정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움

6 V 직류 전원이 저항 R₁ = 1.5 kΩ을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 1.5 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 I_D을(를) mA 단위로 구하시오.

V_s = 6 VR₁ = 1.5 kΩR₂ = 1.5 kΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

2.쉬움

9 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 330 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

V_s = 9 VR = 330 ΩV_D = 0.7 V

I = mA

3.보통

β = 75인 NPN 트랜지스터가 전원 V_CC = 12 V에서 베이스 저항 R_B = 1000 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 R_C = 2.7 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. V_BE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

V_CC = 12 VR_B = 1000 kΩR_C = 2.7 kΩβ = 75V_BE = 0.7 V

V_CE = V

4.보통

β = 150인 NPN 트랜지스터가 전원 V_CC = 15 V에서 베이스 저항 R_B = 470 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 R_C = 470 Ω이고 이미터는 접지되어 있다. V_BE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

V_CC = 15 VR_B = 470 kΩR_C = 470 Ωβ = 150V_BE = 0.7 V

V_CE = V

5.어려움

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 680 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 10배로 설계한다. R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

V_CC = 24 VR_C = 680 Ωβ = 100V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 10

R_B = kΩ

6.어려움

β = 50인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 330 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B = 100 kΩ을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.

V_CC = 9 VR_C = 330 Ωβ = 50V_in = 5 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 VR_B = 100 kΩ

I_C = mA

정답표

1. I_D = 3.067 mA
2. I = 25.15 mA
3. V_CE = 9.712 V
4. V_CE = 12.86 V
5. R_B = 0.7429 kΩ
6. I_C = 2.15 mA

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