압

VCE = 18 − 9.271·1 − 9.349·0.47 = 4.335 V

답

VCE = 4.335 V
2.다이오드와 트랜지스터

답: Rmax = 65.38 Ω

제너 레귤레이터: 역방향 바이어스된 제너 다이오드는 전류가 최소값 IZ,min 이상인 동안 전압 VZ를 유지합니다. 직렬 저항 R이 입력과 출력의 차이를 받습니다: IR = (Vin − VZ)/R. 이 전류는 부하 IL = VZ/RL과 제너 IZ = IR − IL로 나뉩니다. 최악의 경우에 맞춰 설계하세요: 입력이 가장 낮고 부하가 가장 클 때도 IZ,min이 남아야 하고, 입력이 가장 높고 부하가 없을 때 제너 전력 PZ = VZ·IZ가 가장 큽니다.

최악의 경우의 전류

IR = 50 + 2 = 52 mA

최대 저항

Rmax = 3.4/0.052 = 65.38 Ω

답

Rmax = 65.38 Ω
3.연산 증폭기 회로

답: Vout = −3 V

이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.

반전 입력이 입력을 따라감

V₋ = V₊ = −0.5 V
I = V₋/R1 = −0.5/2 = −0.25 mA

출력 전압

R₁의 전류는 Rf에도 흐릅니다.

Vout = V₋ + I·Rf = −0.5 + (−0.25)·10 = −3 V

답

Vout = −3 V
4.연산 증폭기 회로

답: Vout = 0.8251 V

이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.

+ 입력의 전압

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = 0.9·100/(1 + 100) = 0.8911 V

두 입력의 중첩

V₂ = 0이면 V₁은 반전 증폭기로 보입니다. V₁ = 0이면 V₊가 비반전 이득 1 + R₂/R₁로 증폭됩니다.

Vout = −(4.7/22)·1.2 + (1 + 4.7/22)·0.8911 = −0.2564 + 1.081 = 0.8251 V

답

Vout = 0.8251 V
5.RC·RL 과도 현상

답: vL = 1.252 V

1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.

시정수와 최종 전류

스위치를 닫고 오래 지나면 인덕터는 단락처럼 동작하므로 최종 전류는 R로만 정해집니다.

τ = L/R = 150 mH / 47 Ω = 3.191 ms
i(∞) = Vs/R = 6/47 = 0.1277 A

인덕터 전압

t = 0에서는 전원 전압 전체가 인덕터에 걸리고, 이후 0으로 감소합니다.

vL(t) = Vs·e−t/τ = 6·e−5/3.191 = 1.252 V

답

vL = 1.252 V
6.RC·RL 과도 현상

답: i = 0.515 A

1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.

초기값, 최종값, 시정수

t = 0 전에는 닫힌 스위치가 R₂를 우회하고, 그 후에는 R₁과 R₂가 모두 루프에 있습니다.

i(0) = 6/5 = 1.2 A
i(∞) = 6/(5 + 20) = 0.24 A
τ = L/R = 100/25 = 4 ms
i(t) = 0.24 + (1.2 − 0.24)·e−t/τ

주어진 시각의 전류

i(5) = 0.24 + (0.96)·e−5/4 = 0.515 A

답

i = 0.515 A
7.저항의 직렬·병렬

답: Req = 9.462 Ω

직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.

R1​ = 3 ΩR3​ = 10 Ω+−V1​9 VR2​12 ΩAR4​4 ΩB

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R3 + R4 = 10 + 4 = 14 Ω
R2 ∥ 14 = 12·14/(12+14) = 6.462 Ω
Req = R1 + 6.462 = 3 + 6.462 = 9.462 Ω

답

Req = 9.462 Ω
8.저항의 직렬·병렬

답: Req = 15.57 Ω

직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.

R1​ = 12 ΩR3​ = 25 ΩR5​ = 4 Ω+−V1​10 VR2​4 ΩAR4​30 ΩBR6​8 Ω

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R5 + R6 = 4 + 8 = 12 Ω
R4 ∥ 12 = 8.571 Ω
R3 + 8.571 = 33.57 Ω
R2 ∥ 33.57 = 3.574 Ω
Req = R1 + 3.574 = 12 + 3.574 = 15.57 Ω

답

Req = 15.57 Ω
9.DC-DC 컨버터

답: ΔIL = 0.8471 A

DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.

듀티비

D = 19.2/48 = 0.4

켜짐 시간 동안의 인덕터 전압

S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin과 Vo 사이에 있습니다.

VL = 48 − 19.2 = 28.8 V

리플 전류

ΔIL = VL·D/(L·f) = 28.8·0.4/(68·10⁻⁶·200·10³) = 0.8471 A

답

ΔIL = 0.8471 A
10.DC-DC 컨버터

답: C = 3.2 µF

DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.

듀티비

D = 12/24 = 0.5

인덕터 리플 전류

ΔIL = (24 − 12)·0.5/(150·10⁻⁶·250·10³) = 0.16 A

정전 용량

C = 0.16/(8·250·10³·25·10⁻³) = 3.2 µF

답

C = 3.2 µF
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: Vab = 3.125 mV

휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.

상대 변화

ΔR/R = 0.55/220 = 0.0025

선형화한 출력

Vab ≈ 5·0.0025/4 = 3.125 mV

답

Vab = 3.125 mV

정확한 값은 3.121 mV입니다. ΔR/R이 작을 때는 근사가 잘 맞습니다.

12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: σ = 84 MPa

스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.

변형률

ε = 4·0.0018/(3·2) = 0.0012

응력

σ = 70·10³ MPa·0.0012 = 84 MPa

답

σ = 84 MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: L = 11

카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.

ABCD000111100001111010010312141507160120130151141819011010

1 묶기

모든 그룹은 2ᵏ칸의 직사각형입니다. 가장자리 칸은 반대쪽 가장자리의 칸과 이웃합니다.

BCD′
A′D′
A′BC′
AB′C′

최소 SOP 형태

F = BCD′ + A′D′ + A′BC′ + AB′C′
L = 11

답

L = 11
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: L = 9

카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.

소 임플리컨트

1과 X로 만들 수 있는 가장 큰 그룹들.

B′CD′, BC′D′, A′CD′, ACD, A′BD′, AB′C, ABC′
ABCD00011110000111100001031214050716112X13X150140809111X10

최소 덮개

F = BC′D′ + A′CD′ + ACD
L = 9

답

L = 9

같은 크기의 다른 묶음도 있으며, 항과 리터럴의 수는 같습니다.

ExamProblems · examproblems.com/courses/electronics-1