1 공식과 풀이 방법휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
분압기 전압 Va = Vs R2 /(R1 + R2 ), Vb = Vs R4 /(R3 + R4 )
배설량 Vab = Va − Vb
균형 R1 /R2 = R3 /R4
슬라이드 와이어 브리지 R/Rx = l/(100 − l)
테브난 저항 Rth = R1 ∥R2 + R3 ∥R4
게이지율 ΔR/R = GF·ε
브리지 출력 1/4 브리지 Vs ·GF·ε/4, 1/2 브리지 Vs ·GF·ε/2, 풀 브리지 Vs ·GF·ε
미소 변화, 한 변 Vab ≈ Vs ·ΔR/(4R)
응력 σ = E·ε 방법 브리지를 같은 전원에 걸린 두 개의 분압기로 보세요. 평형에서는 R₁/R₂ = R₃/R₄로 놓고 미지 저항에 대해 푸세요. 불평형 브리지는 분압기에서 Va 와 Vb 를 구해 빼세요. 계기가 출력에 부하로 걸리면 테브난 등가회로를 쓰세요. 스트레인 게이지는 변형률을 ΔR/R = GF·ε로 바꾸고, 1/4, 1/2, 풀 브리지에 대해 각각 Vs ·GF·ε/4, /2, ×1을 쓰세요. 데이터 수집과 표본화
나이퀴스트 조건 fs > 2·fmax , fN = fs /2
에일리어스 주파수 fa = |f − k·fs |, k = round(f/fs )
스텝 크기 1 LSB = VFSR /2ᴺ
양자화 오차(반올림) ±½ LSB
절사형 ADC 코드 D = ⌊Vin /LSB⌋
분해능 r에 필요한 비트 수 2ᴺ ≥ span/r
이상적인 SQNR, 풀스케일 사인파 SQNR = 6.02·N + 1.76 dB
데이터 전송률 채널 수 × fs × N bit/s
멀티플렉스 ADC fs = 1/(n·(tc + tset ))
UART Tb = 1/baud; 8N1 = 바이트당 10비트; bytes/s = baud/프레임당 비트 수
보율 분주기 baud = fclk /(16·D) 방법 주어진 값을 적으세요: 표본화율, 신호 주파수, 비트 수, 입력 범위, 보율. 표본화 문제에서는 각 주파수를 fs /2와 비교하세요. 더 높은 주파수는 fs 의 가장 가까운 배수를 이용해 fa = |f − k·fs |에 나타납니다. 분해능 문제에서는 1 LSB = VFSR /2ᴺ을 구하거나, 2ᴺ ≥ 범위/분해능을 만족하는 가장 작은 N을 찾으세요. 데이터 전송률과 UART 링크 문제에서는 전송되는 모든 것을 세세요: 채널, 초당 표본 수, 표본당 비트 또는 전체 바이트, 그리고 모든 프레임의 시작, 패리티, 정지 비트. 연산 증폭기 회로
반전 증폭기 Vout = −(Rf /Rin )·Vin
비반전 증폭기 Vout = (1 + Rf /R1 )·Vin
가산 증폭기 Vout = −Rf (V1 /R1 + V2 /R2 )
이상적인 연산 증폭기 V+ = V− , Iin = 0 저항의 직렬·병렬
저항의 직렬 연결 Req = R1 + R2 + …
저항의 병렬 연결 1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
두 저항의 병렬 Req = R1 R2 / (R1 + R2 )
옴의 법칙 V = I·R
전력 P = V·I = I²R = V²/R 방법 단자에서 가장 먼 회로망 끝에서 시작하세요. 직렬 저항은 더하고, 병렬 저항은 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …로 합성하세요. 단계마다 회로를 다시 그리세요. 단자 사이에 저항이 하나 남을 때까지 반복하세요. 테브난·노턴
테브난 전압 Vth = Vopen circuit
테브난 저항 Rth : 모든 전원을 제거하고 a–b에서 본 저항
노턴 전류 IN = Vth /Rth
부하 전류 IL = Vth /(Rth + RL )
최대 전력 전달 RL = Rth , Pmax = Vth ²/(4Rth ) 방법 부하를 떼어 내고 두 단자를 a와 b로 표시하세요. a와 b 사이의 개방 전압을 구하세요. 이것이 Vth 입니다. 모든 독립 전원을 끄고 a–b에서 본 저항을 구하세요. 이것이 Rth 입니다. 부하를 등가 회로에 다시 연결합니다: Vth 와 Rth 의 직렬. 노턴 등가 회로로 변환합니다: IN = Vth /Rth , RN = Rth 를 병렬로. 2 연습 문제1. 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 보통
+ − 9 V R1 = 300 Ω R2 = 800 Ω R3 = 120 Ω R4 = 1000 Ω a b G Rg = 50 Ω
저항 50 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 9 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig 을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 9 V R1 = 300 Ω R2 = 800 Ω R3 = 120 Ω R4 = 1000 Ω Rg = 50 Ω
Ig =
2. 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 어려움
+ − 5 V 350 Ω 350 Ω + ΔR 350 Ω 350 Ω a b + − 3.075 mV
능동 게이지 하나(GF = 2.05)인 1/4 브리지에 5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 3.075 mV로 읽힙니다. 변형률 ε 을(를) µε 단위로 구하시오.
Vs = 5 V GF = 2.05 Vo = 3.075 mV
ε =
3. 데이터 수집과 표본화 보통
S D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 P Tb 12·Tb 19200 Bd, 8E2 UART가 19200 baud로 8E2 형식의 바이트를 보냅니다: 데이터 비트 8개, 짝수 패리티 비트 1개, 정지 비트 2개, 그리고 시작 비트. 초당 전송할 수 있는 데이터 바이트의 최대 개수를 구하시오.
baud = 19200 Bd 8E2
RB =
4. 데이터 수집과 표본화 어려움
700 Hz 구형파를 안티에일리어싱 필터 없이 2 kHz로 표본화합니다. 구형파에는 홀수 고조파 3f₁, 5f₁, 7f₁, …가 들어 있습니다. 고조파 3f₁은 표본화된 데이터의 어느 주파수 fa 에 나타납니까? Hz 단위로 답하시오.
f₁ = 700 Hz fs = 2 kHz 고조파: 3f₁
fa =
5. 연산 증폭기 회로 보통
− + Vout Rf = 22 kΩ R1 = 2 kΩ Vin = 1 V Ra = 47 kΩ Rb = 100 kΩ 연산 증폭기는 이상적이며 ±15 V 전원으로 동작한다. 출력 전압 Vout 을(를) 구하시오.
Vin = 1 V Ra = 47 kΩ Rb = 100 kΩ R1 = 2 kΩ Rf = 22 kΩ
Vout =
6. 연산 증폭기 회로 어려움
− + Vout C = 2.2 µF Vin = 1.5 V R = 2.2 kΩ 적분기는 ±15 V 전원의 이상적인 연산 증폭기를 쓰며, 출력은 ±13 V에서 포화된다. t = 0에 일정한 입력 Vin = 1.5 V를 가할 때 커패시터는 충전되어 있지 않다. t = 5 ms에서의 출력 전압 Vout 을(를) 구하시오.
Vin = 1.5 V R = 2.2 kΩ C = 2.2 µF Vsat = ±13 V t = 5 ms
Vout =
7. 저항의 직렬·병렬 보통
R1 = 2 Ω IR1 R3 = 6 Ω + − V1 30 V R2 6 Ω A R4 20 Ω B 전원이 공급하며 R1 에 흐르는 전류 IR1 을(를) 구하시오.
V1 = 30 V R1 = 2 Ω R2 = 6 Ω R3 = 6 Ω R4 = 20 Ω
IR1 =
8. 저항의 직렬·병렬 어려움
R1 = 30 Ω R3 = 15 Ω R5 = 8 Ω + − V1 36 V R2 8 Ω IR2 A R4 10 Ω B R6 10 Ω R2 에 흐르는 전류 IR2 을(를) 구하시오.
V1 = 36 V R1 = 30 Ω R2 = 8 Ω R3 = 15 Ω R4 = 10 Ω R5 = 8 Ω R6 = 10 Ω
IR2 =
9. 테브난·노턴 보통
R1 = 20 Ω R3 = 20 Ω + − V1 12 V R2 4 Ω A a b
단자 a–b에서 본 테브난 전압 Vth 을(를) 구하시오.
V1 = 12 V R1 = 20 Ω R2 = 4 Ω R3 = 20 Ω
Vth =
10. 테브난·노턴 어려움
R1 = 10 Ω R3 = 20 Ω + − V1 30 V R2 8 Ω A Is 1 A B RL 10 Ω IL a–b 사이에 부하 RL = 10 Ω을 연결한다. 나머지 회로를 테브난 등가 회로로 바꾸고 부하 전류 IL 을(를) 구하시오.
V1 = 30 V Is = 1 A R1 = 10 Ω R2 = 8 Ω R3 = 20 Ω RL = 10 Ω
IL =
3 용액1. 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: Ig = −3971 µA
휘트스톤 브리지: 두 개의 분압기가 하나의 전원 Vs 를 공유합니다. 왼쪽 분압기 R1 –R2 는 Va = Vs ·R2 /(R1 + R2 )를, 오른쪽 분압기 R3 –R4 는 Vb = Vs ·R4 /(R3 + R4 )를 주며, 출력은 Vab = Va − Vb 입니다. 브리지는 R1 /R2 = R3 /R4 , 즉 R1 ·R4 = R2 ·R3 일 때 평형(Vab = 0, 계기에 전류가 흐르지 않음)입니다. 출력 단자에서 보면 브리지는 Rth = R1 ∥R2 + R3 ∥R4 인 테브난 전원입니다.
테브난 전압 Vth = 9·(800/1100 − 1000/1120) = −1.49 V
테브난 저항 Rth = R₁∥R₂ + R₃∥R₄ = 325.3 Ω
검류계 전류 Ig = −1.49/(325.3 + 50) = −3971 µA
2. 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지
답: ε = 1200 µε
스트레인 게이지: 게이지는 변형률에 따라 저항이 변합니다: ΔR/R = GF·ε이며, 게이지율 GF는 금속 박막에서 약 2입니다. 모든 변이 R로 같은 브리지에서 능동 게이지 하나(1/4 브리지)는 Vo ≈ Vs ·GF·ε/4를 줍니다. 서로 인접한 변에 반대 변형률을 받는 능동 게이지 둘(1/2 브리지)은 Vs ·GF·ε/2를, 넷(풀 브리지)은 Vs ·GF·ε를 줍니다. 응력은 훅의 법칙 σ = E·ε에서 구합니다. 로드셀은 감도를 mV/V로 표기합니다. 이는 여기 전압 1 V당 정격 하중에서의 출력입니다.
1/4 브리지 방정식 풀기 ε = 4·0.003075/(5·2.05) = 0.0012
3. 데이터 수집과 표본화
답: RB = 1600 B/s
UART: 비동기 직렬 링크는 각 바이트를 프레임으로 보냅니다. 시작 비트 1개(low), 데이터 비트, 선택적 패리티 비트, 정지 비트 1~2개(high)입니다. 보율은 초당 비트 수이므로 한 비트는 Tb = 1/baud 동안 지속되고, n비트 프레임은 n/baud 동안 지속됩니다. 흔히 쓰는 8N1 형식은 바이트당 10비트입니다. 보율 발생기는 클록을 나눕니다: baud = fclk /(16·D)이며 D는 정수이므로 실제 보율은 목표값과 조금 다릅니다. 오차가 약 2 % 미만이면 보통 허용됩니다.
4. 데이터 수집과 표본화
답: fa = 100 Hz
표본화: ADC는 신호를 초당 fs 번 측정합니다. 나이퀴스트-섀넌 정리에 따르면 주파수 f는 f < fs /2, 즉 나이퀴스트(접힘) 주파수보다 낮을 때만 올바르게 포착되므로, 표본화율은 신호 최고 주파수의 두 배를 넘어야 합니다. 더 높은 주파수는 사라지지 않고 fa = |f − k·fs |의 에일리어스 로 나타나며, k는 결과가 0과 fs /2 사이가 되게 하는 정수입니다. 표본만으로는 둘을 구별할 수 없으므로 ADC 앞에서 아날로그 앤티에일리어싱 필터가 fs /2보다 높은 성분을 모두 제거해야 합니다.
에일리어스 주파수 fa = |2100 − 1·2000| = 100 Hz
에일리어스는 신호 대역 안에 놓이므로 디지털 필터로는 제거할 수 없습니다. ADC 앞의 아날로그 필터만 도움이 됩니다.
5. 연산 증폭기 회로
답: Vout = 8.163 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
+ 입력의 전압 V₊ = Vin ·Rb /(Ra + Rb ) = 1·100/(47 + 100) = 0.6803 V
비반전 이득 V₋ = V₊이고, R₁을 흐르는 전류는 Rf 도 흐릅니다.
Vout = V₊·(1 + Rf /R1 ) = 0.6803·(1 + 22/2) = 8.163 V
6. 연산 증폭기 회로
답: Vout = −1.55 V
이상 연산 증폭기 규칙: 부귀환이 있으면 연산 증폭기는 두 입력이 같은 전압(V₋ = V₊)이 되도록 출력을 조절하고, 어느 입력으로도 전류가 흘러 들어가지 않습니다. 이 두 사실로 반전 입력에서 KCL을 세우면 출력이 나옵니다.
입력 전류와 증가율 kΩ × µF는 밀리초입니다.
RC = 2.2 kΩ · 2.2 µF = 4.84 ms
증가율 = −Vin /(RC) = −1.5/4.84 = −0.3099 V/ms
주어진 시각의 출력 이상값이 ±Vsat 안에 있으므로 적분기는 아직 잘리지 않았습니다.
Vout = −Vin ·t/(RC) = −1.5·5/4.84 = −1.55 V
7. 저항의 직렬·병렬
답: IR1 = 4.364 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
R1 = 2 Ω R3 = 6 Ω + − V1 30 V R2 6 Ω A R4 20 Ω B
먼 쪽 끝부터 저항 합치기 전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R3 + R4 = 6 + 20 = 26 Ω
R2 ∥ 26 = 6·26/(6+26) = 4.875 Ω
Req = R1 + 4.875 = 2 + 4.875 = 6.875 Ω
전원 전류 전원은 Req 만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1 /Req = 30/6.875 = 4.364 A
8. 저항의 직렬·병렬
답: IR2 = 0.7317 A
직렬과 병렬 저항: 직렬에서는 각 저항에 같은 전류가 흐르고 R = R₁ + R₂ + …. 병렬에서는 각 저항에 같은 전압이 걸리고 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …. 사다리 회로는 하나의 합성 저항이 남을 때까지 한 쌍씩 줄입니다.
R1 = 30 Ω R3 = 15 Ω R5 = 8 Ω + − V1 36 V R2 8 Ω A R4 10 Ω B R6 10 Ω
먼 쪽 끝부터 저항 합치기 전원에서 가장 먼 끝에서 시작해 전원 쪽으로 돌아옵니다. 같은 전류가 흐르는 저항은 직렬, 같은 두 마디 사이의 저항은 병렬입니다.
R5 + R6 = 8 + 10 = 18 Ω
R4 ∥ 18 = 6.429 Ω
R3 + 6.429 = 21.43 Ω
R2 ∥ 21.43 = 5.825 Ω
Req = R1 + 5.825 = 30 + 5.825 = 35.83 Ω
전원 전류 전원은 Req 만 보므로 옴의 법칙으로 전원이 내보내는 전류를 구합니다. 이 전류는 R₁에 흐릅니다.
IR1 = V1 /Req = 36/35.83 = 1.005 A
R₂에 흐르는 전류 R₁의 전압 강하를 빼면 마디 A의 전압, 즉 R₂ 양단 전압이 됩니다.
VA = V1 − IR1 ·R1 = 36 − 1.005·30 = 5.854 V
IR2 = VA /R2 = 5.854/8 = 0.7317 A
9. 테브난·노턴
답: Vth = 2 V
테브난 정리: 모든 선형 2단자 회로는 하나의 전압원 Vth 와 저항 Rth 의 직렬 회로처럼 동작합니다. 노턴 정리 는 같은 회로를 전류원 IN = Vth /Rth 와 Rth 의 병렬 회로로 나타냅니다.
R1 = 20 Ω R3 = 20 Ω 단락 R2 4 Ω A a b Rth 모든 전원을 끄고 Rth 구하기 전압원은 단락으로, 전류원은 개방으로 바꾼 뒤 a–b에서 회로를 들여다봅니다.
R1 ∥ R2 = 20·4/(20+4) = 3.333 Ω
Rth = (R1 ∥ R2 ) + R3 = 3.333 + 20 = 23.33 Ω
R1 = 20 Ω R3 = 20 Ω + − V1 12 V R2 4 Ω A a b + − Vth
개방 전압 Vth 구하기 a–b가 개방되면 R₃에 전류가 흐르지 않으므로 전압 강하가 없고 V_b = V_A입니다. R₁과 R₂는 전압 분배기를 이룹니다.
Vth = V1 ·R2 /(R1 +R2 ) = 12·4/(20+4) = 2 V
10. 테브난·노턴
답: IL = 1.097 A
테브난 정리: 모든 선형 2단자 회로는 하나의 전압원 Vth 와 저항 Rth 의 직렬 회로처럼 동작합니다. 노턴 정리 는 같은 회로를 전류원 IN = Vth /Rth 와 Rth 의 병렬 회로로 나타냅니다.
R1 = 10 Ω R3 = 20 Ω 단락 R2 8 Ω A 개방 B a b Rth 모든 전원을 끄고 Rth 구하기 전압원은 단락으로, 전류원은 개방으로 바꾼 뒤 a–b에서 회로를 들여다봅니다.
R1 ∥ R2 = 10·8/(10+8) = 4.444 Ω
Rth = (R1 ∥ R2 ) + R3 = 4.444 + 20 = 24.44 Ω
R1 = 10 Ω R3 = 20 Ω + − V1 30 V R2 8 Ω A Is 1 A B a b + − Vth 개방 전압 Vth 구하기 a–b가 개방되면 Iₛ가 흐를 수 있는 경로는 R₃를 거쳐 마디 A로 가는 것뿐입니다. V₁과 Iₛ의 중첩으로 V_A를 구한 뒤 R₃의 전압 강하를 더합니다.
VA = V1 ·R2 /(R1 +R2 ) + Is ·(R1 ∥R2 ) = 13.33 + 1·4.444 = 17.78 V
Vth = VB = VA + Is ·R3 = 17.78 + 1·20 = 37.78 V
Rth = 24.44 Ω + − Vth 37.78 V RL 10 Ω IL 부하를 테브난 등가 회로에 연결하기 테브난 전원과 직렬 R_th는 a–b에서 원래 회로와 똑같이 동작하므로, 부하는 단순한 직렬 루프를 보게 됩니다.
IL = Vth /(Rth + RL ) = 37.78/(24.44 + 10) = 1.097 A