β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 150 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
이상적인 강압(벅) 컨버터가 40 kHz, L = 100 µH에서 36 V를 9 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값 ΔIL을(를) 구하시오.
Vin = 36 VVo = 9 Vf = 40 kHzL = 100 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 승압(부스트) 컨버터가 100 kHz에서 4 Ω 부하에 대해 15 V를 20 V로 바꿉니다. 출력 커패시터는 100 µF입니다. 출력 전압 리플의 피크 투 피크 값 ΔVo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vin = 15 VVo = 20 Vf = 100 kHzC = 100 µFR = 4 Ω
ΔVo = mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
브리지의 네 변이 모두 100 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 10 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 100 ΩΔR = 10 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.1ε = 400 µε
Vo = mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
카르노 맵으로 F(A, B, C, D) = Σm(0, 3, 4, 5, 7, 10, 13, 14)의 최소 곱의 합(SOP) 형태를 구하시오. 전체 리터럴은 몇 개(L)인가(프라임이 붙은 변수도 리터럴 하나로 센다)?
F(A, B, C, D) = Σm(0, 3, 4, 5, 7, 10, 13, 14)
L =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(3, 5, 9, 11, 12) + d(0, 1, 4)의 최소 SOP 형태를 구하시오. 리터럴은 몇 개(L)인가?
F(A, B, C, D) = Σm(3, 5, 9, 11, 12) + d(0, 1, 4)
L =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: VCE = 6.94 V
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 20·4.7/(33 + 4.7) = 2.493 V
RTH = 33·4.7/(33 + 4.7) = 4.114 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (2.493 − 0.7)/(4.114 + 81·0.68) = 30.3 µA
컬렉터 전류
IC = 80·30.3 µA = 2.424 mA
IE = 81·30.3 µA = 2.454 mA
컬렉터–이미터 전압
VCE = 20 − 2.424·4.7 − 2.454·0.68 = 6.94 V
답
VCE = 6.94 V
2.다이오드와 트랜지스터
답: RB = 10.75 kΩ
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
포화 시 컬렉터 전류
IC(sat) = (5 − 0.2)/150 = 32 mA
최소 베이스 전류
IB(min) = IC(sat)/β = 32/80 = 400 µA
베이스 저항
RB = (5 − 0.7)/IB = 4.3 V/0.4 mA = 10.75 kΩ
답
RB = 10.75 kΩ
이보다 작은 베이스 저항도 모두 트랜지스터를 포화시킵니다. 실제로는 몇 배 작은 값을 고릅니다.
3.연산 증폭기 회로
답: Rf = 528 kΩ
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 15 + 15 = 30 Ω
R2 ∥ 30 = 5·30/(5+30) = 4.286 Ω
Req = R1 + 4.286 = 10 + 4.286 = 14.29 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 6/14.29 = 0.42 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 6 − 0.42·10 = 1.8 V
IR2 = VA/R2 = 1.8/5 = 0.36 A
답
IR2 = 0.36 A
8.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.2038 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 25 + 2 = 27 Ω
R4 ∥ 27 = 6.171 Ω
R3 + 6.171 = 21.17 Ω
R2 ∥ 21.17 = 5.806 Ω
Req = R1 + 5.806 = 12 + 5.806 = 17.81 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 5/17.81 = 0.2808 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 5 − 0.2808·12 = 1.63 V
IR2 = VA/R2 = 1.63/8 = 0.2038 A
답
IR2 = 0.2038 A
9.DC-DC 컨버터
답: ΔIL = 1.688 A
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 9/36 = 0.25
켜짐 시간 동안의 인덕터 전압
S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin과 Vo 사이에 있습니다.
VL = 36 − 9 = 27 V
리플 전류
ΔIL = VL·D/(L·f) = 27·0.25/(100·10⁻⁶·40·10³) = 1.688 A
답
ΔIL = 1.688 A
10.DC-DC 컨버터
답: ΔVo = 125 mV
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 1 − 15/20 = 0.25
부하 전류
Io = 20/4 = 5 A
출력 리플
ΔVo = 5·0.25/(100·10³·100·10⁻⁶) = 125 mV
답
ΔVo = 125 mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vab = 142.9 mV
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 6·110/210 = 3.143 V
Vb = 3 V
배설량
Vab = 142.9 mV
답
Vab = 142.9 mV
선형 추정값 Vs·ΔR/(4R) = 150 mV는 5 % 높게 나옵니다. 1/4 브리지는 완전한 선형이 아닙니다.
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vo = 2.52 mV
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
상대 저항 변화
ΔR/R = 2.1·400·10⁻⁶ = 0.00084
브리지 출력
Vo = Vs·GF·ε = 3·0.00084 = 2.52 mV
답
Vo = 2.52 mV
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 12
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.
1 묶기
모든 그룹은 2ᵏ칸의 직사각형입니다. 가장자리 칸은 반대쪽 가장자리의 칸과 이웃합니다.
BC′D
A′C′D′
A′CD
ACD′
최소 SOP 형태
F = BC′D + A′C′D′ + A′CD + ACD′
L = 12
답
L = 12
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: L = 7
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.