전자회로 1: 벼락치기 팩

공식 모음, 모든 주제의 핵심 풀이 단계, 연습 문제 14개가 들어 있으며 전체 풀이는 맨 뒤에 있습니다.

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1공식과 풀이 방법

다이오드와 트랜지스터

다이오드(정전압 강하 모델)
VD = 0.7 V when conducting
활성 영역
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
고정 바이어스
IB = (VCC − 0.7)/RB
전압 분배 바이어스
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
분압기의 테브난 등가
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
컬렉터 루프
VCE = VCC − ICRC − IERE
포화
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

연산 증폭기 회로

반전 증폭기
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
비반전 증폭기
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
가산 증폭기
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
이상적인 연산 증폭기
V+ = V−, Iin = 0

RC·RL 과도 현상

시정수
τ = RC | τ = L/R
응답
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
직류에서의 커패시터
개방; vC는 갑자기 변할 수 없음
직류에서의 인덕터
단락; iL은 갑자기 변할 수 없음
정상 상태 값
t ≈ 5τ

방법

  1. 스위칭 직후의 초깃값을 구하세요. 커패시터 전압과 인덕터 전류는 갑자기 변할 수 없습니다.
  2. 스위칭 후 충분히 지난 뒤의 최종값을 구하세요. 커패시터는 개방 회로, 인덕터는 단락 회로처럼 동작합니다.
  3. 커패시터나 인덕터에서 본 저항을 이용해 시정수 τ = RC 또는 τ = L/R을 구하세요.
  4. x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ를 쓰세요.

저항의 직렬·병렬

저항의 직렬 연결
Req = R1 + R2 + …
저항의 병렬 연결
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
두 저항의 병렬
Req = R1R2 / (R1 + R2)
옴의 법칙
V = I·R
전력
P = V·I = I²R = V²/R

방법

  1. 단자에서 가장 먼 회로망 끝에서 시작하세요.
  2. 직렬 저항은 더하고, 병렬 저항은 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …로 합성하세요.
  3. 단계마다 회로를 다시 그리세요.
  4. 단자 사이에 저항이 하나 남을 때까지 반복하세요.

DC-DC 컨버터

강압(벅)
Vo = D·Vin
승압(부스트)
Vo = Vin/(1 − D)
반전 벅-부스트
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
이상적인 전력 평형
VinIin = VoIo
인덕터 리플
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
평균 인덕터 전류
강압 Io; 승압과 벅-부스트 Io/(1 − D)
출력 리플
강압 ΔIL/(8fC); 승압과 벅-부스트 Io·D/(fC)
CCM 경계
강압 (1 − D)R/(2f); 승압 D(1 − D)²R/(2f); 벅-부스트 (1 − D)²R/(2f)

방법

  1. 컨버터(강압, 승압, 벅-부스트)를 식별하고 전압비로부터 듀티비 D를 구하세요.
  2. 인덕터의 볼트-초 평형을 쓰세요. 한 주기 동안 인덕터 평균 전압은 0입니다.
  3. 스위치가 켜져 있는 동안의 인덕터 전압을 구한 뒤 ΔIL = VL·D/(L·f)를 쓰세요.
  4. 출력 리플은 커패시터로 들어가고 나오는 전하를 구하고, CCM 경계는 평균 인덕터 전류를 ΔIL/2와 같게 놓으세요.

휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

분압기 전압
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
배설량
Vab = Va − Vb
균형
R1/R2 = R3/R4
슬라이드 와이어 브리지
R/Rx = l/(100 − l)
테브난 저항
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
게이지율
ΔR/R = GF·ε
브리지 출력
1/4 브리지 Vs·GF·ε/4, 1/2 브리지 Vs·GF·ε/2, 풀 브리지 Vs·GF·ε
미소 변화, 한 변
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
응력
σ = E·ε

방법

  1. 브리지를 같은 전원에 걸린 두 개의 분압기로 보세요.
  2. 평형에서는 R₁/R₂ = R₃/R₄로 놓고 미지 저항에 대해 푸세요.
  3. 불평형 브리지는 분압기에서 Va와 Vb를 구해 빼세요. 계기가 출력에 부하로 걸리면 테브난 등가회로를 쓰세요.
  4. 스트레인 게이지는 변형률을 ΔR/R = GF·ε로 바꾸고, 1/4, 1/2, 풀 브리지에 대해 각각 Vs·GF·ε/4, /2, ×1을 쓰세요.

디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

기본 게이트
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
불 규칙
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
드모르간 법칙
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
카르노 맵의 순서
00, 01, 11, 10 (Gray code)
2ᵏ칸의 그룹
변수 k개를 잃음
4-대-1 멀티플렉서
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
플립플롭
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
카운터
n비트: 2ⁿ개 상태; mod-N: 2ⁿ ≥ N인 가장 작은 n; fout = fclk/N
리플 카운터
fmax = 1/(n·tpd)
링 카운터와 존슨 카운터
상태 n개와 2n개

방법

  1. 회로는 입력에서 출력까지 게이트를 하나씩 따라가며 모든 선에 값을 적거나, 식을 쓰고 진리표를 채우세요.
  2. 간소화할 때는 1(그리고 무정의항은 X)을 그레이 코드 행과 열(00, 01, 11, 10)을 가진 카르노 맵에 넣으세요.
  3. 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 가능한 한 적고 큰 그룹으로 덮되 가장자리를 넘어 이어 보세요. 각 그룹은 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. POS 형태는 0들을 묶으세요.
  4. 플립플롭과 카운터는 활성 클록 에지마다 입력을 읽고, 에지마다 상태를 적고, n비트 카운터는 2ⁿ개 상태 뒤에 되돌아간다는 것을 기억하세요.

2연습 문제

1.다이오드와 트랜지스터보통
+−12 VR = ?3 × 3.2 V25 mA

3 파랑개의 LED(각각 순방향 전압 3.2 V)가 저항과 직렬로 12 V 전원에 연결되어 있습니다. 전류를 25 mA로 정하는 저항 R을(를) 구하시오.

Vs = 12 VVF = 3.2 Vn = 3I = 25 mA
R = Ω
2.다이오드와 트랜지스터어려움
V (V)I (mA)0.65640Q = ?

다이오드를 5 Ω과 직렬인 0.65 V로 모델링합니다(0.65 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 150 Ω 저항과 직렬로 6 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.

Vs = 6 VR = 150 ΩV0 = 0.65 Vrd = 5 Ω
ID = mA
3.연산 증폭기 회로보통
−+Vout​R2​ = 22 kΩV1​ = −0.7 VR1​ = 4.7 kΩV2​ = 1.6 VR3​ = 4.7 kΩR4​ = 22 kΩ

차동 증폭기는 ±15 V 전원의 이상적인 연산 증폭기를 쓰며, R3 = R1, R4 = R2이다. 출력 전압 Vout을(를) 구하시오.

V1 = −0.7 VV2 = 1.6 VR1 = R3 = 4.7 kΩR2 = R4 = 22 kΩ
Vout = V
4.연산 증폭기 회로어려움
Vin​V1​Vout​1단: 반전R1​ = 22 kΩRf1​ = 22 kΩ2단: 비반전R2​ = 22 kΩRf2​ = 10 kΩ

이상적인 연산 증폭기 두 단이 종속 연결되어 있다: 반전 증폭기(R1, Rf1) 다음에 비반전 증폭기(접지 쪽 R2, 귀환에 Rf2)가 있다. 둘 다 ±15 V 전원으로 동작한다. 입력은 Vin = −0.7 V이다. 출력 전압 Vout을(를) 구하시오.

R1 = 22 kΩRf1 = 22 kΩR2 = 22 kΩRf2 = 10 kΩVin = −0.7 V
Vout = V
5.RC·RL 과도 현상보통
+−Vs​24 Vt = 0R = 33 ΩL10 mHi(t)

t = 0에서 스위치가 닫히기 전에는 인덕터에 전류가 흐르지 않는다. t = 1 ms에서 인덕터에 저장된 에너지 W을(를) mJ로 구하시오.

Vs = 24 VR = 33 ΩL = 10 mHt = 1 ms
W = mJ
6.RC·RL 과도 현상어려움
+−Vs​6 VR1​ = 5 ΩR2​ = 33 Ωt = 0에 열림L150 mHi(t)

R2 양단의 스위치가 오랫동안 닫혀 있었으므로 인덕터 전류는 정상 상태이다. t = 0에 스위치가 열린다. t = 0 후 얼마 만에 인덕터 전류가 0.887 A에 도달하는가? t을(를) 구하시오.

Vs = 6 VR1 = 5 ΩR2 = 33 ΩL = 150 mH
t = ms
7.저항의 직렬·병렬보통
R1​ = 2 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​12 VR2​6 ΩAR4​2 ΩB

전원 V1이(가) 보는 합성 저항 Req을(를) 구하시오.

V1 = 12 VR1 = 2 ΩR2 = 6 ΩR3 = 5 ΩR4 = 2 Ω
Req = Ω
8.저항의 직렬·병렬어려움
R1​ = 8 ΩR3​ = 8 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​5 VR2​25 ΩIR2​AR4​4 ΩBR6​5 Ω

R2에 흐르는 전류 IR2을(를) 구하시오.

V1 = 5 VR1 = 8 ΩR2 = 25 ΩR3 = 8 ΩR4 = 4 ΩR5 = 12 ΩR6 = 5 Ω
IR2 = A
9.DC-DC 컨버터보통
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

이상적인 강압(벅) 컨버터가 100 kHz, L = 100 µH에서 48 V를 19.2 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값 ΔIL을(를) 구하시오.

Vin​ = 48 VVo​ = 19.2 Vf = 100 kHzL = 100 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 컨버터어려움
tiL​Imax​IL​DTT2T

이상적인 강압(벅) 컨버터가 250 kHz에서 50 Ω 부하에 대해 9 V를 6.3 V로 바꿉니다. 연속 전도 모드를 위한 최소 인덕턴스 Lcrit을(를) 구하시오.

Vin​ = 9 VVo​ = 6.3 Vf = 250 kHzR = 50 Ω
Lcrit = µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
+−2 VR1​ = 400 ΩR2​ = 1000 ΩR3​ = 150 ΩR4​ = 50 ΩabGRg​ = 500 Ω

저항 500 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 2 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.

Vs = 2 VR1 = 400 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 150 ΩR4 = 50 ΩRg = 500 Ω
Ig = µA
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
+−5 V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−0.656 mV

능동 게이지 하나(GF = 2.1)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 0.656 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.

Vs = 5 VGF = 2.1Vo = 0.656 mV
ε = µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
ABCD0001111000011110111111

이 카르노 맵에서는 이웃한 1이 없는 1이 정확히 하나 있으며, 최소 SOP 형태에서 한 칸짜리 그룹(리터럴 네 개의 완전한 최소항)으로 남습니다. 맵의 가장자리를 넘어서 이웃한 칸도 센다. 그 칸을 클릭하세요.

F = Σm(1, 3, 4, 7, 8, 10)
  1. 1AB = 00, CD = 00
  2. 2AB = 00, CD = 01
  3. 3AB = 00, CD = 11
  4. 4AB = 00, CD = 10
  5. 5AB = 01, CD = 00
  6. 6AB = 01, CD = 01
  7. 7AB = 01, CD = 11
  8. 8AB = 01, CD = 10
  9. 9AB = 11, CD = 00
  10. 10AB = 11, CD = 01
  11. 11AB = 11, CD = 11
  12. 12AB = 11, CD = 10
  13. 13AB = 10, CD = 00
  14. 14AB = 10, CD = 01
  15. 15AB = 10, CD = 11
  16. 16AB = 10, CD = 10
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
ABCD000111100001111000110312X4050716X12113115114X809111010

d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 6, 11, 13, 14, 15) + d(4, 8, 12)의 필수 소 임플리컨트의 개수 N을(를) 구하시오.

F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 6, 11, 13, 14, 15) + d(4, 8, 12)
N =

3용액

1.다이오드와 트랜지스터

답: R = 96 Ω

LED와 다이오드 회로: 순방향 바이어스된 LED는 전류와 관계없이 대략 순방향 전압 VF(빨강은 약 2 V, 파랑이나 흰색은 약 3 V)만큼 전압이 떨어집니다. 직렬 저항이 전류를 정합니다: 직렬 LED n개에 대해 R = (Vs − n·VF)/I. 더 정확한 다이오드 모델 V = V₀ + I·rd에서는 동작점이 다이오드 직선과 부하선 I = (Vs − V)/R이 만나는 곳이므로 I = (Vs − V₀)/(R + rd)입니다.

저항 양단의 전압

VR = 12 − 3·3.2 = 2.4 V

저항

R = 2.4/0.025 = 96 Ω

답

R = 96 Ω

저항은 60 mW를 소비합니다.

2.다이오드와 트랜지스터

답: ID = 34.52 mA

LED와 다이오드 회로: 순방향 바이어스된 LED는 전류와 관계없이 대략 순방향 전압 VF(빨강은 약 2 V, 파랑이나 흰색은 약 3 V)만큼 전압이 떨어집니다. 직렬 저항이 전류를 정합니다: 직렬 LED n개에 대해 R = (Vs − n·VF)/I. 더 정확한 다이오드 모델 V = V₀ + I·rd에서는 동작점이 다이오드 직선과 부하선 I = (Vs − V)/R이 만나는 곳이므로 I = (Vs − V₀)/(R + rd)입니다.

두 식을 결합하기

6 = 0.65 + I·(150 + 5)

동작 전류

ID = 5.35/155 = 34.52 mA
VD = 0.65 + 0.03452·5 = 0.8226 V

답

ID = 34.52 mA
3.연산 증폭기 회로

답: Vout = 10.77 V

이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.

입력 단자의 전압

R₃와 R₄에는 같은 전류가 흐르므로 전압 분배기를 이루며, 귀환이 V₋ = V₊가 되게 합니다.

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = 1.6·22/(4.7 + 22) = 1.318 V
V₋ = V₊

반전 입력에서의 KCL

(−0.7 − 1.318)/4.7 = (1.318 − Vout)/22
Vout = (R2/R1)·(V2 − V1) = (22/4.7)·(1.6 − (−0.7)) = 10.77 V

답

Vout = 10.77 V
4.연산 증폭기 회로

답: Vout = 1.018 V

이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.

각 단의 이득

A1 = −Rf1/R1 = −22/22 = −1
A2 = 1 + Rf2/R2 = 1 + 10/22 = 1.455

단별 계산

V1 = −1·(−0.7) = 0.7 V
Vout = 1.455·0.7 = 1.018 V

답

Vout = 1.018 V
5.RC·RL 과도 현상

답: W = 2.453 mJ

1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.

시정수와 최종 전류

스위치를 닫고 오래 지나면 인덕터는 단락처럼 동작하므로 최종 전류는 R로만 정해집니다.

τ = L/R = 10 mH / 33 Ω = 0.303 ms
i(∞) = Vs/R = 24/33 = 0.7273 A

주어진 시각의 전류

i(t) = 0.7273·(1 − e−1/0.303) = 0.7004 A

저장된 에너지

W = ½·L·i² = ½·10·0.7004² = 2.453 mJ

답

W = 2.453 mJ
6.RC·RL 과도 현상

답: t = 1.41 ms

1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.

초기값, 최종값, 시정수

t = 0 전에는 닫힌 스위치가 R₂를 우회하고, 그 후에는 R₁과 R₂가 모두 루프에 있습니다.

i(0) = 6/5 = 1.2 A
i(∞) = 6/(5 + 33) = 0.1579 A
τ = L/R = 150/38 = 3.947 ms
i(t) = 0.1579 + (1.2 − 0.1579)·e−t/τ

시간에 대해 풀기

e−t/τ = (0.887 − 0.1579)/(1.2 − 0.1579) = 0.6996
t = 3.947·ln(1.429) = 1.41 ms

답

t = 1.41 ms
7.저항의 직렬·병렬

답: Req = 5.231 Ω

직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.

R1​ = 2 ΩR3​ = 5 Ω+−V1​12 VR2​6 ΩAR4​2 ΩB

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R3 + R4 = 5 + 2 = 7 Ω
R2 ∥ 7 = 6·7/(6+7) = 3.231 Ω
Req = R1 + 3.231 = 2 + 3.231 = 5.231 Ω

답

Req = 5.231 Ω
8.저항의 직렬·병렬

답: IR2 = 0.09843 A

직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.

R1​ = 8 ΩR3​ = 8 ΩR5​ = 12 Ω+−V1​5 VR2​25 ΩAR4​4 ΩBR6​5 Ω

먼 쪽 끝부터 저항 합치기

전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.

R5 + R6 = 12 + 5 = 17 Ω
R4 ∥ 17 = 3.238 Ω
R3 + 3.238 = 11.24 Ω
R2 ∥ 11.24 = 7.753 Ω
Req = R1 + 7.753 = 8 + 7.753 = 15.75 Ω

전원 전류

전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.

IR1 = V1/Req = 5/15.75 = 0.3174 A

R₂에 흐르는 전류

R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.

VA = V1 − IR1·R1 = 5 − 0.3174·8 = 2.461 V
IR2 = VA/R2 = 2.461/25 = 0.09843 A

답

IR2 = 0.09843 A
9.DC-DC 컨버터

답: ΔIL = 1.152 A

DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.

듀티비

D = 19.2/48 = 0.4

켜짐 시간 동안의 인덕터 전압

S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin과 Vo 사이에 있습니다.

VL = 48 − 19.2 = 28.8 V

리플 전류

ΔIL = VL·D/(L·f) = 28.8·0.4/(100·10⁻⁶·100·10³) = 1.152 A

답

ΔIL = 1.152 A
10.DC-DC 컨버터

답: Lcrit = 30 µH

DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.

듀티비

D = 6.3/9 = 0.7

경계 조건

평균 인덕터 전류를 리플 전류의 절반과 같게 놓고 L에 대해 푸세요.

Lcrit = (1 − D)·R/(2f)

임계 인덕턴스

Lcrit = (1 − 0.7)·50/(2250·10³) = 30 µH

답

Lcrit = 30 µH
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: Ig = 1128 µA

휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.

테브난 전압

Vth = 2·(1000/1400 − 50/200) = 0.9286 V

테브난 저항

Rth = R₁∥R₂ + R₃∥R₄ = 323.2 Ω

검류계 전류

Ig = 0.9286/(323.2 + 500) = 1128 µA

답

Ig = 1128 µA
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지

답: ε = 249.9 µε

스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.

1/4 브리지 방정식 풀기

ε = 4·0.000656/(5·2.1) = 0.0002499

마이크로 스트레인 단위로

ε = 249.9 µε

답

ε = 249.9 µε
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: AB = 01, CD = 00

카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.

각 1의 이웃

이웃한 1이 있는 1은 두 칸 이상의 그룹에 들어갈 수 있습니다.

m4: m5, m6, m0, m12 → 0
ABCD0001111000011110111111

고립된 1

m4 = A′BC′D′ → AB = 01, CD = 00

답

AB = 01, CD = 00
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭

답: N = 4

카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.

소 임플리컨트

1과 X로 만들 수 있는 가장 큰 그룹들.

BD′, A′CD′, ACD, AB, A′B′C′D
ABCD000111100001111000110312X4050716X12113115114X809111010

필수 소 임플리컨트

A′CD′, ACD, AB, A′B′C′D
N = 4

답

N = 4

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