β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 680 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB = 220 kΩ을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.
이상적인 반전 벅-부스트 컨버터가 100 kHz, L = 47 µH에서 12 V를 −36 V로 바꿉니다. 인덕터 리플 전류의 피크 투 피크 값 ΔIL을(를) 구하시오.
Vin = 12 VVo = −36 Vf = 100 kHzL = 47 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 컨버터어려움
이상적인 승압(부스트) 컨버터가 250 kHz에서 8 Ω 부하에 대해 9 V를 22.5 V로 바꿉니다. 출력 커패시터는 47 µF입니다. 출력 전압 리플의 피크 투 피크 값 ΔVo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vin = 9 VVo = 22.5 Vf = 250 kHzC = 47 µFR = 8 Ω
ΔVo = mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지보통
네 변이 모두 300 Ω인 브리지에 10 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 122 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR = 300 ΩVab = 122 mV
ΔR = Ω
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지어려움
E = 200 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2.12)가 3 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 0.795 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.12Vo = 0.795 mVE = 200 GPa
σ = MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭보통
이 카르노 맵에서는 이웃한 1이 없는 1이 정확히 하나 있으며, 최소 SOP 형태에서 한 칸짜리 그룹(리터럴 네 개의 완전한 최소항)으로 남습니다. 맵의 가장자리를 넘어서 이웃한 칸도 센다. 그 칸을 클릭하세요.
F = Σm(0, 1, 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 15)
1AB = 00, CD = 00
2AB = 00, CD = 01
3AB = 00, CD = 11
4AB = 00, CD = 10
5AB = 01, CD = 00
6AB = 01, CD = 01
7AB = 01, CD = 11
8AB = 01, CD = 10
9AB = 11, CD = 00
10AB = 11, CD = 01
11AB = 11, CD = 11
12AB = 11, CD = 10
13AB = 10, CD = 00
14AB = 10, CD = 01
15AB = 10, CD = 11
16AB = 10, CD = 10
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭어려움
d가 무정의항을 나타낼 때 F(A, B, C, D) = Σm(1, 3, 5, 10, 13) + d(2, 6, 15)의 필수 소 임플리컨트의 개수 N을(를) 구하시오.
F(A, B, C, D) = Σm(1, 3, 5, 10, 13) + d(2, 6, 15)
N =
3용액
1.다이오드와 트랜지스터
답: VCE = 16.65 V
BJT 동작점: 활성 영역에서 VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB입니다. 베이스 루프에 KVL을 적용해 IB를 구하고, 이어서 IC를, 그다음 컬렉터–이미터 루프에서 VCE를 구하세요. 베이스의 분압기는 테브난 등가 VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂로 대체하며, 이미터 저항은 베이스 루프에서 (β + 1)배 크게 나타납니다.
분압기의 테브난 등가
VTH = 20·4.7/(47 + 4.7) = 1.818 V
RTH = 47·4.7/(47 + 4.7) = 4.273 kΩ
베이스 전류
베이스 루프를 따라 KVL. 이미터 전류는 (β + 1)·IB입니다.
IB = (1.818 − 0.7)/(4.273 + 101·0.68) = 15.33 µA
컬렉터 전류
IC = 100·15.33 µA = 1.533 mA
IE = 101·15.33 µA = 1.548 mA
컬렉터–이미터 전압
VCE = 20 − 1.533·1.5 − 1.548·0.68 = 16.65 V
답
VCE = 16.65 V
2.다이오드와 트랜지스터
답: IC = 2.364 mA
스위치로서의 BJT: 부하를 완전히 켜려면 트랜지스터를 포화 영역으로 구동합니다. 이때 VCE = VCE(sat)이고 컬렉터 전류는 부하가 정합니다: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC. 포화에는 최소 IB = IC(sat)/β가 필요합니다. 베이스 전류가 이보다 작으면 트랜지스터는 활성 영역에 머물고 IC = β·IB입니다.
베이스 전류
IB = (3.3 − 0.7)/220 kΩ = 11.82 µA
포화인가, 활성인가?
β·IB가 IC(sat)보다 작으므로 트랜지스터는 활성 영역에 머뭅니다.
β·IB = 2.364 mA
IC(sat) = (5 − 0.2)/680 = 7.059 mA
컬렉터 전류
IC = β·IB = 2.364 mA
답
IC = 2.364 mA
트랜지스터가 활성 영역에 있으므로 부하가 완전히 켜지지 않습니다.
3.연산 증폭기 회로
답: Vout = 0.9306 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류
V₋ = 0이므로 각 입력 저항에는 입력 전압 전체가 걸립니다.
I1 = V1/R1 = −0.9/47 = −0.01915 mA
I2 = V2/R2 = 0.5/4.7 = 0.1064 mA
If = I1 + I2 = 0.08723 mA
출력 전압
Vout = −Rf·If = −47·0.08723 = −4.1 V
답
Vout = −4.1 V
5.RC·RL 과도 현상
답: t = 1.52 ms
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
시정수와 최종 전류
스위치를 닫고 오래 지나면 인덕터는 단락처럼 동작하므로 최종 전류는 R로만 정해집니다.
τ = L/R = 33 mH / 100 Ω = 0.33 ms
i(∞) = Vs/R = 20/100 = 0.2 A
시간에 대해 풀기
0.99 = 1 − e−t/τ → t = −τ·ln(1 − 0.99)
t = −0.33·ln(0.01) = 1.52 ms
답
t = 1.52 ms
6.RC·RL 과도 현상
답: R = 9.921 kΩ
1차 과도 현상: 커패시터나 인덕터가 하나인 회로에서 모든 전압과 전류는 초기값에서 최종값으로 지수적으로 변합니다: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ, τ = RC 또는 τ = L/R. 약 5τ 뒤에 회로가 정상 상태가 됩니다.
필요한 시정수
3 = 5·(1 − e−200/τ) → τ = 200/ln(5/(5 − 3))
τ = 200/0.9163 = 218.3 ms
저항
kΩ × µF는 밀리초입니다.
R = τ/C = 218.3/22 = 9.921 kΩ
답
R = 9.921 kΩ
7.저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.7059 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 6 + 4 = 10 Ω
R2 ∥ 10 = 10·10/(10+10) = 5 Ω
Req = R1 + 5 = 12 + 5 = 17 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 24/17 = 1.412 A
R₂에 흐르는 전류
R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1·R1 = 24 − 1.412·12 = 7.059 V
IR2 = VA/R2 = 7.059/10 = 0.7059 A
답
IR2 = 0.7059 A
8.저항의 직렬·병렬
답: IR1 = 2.029 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
먼 쪽 끝부터 저항 합치기
전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 30 + 25 = 55 Ω
R4 ∥ 55 = 6.984 Ω
R3 + 6.984 = 21.98 Ω
R2 ∥ 21.98 = 6.873 Ω
Req = R1 + 6.873 = 2 + 6.873 = 8.873 Ω
전원 전류
전원은 Req만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1/Req = 18/8.873 = 2.029 A
답
IR1 = 2.029 A
9.DC-DC 컨버터
답: ΔIL = 1.915 A
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 36/(12 + 36) = 0.75
켜짐 시간 동안의 인덕터 전압
S가 켜져 있는 동안 인덕터는 Vin에 바로 걸립니다.
VL = 12 V
리플 전류
ΔIL = VL·D/(L·f) = 12·0.75/(47·10⁻⁶·100·10³) = 1.915 A
답
ΔIL = 1.915 A
10.DC-DC 컨버터
답: ΔVo = 143.6 mV
DC-DC 컨버터: 스위치 S는 매 주기 T = 1/f 중 D의 비율 동안 켜집니다. 정상상태에서 인덕터의 평균 전압은 0이며(볼트-초 평형), 이로부터 연속 전도 모드에서의 이상적인 변환비가 나옵니다. 강압(벅) Vo = D·Vin, 승압(부스트) Vo = Vin/(1 − D), 반전 벅-부스트 |Vo| = Vin·D/(1 − D)입니다. 이상적인 컨버터는 전력을 보존합니다: Vin·Iin = Vo·Io. S가 켜져 있는 동안 인덕터 전류는 ΔIL = VL·D·T/L만큼 증가하며, VL은 강압에서는 Vin − Vo, 승압과 벅-부스트에서는 Vin입니다. 출력 리플은 강압에서 ΔVo = ΔIL/(8fC), 승압과 벅-부스트에서 Io·D/(fC)입니다. 인덕터 전류가 겨우 0에 닿는 경우(CCM 경계)는 평균 인덕터 전류가 ΔIL/2와 같을 때입니다.
듀티비
D = 1 − 9/22.5 = 0.6
부하 전류
Io = 22.5/8 = 2.813 A
출력 리플
ΔVo = 2.813·0.6/(250·10³·47·10⁻⁶) = 143.6 mV
답
ΔVo = 143.6 mV
11.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ΔR = 15 Ω
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1–R2는 Va = Vs·R2/(R1 + R2)를, 오른쪽 분압기 R3–R4는 Vb = Vs·R4/(R3 + R4)를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb입니다. 브리지는 R1/R2 = R3/R4, 즉 R1·R4 = R2·R3일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1∥R2 + R3∥R4인 테브난 전원입니다.
노드 전압
Va = 5 + 0.122 = 5.122 V
분압식 풀기
R₂ = 300·5.122/(10 − 5.122) = 315 Ω
ΔR = 315 − 300 = 15 Ω
답
ΔR = 15 Ω
12.휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: σ = 100 MPa
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
변형률
ε = 4·0.000795/(3·2.12) = 0.0005
응력
σ = 200·10³ MPa·0.0005 = 100 MPa
답
σ = 100 MPa
13.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: AB = 01, CD = 10
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.
각 1의 이웃
이웃한 1이 있는 1은 두 칸 이상의 그룹에 들어갈 수 있습니다.
m6: m7, m4, m2, m14 → 0
고립된 1
m6 = A′BCD′ → AB = 01, CD = 10
답
AB = 01, CD = 10
14.디지털 논리: 게이트, 카르노 맵, 플립플롭
답: N = 1
카르노 맵: 칸은 그레이 코드(00, 01, 11, 10) 순서로 배열되므로, 가장자리를 넘어 이웃한 칸을 포함해 이웃한 칸은 정확히 한 변수만 다릅니다. 모든 1이 덮일 때까지 1들을 1, 2, 4, 8, 16칸의 직사각형으로, 가능한 한 크고 가능한 한 적게 묶으세요. 각 그룹은 그 안에서 일정하게 유지되는 변수로 이루어진 곱항 하나입니다. 2ᵏ칸의 그룹은 변수 k개를 잃습니다. 무정의항(X)은 그룹을 키우는 데 쓸 수 있지만 반드시 덮을 필요는 없습니다. 0들을 묶으면 최소 POS 형태가 나옵니다.