β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 150 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 2배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 200 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 1000 ΩΔR = 200 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
능동 게이지 하나(GF = 2)인 1/4 브리지에 10 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 1.25 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2Vo = 1.25 mV
ε = µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
F = ABC + ABC′ + B′C을(를) 최소 곱의 합 형태로 간소화하시오. 간소화한 식에는 리터럴이 몇 개(L) 있는가?
F = ABC + ABC′ + B′C
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
상승 에지 트리거 T 플립플롭이 Q = 0에서 시작하여 그림의 입력을 상승 클록 에지 7번에 걸쳐 받는다. Q의 상태는 몇 번(N) 바뀌는가?
Q₀ = 0T
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 1.379 mA
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 20·4.7/(39 + 4.7) = 2.151 V
RTH = 39·4.7/(39 + 4.7) = 4.195 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (2.151 − 0.7)/(4.195 + 101·1) = 13.79 µA
컬렉터 전류
IC = 100·13.79 µA = 1.379 mA
IE = 101·13.79 µA = 1.393 mA
답
IC = 1.379 mA
2.다이오드와 트랜지스터
답: RB = 4.432 kΩ
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
포화 시 컬렉터 전류
IC(sat) = (9 − 0.2)/150 = 58.67 mA
최소 베이스 전류
IB(min) = IC(sat)/β = 58.67/200 = 293.3 µA
설계 베이스 전류
IB = 2·293.3 µA = 586.7 µA
베이스 저항
RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.5867 mA = 4.432 kΩ
답
RB = 4.432 kΩ
3.연산 증폭기 회로
답: Vout = 5.625 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류와 증가율
kΩ × µF는 밀리초입니다.
RC = 4.7 kΩ · 2.2 µF = 10.34 ms
증가율 = −Vin/(RC) = −(−1.8)/10.34 = 0.1741 V/ms
주어진 시각의 출력
이상값이 ±Vsat 안에 있으므로 적분기는 아직 잘리지 않았습니다.
Vout = −Vin·t/(RC) = −(−1.8)·50/10.34 = 8.704 V
답
Vout = 8.704 V
5.RC·RL 과도 현상
답: W(∞) = 5.44 mJ
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
시정수와 최종 전류
스위치를 닫고 오래 지나면 인덕터는 단락처럼 동작하므로 최종 전류는 R로만 정해집니다.
τ = L/R = 68 mH / 15 Ω = 4.533 ms
i(∞) = Vs/R = 6/15 = 0.4 A
저장된 에너지
W(∞) = ½·L·i(∞)² = ½·68·0.4² = 5.44 mJ
답
W(∞) = 5.44 mJ
6.RC·RL 과도 현상
답: i = 0.9824 A
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
초기값, 최종값, 시정수
t = 0 전에는 두 저항이 모두 루프에 있고, 그 후에는 닫힌 스위치가 R₂를 우회합니다.
i(0) = 20/(20 + 10) = 0.6667 A
i(∞) = 20/20 = 1 A
τ = L/R = 68/20 = 3.4 ms
i(t) = 1 + (0.6667 − 1)·e−t/τ
주어진 시각의 전류
i(10) = 1 + (−0.3333)·e−10/3.4 = 0.9824 A
답
i = 0.9824 A
7.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 1.07 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 5 + 12 = 17 Ω
R2 ∥ 17 = 6·17/(6+17) = 4.435 Ω
Req = R1 + 4.435 = 8 + 4.435 = 12.43 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 18/12.43 = 1.448 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 18 − 1.448·8 = 6.42 V
IR2 = VA/R2 = 6.42/6 = 1.07 A
답
IR2 = 1.07 A
8.저항의 직렬·병렬
답: Req = 6.226 Ω
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 30 + 2 = 32 Ω
R4 ∥ 32 = 12.31 Ω
R3 + 12.31 = 27.31 Ω
R2 ∥ 27.31 = 4.226 Ω
Req = R1 + 4.226 = 2 + 4.226 = 6.226 Ω
답
Req = 6.226 Ω
9.DC-DC 컨버터
답: ΔIL = 1.117 A
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 1 − 15/50 = 0.7
켜짐 시간 동안의 인덕터 전압
S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin에 바로 걸립니다.
VL = 15 V
리플 전류
ΔIL = VL·D/(L·f) = 15·0.7/(47·10⁻⁶·200·10³) = 1.117 A
답
ΔIL = 1.117 A
10.DC-DC 컨버터
답: C = 3.84 µF
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 9.6/24 = 0.4
인덕터 리플 전류
ΔIL = (24 − 9.6)·0.4/(150·10⁻⁶·500·10³) = 0.0768 A
정전 용량
C = 0.0768/(8·500·10³·5·10⁻³) = 3.84 µF
답
C = 3.84 µF
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vab = 272.7 mV
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 6·1200/2200 = 3.273 V
Vb = 3 V
배설량
Vab = 272.7 mV
답
Vab = 272.7 mV
선형 추정값 Vs·ΔR/(4R) = 300 mV는 10 % 높게 나옵니다. 1/4 브리지는 완전한 선형이 아닙니다.
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ε = 250 µε
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
1/4 브리지 방정식 풀기
ε = 4·0.00125/(10·2) = 0.00025
마이크로 스트레인 단위로
ε = 250 µε
답
ε = 250 µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 4
불 대수: 식을 간소화하는 규칙은 X + X′ = 1과 X·X′ = 0, X + X = X, 흡수 법칙 X + X·Y = X, 결합 규칙 X·Y + X·Y′ = X, X + X′Y = X + Y, 그리고 합의 정리 XY + X′Z + YZ = XY + X′Z입니다. 드모르간 법칙은 (X·Y)′를 X′ + Y′로, (X + Y)′를 X′·Y′로 바꿉니다. 카르노 맵은 이 규칙들을 그림으로 적용합니다. 이웃한 두 칸의 그룹은 모두 XY + XY′ = X를 한 번 쓴 것입니다.
식의 최소항
ABC → m(7)
ABC′ → m(6)
B′C → m(1, 5)
묶어서 읽기
F = B′C + AB
리터럴 세기
L = 4
답
L = 4
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 2
플립플롭과 카운터: 플립플롭은 클록의 활성 에지에서만 바뀝니다. D는 입력을 복사합니다(Q⁺ = D). T는 T = 1이면 토글합니다. JK는 00이면 유지, 01이면 리셋, 10이면 셋, 11이면 토글합니다. n비트 이진 카운터는 상태가 2ⁿ개이고 2ⁿ을 법으로 세며, mod-N 카운터는 0, 1, …, N − 1을 거쳐 다시 0으로 돌아가고 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n개의 플립플롭이 필요합니다. 리플 카운터는 단마다 주파수가 절반이 되므로 mod-N 카운터의 마지막 출력은 fclk/N으로 동작합니다. 플립플롭 n개의 존슨 카운터는 상태가 2n개, 링 카운터는 n개입니다.