전자회로 1: 벼락치기 팩

공식 모음, 모든 주제의 핵심 풀이 단계, 연습 문제 14개가 들어 있으며 전체 풀이는 맨 뒤에 있습니다.

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1공식과 풀이 방법

다이오드와 트랜지스터

다이오드(정전압 강하 모델): V_D = 0.7 V when conducting
활성 영역: V_BE = 0.7 V, I_C = β·I_B, I_E = (β + 1)·I_B
고정 바이어스: I_B = (V_CC − 0.7)/R_B
전압 분배 바이어스: I_B = (V_TH − 0.7)/(R_TH + (β + 1)R_E)
분압기의 테브난 등가: V_TH = V_CC·R₂/(R₁ + R₂), R_TH = R₁∥R₂
컬렉터 루프: V_CE = V_CC − I_CR_C − I_ER_E
포화: I_C(sat) = (V_CC − V_CE(sat))/R_C, I_B ≥ I_C(sat)/β

연산 증폭기 회로

반전 증폭기: V_out = −(R_f/R_in)·V_in
비반전 증폭기: V_out = (1 + R_f/R₁)·V_in
가산 증폭기: V_out = −R_f(V₁/R₁ + V₂/R₂)
이상적인 연산 증폭기: V₊ = V₋, I_in = 0

RC·RL 과도 현상

시정수: τ = RC | τ = L/R
응답: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e^−t/τ
직류에서의 커패시터: 개방; v_C는 갑자기 변할 수 없음
직류에서의 인덕터: 단락; i_L은 갑자기 변할 수 없음
정상 상태 값: t ≈ 5τ

방법

스위칭 직후의 초깃값을 구하세요. 커패시터 전압과 인덕터 전류는 갑자기 변할 수 없습니다.
스위칭 후 충분히 지난 뒤의 최종값을 구하세요. 커패시터는 개방 회로, 인덕터는 단락 회로처럼 동작합니다.
커패시터나 인덕터에서 본 저항을 이용해 시정수 τ = RC 또는 τ = L/R을 구하세요.
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e^−t/τ를 쓰세요.

저항의 직렬·병렬

저항의 직렬 연결: R_eq = R₁ + R₂ + …
저항의 병렬 연결: 1/R_eq = 1/R₁ + 1/R₂ + …
두 저항의 병렬: R_eq = R₁R₂ / (R₁ + R₂)
옴의 법칙: V = I·R
전력: P = V·I = I²R = V²/R

방법

단자에서 가장 먼 회로망 끝에서 시작하세요.
직렬 저항은 더하고, 병렬 저항은 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …로 합성하세요.
단계마다 회로를 다시 그리세요.
단자 사이에 저항이 하나 남을 때까지 반복하세요.

DC-DC 컨버터

강압(벅): V_o = D·V_in
승압(부스트): V_o = V_in/(1 − D)
반전 벅-부스트: |V_o| = V_in·D/(1 − D)
이상적인 전력 평형: V_inI_in = V_oI_o
인덕터 리플: ΔI_L = V_L,on·D/(L·f); buck V_in − V_o, boost and buck-boost V_in
평균 인덕터 전류: 강압 I_o; 승압과 벅-부스트 I_o/(1 − D)
출력 리플: 강압 ΔI_L/(8fC); 승압과 벅-부스트 I_o·D/(fC)
CCM 경계: 강압 (1 − D)R/(2f); 승압 D(1 − D)²R/(2f); 벅-부스트 (1 − D)²R/(2f)

방법

컨버터(강압, 승압, 벅-부스트)를 식별하고 전압비로부터 듀티비 D를 구하세요.
인덕터의 볼트-초 평형을 쓰세요. 한 주기 동안 인덕터 평균 전압은 0입니다.
스위치가 켜져 있는 동안의 인덕터 전압을 구한 뒤 ΔI_L = V_L·D/(L·f)를 쓰세요.
출력 리플은 커패시터로 들어가고 나오는 전하를 구하고, CCM 경계는 평균 인덕터 전류를 ΔI_L/2와 같게 놓으세요.

휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

분압기 전압: V_a = V_sR₂/(R₁ + R₂), V_b = V_sR₄/(R₃ + R₄)
배설량: V_ab = V_a − V_b
균형: R₁/R₂ = R₃/R₄
슬라이드 와이어 브리지: R/R_x = l/(100 − l)
테브난 저항: R_th = R₁∥R₂ + R₃∥R₄
게이지율: ΔR/R = GF·ε
브리지 출력: 1/4 브리지 V_s·GF·ε/4, 1/2 브리지 V_s·GF·ε/2, 풀 브리지 V_s·GF·ε
미소 변화, 한 변: V_ab ≈ V_s·ΔR/(4R)
응력: σ = E·ε

방법

브리지를 같은 전원에 걸린 두 개의 분압기로 보세요.
평형에서는 R₁/R₂ = R₃/R₄로 놓고 미지 저항에 대해 푸세요.
불평형 브리지는 분압기에서 V_a와 V_b를 구해 빼세요. 계기가 출력에 부하로 걸리면 테브난 등가회로를 쓰세요.
스트레인 게이지는 변형률을 ΔR/R = GF·ε로 바꾸고, 1/4, 1/2, 풀 브리지에 대해 각각 V_s·GF·ε/4, /2, ×1을 쓰세요.

디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

기본 게이트: A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
불 규칙: X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
드모르간 법칙: (X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
카르노 맵의 순서: 00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ칸의 그룹: 변수 k개를 잃음
4-대-1 멀티플렉서: F = A′B′I₀ + A′BI₁ + AB′I₂ + ABI₃
플립플롭: D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
카운터: n비트: 2ⁿ개 상태; mod-N: 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n; f_out = f_clk/N
리플 카운터: f_max = 1/(n·t_pd)
링 카운터와 존슨 카운터: 상태 n개와 2n개

방법

회로는 입력에서 출력까지 게이트를 하나씩 따라가며 모든 선에 값을 적거나, 식을 쓰고 진리표를 채우세요.
간소화할 때는 1(그리고 무정의항은 X)을 그레이 코드 행과 열(00, 01, 11, 10)을 가진 카르노 맵에 넣으세요.
1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 가능한 한 적고 큰 그룹으로 덮되 가장자리를 넘어 이어 보세요. 각 그룹은 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. POS 형태는 0들을 묶으세요.
플립플롭과 카운터는 활성 클록 에지마다 입력을 읽고, 에지마다 상태를 적고, n비트 카운터는 2ⁿ개 상태 뒤에 되돌아간다는 것을 기억하세요.

2연습 문제

1.다이오드와 트랜지스터보통

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 20 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 56 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 10 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 2.2 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 1 kΩ이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

V_CC = 20 VR₁ = 56 kΩR₂ = 10 kΩR_C = 2.2 kΩR_E = 1 kΩβ = 100

V_CE = V

2.다이오드와 트랜지스터어려움

β = 150인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 220 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

V_CC = 12 VR_C = 220 Ωβ = 150V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 V

R_B = kΩ

3.연산 증폭기 회로보통

이 비반전 증폭기의 전압 이득이 5이(가) 되도록 하는 귀환 저항 R_f을(를) 고르시오.

R₁ = 100 kΩA_v = 5

R_f = kΩ

4.연산 증폭기 회로어려움

적분기는 ±15 V 전원의 이상적인 연산 증폭기를 쓰며, 출력은 ±12 V에서 포화된다. t = 0에 일정한 입력 V_in = 3 V를 가할 때 커패시터는 충전되어 있지 않다. t = 0 후 얼마 만에 출력이 포화에 도달하는가? t을(를) 구하시오.

V_in = 3 VR = 100 kΩC = 1 µFV_sat = ±12 V

t = ms

5.RC·RL 과도 현상보통

전원 Vₛ가 R₁을 통해 커패시터를 충전하며, R₂는 C와 병렬로 연결되어 있습니다. t = 0에서 스위치가 닫힐 때 커패시터는 충전되어 있지 않다. t = 30 ms에서 커패시터 전압 v_C을(를) 구하시오.

V_s = 9 VR₁ = 2.2 kΩR₂ = 3.3 kΩC = 68 µFt = 30 ms

v_C = V

6.RC·RL 과도 현상어려움

t = 0에서 스위치가 닫히기 직전, 커패시터 전압은 표시된 극성으로 20 V이다. v_C이(가) 15.2 V에 도달하는 데 걸리는 시간은? t을(를) 구하시오.

V_s = 12 VR = 2.2 kΩC = 68 µFv_C(0) = 20 V

t = ms

7.저항의 직렬·병렬보통

전원 V₁이(가) 보는 합성 저항 R_eq을(를) 구하시오.

V₁ = 24 VR₁ = 20 ΩR₂ = 6 ΩR₃ = 10 ΩR₄ = 5 Ω

R_eq = Ω

8.저항의 직렬·병렬어려움

R₂에 흐르는 전류 I_R2을(를) 구하시오.

V₁ = 6 VR₁ = 10 ΩR₂ = 15 ΩR₃ = 3 ΩR₄ = 25 ΩR₅ = 2 ΩR₆ = 8 Ω

I_R2 = A

9.DC-DC 컨버터보통

강압 컨버터가 12 Ω 부하에 대해 9 V를 6.3 V로 바꿉니다. 스위칭 주파수는 25 kHz이고 L = 330 µH입니다. 인덕터 전류의 최댓값 I_max을(를) 구하시오.

Vin = 9 VVo = 6.3 Vf = 25 kHzL = 330 µHR = 12 Ω

I_max = A

10.DC-DC 컨버터어려움

이상적인 반전 벅-부스트 컨버터가 250 kHz에서 12 Ω 부하에 대해 24 V를 −56 V로 바꿉니다. 연속 전도 모드를 위한 최소 인덕턴스 L_crit을(를) 구하시오.

Vin = 24 VVo = −56 Vf = 250 kHzR = 12 Ω

L_crit = µH

11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통

저항 500 Ω의 검류계가 그림의 브리지(V_s = 9 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 I_g을(를) µA 단위로 구하시오.

V_s = 9 VR₁ = 800 ΩR₂ = 1000 ΩR₃ = 1000 ΩR₄ = 40 ΩR_g = 500 Ω

I_g = µA

12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움

게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.12 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.12 Ω

ε = µε

13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통

카르노 맵으로 F(A, B, C, D) = Σm(0, 3, 5, 6, 9, 10, 13)의 최소 합의 곱(POS) 형태를 구하시오. 합항(인수)은 몇 개(N)인가?

F(A, B, C, D) = Σm(0, 3, 5, 6, 9, 10, 13)

N =

14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움

d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 3, 4, 9, 10) + d(11, 13)의 필수 소 임플리컨트의 개수 N을(를) 구하시오.

F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 3, 4, 9, 10) + d(11, 13)

N =

3용액

1.다이오드와 트랜지스터

답: V_CE = 13.17 V

BJT 동작점: 활성 영역에서 V_BE = 0.7 V, I_C = β·I_B, I_E = (β + 1)·I_B입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 I_B를 구하고, 이어서 I_C를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 V_CE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 V_TH = V_CC·R₂/(R₁ + R₂), R_TH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.

분압기의 테브난 등가

V_TH = 20·10/(56 + 10) = 3.03 V

R_TH = 56·10/(56 + 10) = 8.485 kΩ

베이스 전류

베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·I_B입니다.

I_B = (3.03 − 0.7)/(8.485 + 101·1) = 21.28 µA

컬렉터 전류

I_C = 100·21.28 µA = 2.128 mA

I_E = 101·21.28 µA = 2.15 mA

컬렉터–이미터 전압

V_CE = 20 − 2.128·2.2 − 2.15·1 = 13.17 V

답

V_CE = 13.17 V

2.다이오드와 트랜지스터

답: R_B = 7.271 kΩ

스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 V_CE = V_CE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: I_C(sat) = (V_CC − V_CE(sat))/R_C. 포화에는 최소 I_B = I_C(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 I_C = β·I_B입니다.

포화 시 컬렉터 전류

I_C(sat) = (12 − 0.2)/220 = 53.64 mA

최소 베이스 전류

I_B(min) = I_C(sat)/β = 53.64/150 = 357.6 µA

베이스 저항

R_B = (3.3 − 0.7)/I_B = 2.6 V/0.3576 mA = 7.271 kΩ

답

R_B = 7.271 kΩ

이보다 작은 베이스 저항도 모두 트랜지스터를 포화시킵니다. 실제로는 몇 배 작은 값을 고릅니다.

3.연산 증폭기 회로

답: R_f = 400 kΩ

이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.

비반전 증폭기의 이득

V₋ = V₊ = V_in이고 R₁의 전류는 R_f에도 흐르므로 V_out = V_in·(1 + R_f/R₁).

A_v = 1 + R_f/R₁

R_f = (5 − 1)·100 = 400 kΩ

답

R_f = 400 kΩ

4.연산 증폭기 회로

답: t = 400 ms

입력 전류와 증가율

kΩ × µF는 밀리초입니다.

RC = 100 kΩ · 1 µF = 100 ms

증가율 = −V_in/(RC) = −3/100 = −0.03 V/ms

포화까지의 시간

|V_in|·t/(RC) = V_sat → t = V_sat·RC/|V_in| = 12·100/3 = 400 ms

답

t = 400 ms

5.RC·RL 과도 현상

답: v_C = 1.534 V

1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e^−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.

커패시터에서 본 테브난 등가 회로

R_th를 구하려면 전원을 단락하고, 최종 전압을 구하려면 커패시터를 개방하세요.

R_th = R₁ ∥ R₂ = 2.2·3.3/(2.2 + 3.3) = 1.32 kΩ

v_C(∞) = 9·3.3/(2.2 + 3.3) = 5.4 V

시정수

τ = R_th·C = 1.32·68 = 89.76 ms

충전 곡선

v_C(t) = 5.4·(1 − e^−30/89.76) = 1.534 V

답

v_C = 1.534 V

6.RC·RL 과도 현상

답: t = 137.1 ms

초기값, 최종값, 시정수

커패시터 전압은 갑자기 변할 수 없으므로 저장된 값에서 시작해 전원 전압으로 향합니다.

v_C(0) = 20 V, v_C(∞) = V_s = 12 V

τ = R·C = 2.2 kΩ · 68 µF = 149.6 ms

v_C(t) = 12 + (20 − 12)·e^−t/τ

시간에 대해 풀기

15.2 = 12 + (8)·e^−t/τ → e^−t/τ = (15.2 − 12)/(20 − 12) = 0.4

t = τ·ln((20 − 12)/(15.2 − 12)) = 149.6·ln(2.5) = 137.1 ms

답

t = 137.1 ms

7.저항의 직렬·병렬

답: R_eq = 24.29 Ω

직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R₃ + R₄ = 10 + 5 = 15 Ω

R₂ ∥ 15 = 6·15/(6+15) = 4.286 Ω

R_eq = R₁ + 4.286 = 20 + 4.286 = 24.29 Ω

답

R_eq = 24.29 Ω

8.저항의 직렬·병렬

답: I_R2 = 0.1508 A

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R₅ + R₆ = 2 + 8 = 10 Ω

R₄ ∥ 10 = 7.143 Ω

R₃ + 7.143 = 10.14 Ω

R₂ ∥ 10.14 = 6.051 Ω

R_eq = R₁ + 6.051 = 10 + 6.051 = 16.05 Ω

전원 전류

전원은 R_eq만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.

I_R1 = V₁/R_eq = 6/16.05 = 0.3738 A

R₂에 흐르는 전류

R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.

V_A = V₁ − I_R1·R₁ = 6 − 0.3738·10 = 2.262 V

I_R2 = V_A/R₂ = 2.262/15 = 0.1508 A

답

I_R2 = 0.1508 A

9.DC-DC 컨버터

답: I_max = 0.6395 A

DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) V_o = D·V_in, 승압(부스트) V_o = V_in/(1 − D), 반전 벅-부스트 |V_o| = V_in·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: V_in·I_in = V_o·I_o. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔI_L = V_L·D·T/L만큼 증가하며, V_L은 강압에서는 V_in − V_o, 승압과 벅-부스트에서는 V_in입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔV_o = ΔI_L/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 I_o·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔI_L/2와 같을 때입니다.

듀티비

D = 6.3/9 = 0.7

평균 전류와 리플 전류

I_o = 6.3/12 = 0.525 A

ΔI_L = V_L·D/(L·f) = 2.7·0.7/(330·10⁻⁶·25·10³) = 0.2291 A

최대 전류

I_max = 0.525 + 0.2291/2 = 0.6395 A

답

I_max = 0.6395 A

10.DC-DC 컨버터

답: L_crit = 2.16 µH

듀티비

D = 56/(24 + 56) = 0.7

경계 조건

평균 인덕터 전류를 리플 전류의 절반과 같게 놓고 L에 대해 푸세요.

L_crit = (1 − D)²·R/(2f)

임계 인덕턴스

L_crit = (1 − 0.7)²·12/(2250·10³) = 2.16 µH

답

L_crit = 2.16 µH

11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: I_g = 4735 µA

휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 V_s를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R₁–R₂는 V_a = V_s·R₂/(R₁ + R₂)를, 오른쪽 분압기 R₃–R₄는 V_b = V_s·R₄/(R₃ + R₄)를 주며, 출력은 V_ab = V_a − V_b입니다. 브리지는 R₁/R₂ = R₃/R₄, 즉 R₁·R₄ = R₂·R₃일 때 평형(V_ab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 R_th = R₁∥R₂ + R₃∥R₄인 테브난 전원입니다.

테브난 전압

V_th = 9·(1000/1800 − 40/1040) = 4.654 V

테브난 저항

R_th = R₁∥R₂ + R₃∥R₄ = 482.9 Ω

검류계 전류

I_g = 4.654/(482.9 + 500) = 4735 µA

답

I_g = 4735 µA

12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: ε = 500 µε

스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 V_o ≈ V_s·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 V_s·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 V_s·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.

상대 저항 변화

ΔR/R = 0.12/120 = 0.001

변형률

ε = 0.001/2 = 0.0005 = 500 µε

답

ε = 500 µε

13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: N = 7

카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.

0 묶기

모든 그룹은 2ᵏ칸의 직사각형입니다. 가장자리 칸은 반대쪽 가장자리의 칸과 이웃합니다.

(B′ + C + D)

(B′ + C′ + D′)

(A′ + C + D)

(A′ + C′ + D′)

(A′ + B′ + D)

(A + B + C + D′)

(A + B + C′ + D)

최소 POS 형태

F = (B′ + C + D)(B′ + C′ + D′)(A′ + C + D)(A′ + C′ + D′)(A′ + B′ + D)(A + B + C + D′)(A + B + C′ + D)

N = 7

답

N = 7

같은 크기의 다른 묶음도 있으며, 항과 리터럴의 수는 같습니다.

14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: N = 3

소 임플리컨트

1과 X로 만들 수 있는 가장 큰 그룹들.

B′D, B′C, AC′D, A′BC′D′

필수 소 임플리컨트

B′D, B′C, A′BC′D′

N = 3

답

N = 3

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