정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움
+−15 V270 Ω5.1 VIR​ = ?

5.1 V 제너 다이오드에 270 Ω 저항을 통해 15 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 IR을(를) 구하시오.

Vin = 15 VVZ = 5.1 VR = 270 Ω
IR = mA
2.쉬움
+−Vs​10 VR = 1.5 kΩD1​D2​I = ?

10 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드 두 개와 직렬로 연결된 1.5 kΩ 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 10 VR = 1.5 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.보통
RC​ = 1.5 kΩβ = 75IC​ = ?VCC​ = 12 VRB​ = 820 kΩ

β = 75인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 12 V에서 베이스 저항 RB = 820 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.5 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오.

VCC = 12 VRB = 820 kΩRC = 1.5 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
IC = mA
4.보통
RC​ = 5.6 kΩβ = 100RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 33 kΩR2​ = 15 kΩ

β = 100인 NPN 트랜지스터가 VCC = 12 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 33 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 15 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 5.6 kΩ, 이미터 저항은 RE = 2.2 kΩ이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 12 VR1 = 33 kΩR2 = 15 kΩRC = 5.6 kΩRE = 2.2 kΩβ = 100
VCE = V
5.어려움
RC​ = 100 Ωβ = 200VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 100 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 9 VRC = 100 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.어려움
V (V)I (mA)0.639.091Q = ?

다이오드를 25 Ω과 직렬인 0.6 V로 모델링합니다(0.6 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 330 Ω 저항과 직렬로 3 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.

Vs = 3 VR = 330 ΩV0 = 0.6 Vrd = 25 Ω
ID = mA

정답표

  1. 1. IR = 36.67 mA
  2. 2. I = 5.733 mA
  3. 3. IC = 1.034 mA
  4. 4. VCE = 1.739 V
  5. 5. RB = 9.773 kΩ
  6. 6. ID = 6.761 mA

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