정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움
+−Vs​10 VR = 1.5 kΩD​I = ?

10 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 1.5 kΩ 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 10 VR = 1.5 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.쉬움
+−24 V470 Ω5.6 VIR​ = ?

5.6 V 제너 다이오드에 470 Ω 저항을 통해 24 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 IR을(를) 구하시오.

Vin = 24 VVZ = 5.6 VR = 470 Ω
IR = mA
3.보통
RC​ = 1 kΩβ = 200RE​ = 1.2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 100 kΩR2​ = 15 kΩ

β = 200인 NPN 트랜지스터가 VCC = 18 V에서 전압 분배 바이어스된다: VCC에서 베이스까지 R₁ = 100 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 15 kΩ. 컬렉터 저항은 RC = 1 kΩ, 이미터 저항은 RE = 1.2 kΩ이다. VBE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 18 VR1 = 100 kΩR2 = 15 kΩRC = 1 kΩRE = 1.2 kΩβ = 200
VCE = V
4.보통
RC​ = 1.5 kΩβ = 120IC​ = ?VCC​ = 12 VRB​ = 820 kΩ

β = 120인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 12 V에서 베이스 저항 RB = 820 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.5 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오.

VCC = 12 VRB = 820 kΩRC = 1.5 kΩβ = 120VBE = 0.7 V
IC = mA
5.어려움
V (V)I (mA)0.7522.73Q = ?

다이오드를 10 Ω과 직렬인 0.7 V로 모델링합니다(0.7 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 220 Ω 저항과 직렬로 5 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 ID을(를) 구하시오.

Vs = 5 VR = 220 ΩV0 = 0.7 Vrd = 10 Ω
ID = mA
6.어려움
RC​ = 220 Ωβ = 80VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 5 V와 컬렉터 사이에 연결된 220 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 5배로 설계한다. RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 5
RB = kΩ

정답표

  1. 1. I = 6.2 mA
  2. 2. IR = 39.15 mA
  3. 3. VCE = 15.14 V
  4. 4. IC = 1.654 mA
  5. 5. ID = 18.7 mA
  6. 6. RB = 1.907 kΩ

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