1.쉬움
15 V 직류 전원이 저항 R₁ = 470 Ω을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 1.5 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 ID을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 470 ΩR2 = 1.5 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지
2.쉬움
9.1 V 제너 다이오드에 150 Ω 저항을 통해 18 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 IR을(를) 구하시오.
Vin = 18 VVZ = 9.1 VR = 150 Ω
IR = mA
3.보통
β = 100인 NPN 트랜지스터가 VCC = 20 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 100 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 15 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 3.3 kΩ, 이미터 저항은 RE = 1.5 kΩ이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.
VCC = 20 VR1 = 100 kΩR2 = 15 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.5 kΩβ = 100
VCE = V
4.보통
5 초록개의 LED(각각 순방향 전압 2.2 V)가 저항과 직렬로 12 V 전원에 연결되어 있습니다. 전류를 15 mA로 정하는 저항 R을(를) 구하시오.
Vs = 12 VVF = 2.2 Vn = 5I = 15 mA
R = Ω
5.어려움
β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 1 kΩ 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 2배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
VCC = 12 VRC = 1 kΩβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 2
RB = kΩ
6.어려움
β = 150인 NPN 트랜지스터가 VCC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 220 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.
VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
정답표
- 1. ID = 29.96 mA
- 2. IR = 59.33 mA
- 3. VCE = 14.41 V
- 4. R = 66.67 Ω
- 5. RB = 16.53 kΩ
- 6. RB = 3.605 kΩ
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