정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

무료 인쇄용 다이오드와 트랜지스터 학습지: 쉬운 문제부터 시험 수준까지 6문제, 정답표 포함. 인쇄하거나 PDF로 저장하세요.

새 학습지힌트와 함께 온라인으로 연습하기

교수자 안내: 수업에서 무료로 인쇄, 복사, 사용할 수 있습니다. 새 워크시트마다 값이 새로 바뀌고 별도의 정답이 함께 제공됩니다. 강의 페이지에 ExamProblems 링크를 걸어 주시면 감사하겠습니다.

이름: ____________________   날짜: ____________

1.쉬움
+−Vs​15 VR1​ = 680 ΩR2​ = 1 kΩID​ = ?

15 V 직류 전원이 저항 R₁ = 680 Ω을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 1 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 ID을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 15 VR1 = 680 ΩR2 = 1 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
2.쉬움
+−Vs​15 VR = 2.2 kΩD​I = ?

15 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 2.2 kΩ 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 15 VR = 2.2 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.보통
+−18 V330 Ω12 V2200 ΩIZ​ = ?

12 V 제너 레귤레이터에 330 Ω을 통해 18 V를 공급하며 2200 Ω 부하에 전력을 줍니다. 제너 전류 IZ을(를) 구하시오.

Vin = 18 VVZ = 12 VR = 330 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
4.보통
RC​ = 1.5 kΩβ = 120VCC​ = 12 VRB​ = 820 kΩ

β = 120인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 12 V에서 베이스 저항 RB = 820 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.5 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 12 VRB = 820 kΩRC = 1.5 kΩβ = 120VBE = 0.7 V
VCE = V
5.어려움
RC​ = 680 Ωβ = 150VCC​ = 12 V3.3 VRB​ = ?

β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 680 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 12 VRC = 680 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.어려움
RC​ = 100 Ωβ = 200VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 100 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 3배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 3
RB = kΩ

정답표

  1. 1. ID = 20.33 mA
  2. 2. I = 6.5 mA
  3. 3. IZ = 12.73 mA
  4. 4. VCE = 9.52 V
  5. 5. RB = 22.47 kΩ
  6. 6. RB = 1.204 kΩ

자세한 단계별 풀이: examproblems.com에서 이 주제를 연습하세요.