정답이 있는 다이오드와 트랜지스터 학습지

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1.쉬움
+−Vs​9 VR = 470 ΩD​I = ?

9 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 470 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 9 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.쉬움
+−Vs​10 VR = 470 ΩD​I = ?

10 V 직류 전원이 순방향 바이어스된 실리콘 다이오드와 직렬로 연결된 470 Ω 저항에 전류를 흘린다. 도통 다이오드마다 0.7 V인 정전압 강하 모델을 쓴다. 전류 I을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 10 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.보통
RC​ = 1.2 kΩβ = 100IC​ = ?VCC​ = 9 VRB​ = 270 kΩ

β = 100인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 9 V에서 베이스 저항 RB = 270 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.2 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터 전류 IC을(를) mA 단위로 구하시오.

VCC = 9 VRB = 270 kΩRC = 1.2 kΩβ = 100VBE = 0.7 V
IC = mA
4.보통
RC​ = 1.2 kΩβ = 120VCC​ = 15 VRB​ = 390 kΩ

β = 120인 NPN 트랜지스터가 전원 VCC = 15 V에서 베이스 저항 RB = 390 kΩ을(를) 통해 바이어스된다. 컬렉터 저항은 RC = 1.2 kΩ이고 이미터는 접지되어 있다. VBE = 0.7 V로 하고 트랜지스터가 활성 영역에 있다고 가정한다. 컬렉터–이미터 전압 VCE을(를) 구하시오.

VCC = 15 VRB = 390 kΩRC = 1.2 kΩβ = 120VBE = 0.7 V
VCE = V
5.어려움
RC​ = 100 Ωβ = 80VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

β = 80인 NPN 트랜지스터가 VCC = 24 V와 컬렉터 사이에 연결된 100 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.어려움
RC​ = 150 Ωβ = 50VCC​ = 12 V5 VRB​ = ?

β = 50인 NPN 트랜지스터가 VCC = 12 V와 컬렉터 사이에 연결된 150 Ω 부하 저항을 스위칭한다. 이미터는 접지되어 있다. 베이스는 5 V 논리 출력에서 베이스 저항 RB을(를) 통해 구동된다. VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.2 V로 한다. 트랜지스터를 겨우 포화시킬 수 있는 가장 큰 베이스 저항 RB을(를) kΩ 단위로 구하시오.

VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ

정답표

  1. 1. I = 17.66 mA
  2. 2. I = 19.79 mA
  3. 3. IC = 3.074 mA
  4. 4. VCE = 9.72 V
  5. 5. RB = 1.445 kΩ
  6. 6. RB = 2.733 kΩ

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