β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 150 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB = 100 kΩ을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.
이상적인 반전 벅-부스트 컨버터가 250 kHz, L = 100 µH에서 9 V를 −13.5 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값 ΔIL을(를) 구하시오.
Vin = 9 VVo = −13.5 Vf = 250 kHzL = 100 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 승압(부스트) 컨버터가 40 kHz에서 20 Ω 부하에 대해 15 V를 50 V로 바꿉니다. 연속 전도 모드를 위한 최소 인덕턴스 Lcrit을(를) 구하시오.
Vin = 15 VVo = 50 Vf = 40 kHzR = 20 Ω
Lcrit = µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
브리지의 네 변이 모두 300 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 30 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 300 ΩΔR = 30 Ω
Vab = mV
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
E = 110 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 5 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 1.325 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.12Vo = 1.325 mVE = 110 GPa
σ = MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
카르노 맵으로 F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 6, 8, 10, 11, 13, 15)의 최소 곱의 합(SOP) 형태를 구하시오. 곱항은 몇 개(N)인가?
F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 6, 8, 10, 11, 13, 15)
N =
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
3비트 이진 업 카운터은(는) 0(십진수, Q = 000)에서 시작한다. 클록 펄스가 21번 들어온 뒤 어떤 값(Q, 십진수)을 나타내는가?
Q0 = 021n = 3
Q =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 1.297 mA
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 18·22/(82 + 22) = 3.808 V
RTH = 82·22/(82 + 22) = 17.35 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (3.808 − 0.7)/(17.35 + 101·2.2) = 12.97 µA
컬렉터 전류
IC = 100·12.97 µA = 1.297 mA
IE = 101·12.97 µA = 1.31 mA
답
IC = 1.297 mA
2.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 6.45 mA
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
베이스 전류
IB = (5 − 0.7)/100 kΩ = 43 µA
포화인가, 활성인가?
β·IB가 IC(sat)보다 작으므로 트랜지스터는 활성 영역에 머뭅니다.
β·IB = 6.45 mA
IC(sat) = (9 − 0.2)/150 = 58.67 mA
컬렉터 전류
IC = β·IB = 6.45 mA
답
IC = 6.45 mA
트랜지스터가 활성 영역에 있으므로 부하가 완전히 켜지지 않습니다.
3.연산 증폭기 회로
답: V− = 0.1364 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 단자의 전압
R₃와 R₄에는 같은 전류가 흐르므로 전압 분배기를 이루며, 귀환이 V₋ = V₊가 되게 합니다.
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류
V₋ = 0이므로 각 입력 저항에는 입력 전압 전체가 걸립니다.
I1 = V1/R1 = −0.3/10 = −0.03 mA
I2 = V2/R2 = 0.5/2 = 0.25 mA
If = I1 + I2 = 0.22 mA
출력 전압
Vout = −Rf·If = −10·0.22 = −2.2 V
답
Vout = −2.2 V
5.RC·RL 과도 현상
답: i = 0.9587 A
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
시정수
τ = L/R = 68 mH / 50 Ω = 1.36 ms
전류의 감쇠
i(t) = 2·e−1/1.36 = 0.9587 A
답
i = 0.9587 A
6.RC·RL 과도 현상
답: R = 0.4961 kΩ
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
필요한 시정수
9 = 15·(1 − e−10/τ) → τ = 10/ln(15/(15 − 9))
τ = 10/0.9163 = 10.91 ms
저항
kΩ × µF는 밀리초입니다.
R = τ/C = 10.91/22 = 0.4961 kΩ
답
R = 0.4961 kΩ
7.저항의 직렬·병렬
답: Req = 7 Ω
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 3 + 3 = 6 Ω
R2 ∥ 6 = 12·6/(12+6) = 4 Ω
Req = R1 + 4 = 3 + 4 = 7 Ω
답
Req = 7 Ω
8.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.4493 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 30 + 15 = 45 Ω
R4 ∥ 45 = 3.673 Ω
R3 + 3.673 = 7.673 Ω
R2 ∥ 7.673 = 2.629 Ω
Req = R1 + 2.629 = 12 + 2.629 = 14.63 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 10/14.63 = 0.6836 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 10 − 0.6836·12 = 1.797 V
IR2 = VA/R2 = 1.797/4 = 0.4493 A
답
IR2 = 0.4493 A
9.DC-DC 컨버터
답: ΔIL = 0.216 A
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 13.5/(9 + 13.5) = 0.6
켜짐 시간 동안의 인덕터 전압
S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin에 바로 걸립니다.
VL = 9 V
리플 전류
ΔIL = VL·D/(L·f) = 9·0.6/(100·10⁻⁶·250·10³) = 0.216 A
답
ΔIL = 0.216 A
10.DC-DC 컨버터
답: Lcrit = 15.75 µH
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 1 − 15/50 = 0.7
경계 조건
평균 인덕터 전류를 리플 전류의 절반과 같게 놓고 L에 대해 푸세요.
Lcrit = D(1 − D)²·R/(2f)
임계 인덕턴스
Lcrit = 0.7(1 − 0.7)²·20/(240·10³) = 15.75 µH
답
Lcrit = 15.75 µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Vab = 238.1 mV
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 10·330/630 = 5.238 V
Vb = 5 V
배설량
Vab = 238.1 mV
답
Vab = 238.1 mV
선형 추정값 Vs·ΔR/(4R) = 250 mV는 5 % 높게 나옵니다. 1/4 브리지는 완전한 선형이 아닙니다.
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: σ = 55 MPa
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
변형률
ε = 4·0.001325/(5·2.12) = 0.0005
응력
σ = 110·10³ MPa·0.0005 = 55 MPa
답
σ = 55 MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 5
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.
1 묶기
모든 그룹은 2ᵏ칸의 직사각형입니다. 가장자리 칸은 반대쪽 가장자리의 칸과 이웃합니다.
ACD
A′BD′
AB′D′
ABD
A′B′C′D
최소 SOP 형태
F = ACD + A′BD′ + AB′D′ + ABD + A′B′C′D
N = 5
답
N = 5
같은 크기의 다른 묶음도 있으며, 항과 리터럴의 수는 같습니다.
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: Q = 5
플립플롭과 카운터: 플립플롭은 클록의 활성 에지에서만 바뀝니다. D는 입력을 복사합니다(Q⁺ = D). T는 T = 1이면 토글합니다. JK는 00이면 유지, 01이면 리셋, 10이면 셋, 11이면 토글합니다. n비트 이진 카운터는 상태가 2ⁿ개이고 2ⁿ을 법으로 세며, mod-N 카운터는 0, 1, …, N − 1을 거쳐 다시 0으로 돌아가고 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n개의 플립플롭이 필요합니다. 리플 카운터는 단마다 주파수가 절반이 되므로 mod-N 카운터의 마지막 출력은 fclk/N으로 동작합니다. 플립플롭 n개의 존슨 카운터는 상태가 2n개, 링 카운터는 n개입니다.