정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

5 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드 두 개와 직렬로 연결된 680 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

12 V 직류 전원이 저항 R₁ = 680 Ω을(를) 거쳐 마디 X에 연결되어 있다. 마디 X에서 전원의 음극 단자까지는 두 개의 병렬 경로가 있다. 하나는 저항 R₂ = 1 kΩ이고, 다른 하나는 애노드가 X 쪽에 있는 실리콘 다이오드이다. 0.7 V 정전압 강하 모델을 쓴다. 다이오드 전류 I_D을(를) mA 단위로 구하시오.

β = 75인 NPN 트랜지스터가 전원 V_CC = 15 V에서 베이스 저항 R_B = 470 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 R_C = 4.7 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. V_BE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

β = 80인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 15 V에서 전압 분배 바이어스된다: V_CC에서 베이스까지 R₁ = 100 kΩ, 베이스에서 접지까지 R₂ = 15 kΩ. 컬렉터 저항은 R_C = 4.7 kΩ, 이미터 저항은 R_E = 680 Ω이다. V_BE = 0.7 V로 하고 분압기의 테브난 등가를 쓴다(베이스 전류를 무시하지 않는다). 컬렉터–이미터 전압 V_CE을(를) 구하시오.

다이오드를 50 Ω과 직렬인 0.65 V로 모델링합니다(0.65 V 이상에서 도통). 이 다이오드가 150 Ω 저항과 직렬로 3 V 전원에 연결되어 있습니다. 다이오드 직선과 부하선이 만나는 동작 전류 I_D을(를) 구하시오.

β = 100인 NPN 트랜지스터가 V_CC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 680 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 R_B = 2.2 kΩ을(를) 통해 구동된다. V_BE = 0.7 V, V_CE(sat) = 0.2 V로 한다. 입력이 high일 때 컬렉터 전류 I_C을(를) mA 단위로 구하시오. 먼저 트랜지스터가 포화되는지 판단하시오.