정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움

6 V 직류 전원이 저항 R₁ = 1 kΩ을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 1 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 I_D을(를) mA 단위로 구하시오.

V_s = 6 VR₁ = 1 kΩR₂ = 1 kΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

2.쉬움

3.3 V 제너 다이오드에 470 Ω 저항을 통해 20 V를 공급하며 부하는 연결되어 있지 않습니다. 저항에 흐르는 전류 I_R을(를) 구하시오.

V_in = 20 VV_Z = 3.3 VR = 470 Ω

I_R = mA

3.보통

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 12 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 68 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 15 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 4.7 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 1.5 kΩ이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

V_CC = 12 VR₁ = 68 kΩR₂ = 15 kΩR_C = 4.7 kΩR_E = 1.5 kΩβ = 100

V_CE = V

4.보통

β = 80인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 12 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 33 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 6.8 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 1 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 2.2 kΩ이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오.

V_CC = 12 VR₁ = 33 kΩR₂ = 6.8 kΩR_C = 1 kΩR_E = 2.2 kΩβ = 80

I_C = mA

5.어려움

9.1 V 제너 레귤레이터에 100 Ω 직렬 저항이 있습니다. 입력은 28 V까지 올라갈 수 있고 부하가 분리될 수 있습니다. 제너가 소비해야 하는 최대 전력 P_Z,max을(를) 구하시오.

V_in,max = 28 VV_Z = 9.1 VR = 100 Ω

P_Z,max = mW

6.어려움

β = 200인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 9 V와 컬렉터 사이에 연결된 330 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 3.3 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 확실한 스위칭을 위해 베이스 전류를 포화에 필요한 최솟값의 2배로 설계한다. R_B을(를) kΩ 단위로 구하시오.

V_CC = 9 VR_C = 330 Ωβ = 200V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 V과구동 계수 = 2

R_B = kΩ

정답표

1. I_D = 4.6 mA
2. I_R = 35.53 mA
3. V_CE = 6.427 V
4. I_C = 0.5876 mA
5. P_Z,max = 1720 mW
6. R_B = 9.75 kΩ

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