정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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이름: ____________________ 날짜: ____________

1.쉬움

5.6 V 제너 다이오드에 330 Ω 저항을 통해 9 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 I_R을(를) 구하시오.

V_in = 9 VV_Z = 5.6 VR = 330 Ω

I_R = mA

2.쉬움

3.3 V 제너 다이오드에 330 Ω 저항을 통해 24 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 I_R을(를) 구하시오.

V_in = 24 VV_Z = 3.3 VR = 330 Ω

I_R = mA

3.보통

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 12 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 39 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 12 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 1 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 2.2 kΩ이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오.

V_CC = 12 VR₁ = 39 kΩR₂ = 12 kΩR_C = 1 kΩR_E = 2.2 kΩβ = 100

I_C = mA

4.보통

β = 120인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 56 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 8.2 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 2.2 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 680 Ω이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오.

V_CC = 18 VR₁ = 56 kΩR₂ = 8.2 kΩR_C = 2.2 kΩR_E = 680 Ωβ = 120

I_C = mA

5.어려움

β = 200인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 330 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

V_CC = 12 VR_C = 330 Ωβ = 200V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 V

R_B = kΩ

6.어려움

β = 80인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 220 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 5배로 설계한다. R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

V_CC = 9 VR_C = 220 Ωβ = 80V_in = 5 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 5

R_B = kΩ

정답표

1. I_R = 10.3 mA
2. I_R = 62.73 mA
3. I_C = 0.9178 mA
4. I_C = 2.146 mA
5. R_B = 14.54 kΩ
6. R_B = 1.72 kΩ

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