정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

3.3 V 제너 다이오드에 150 Ω 저항을 통해 18 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 I_R을(를) 구하시오.

5 V 직류 전원이 저항 R₁ = 330 Ω을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 3.3 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 I_D을(를) mA 단위로 구하시오.

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 68 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 6.8 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 3.3 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 680 Ω이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

β = 80인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 15 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 68 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 22 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 2.7 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 1.2 kΩ이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

β = 150인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 1 kΩ 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

β = 150인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 330 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B = 1 kΩ을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.