10 V nuolatinės įtampos šaltinis varo srovę per 680 Ω rezistorių, nuosekliai sujungtą su dviem tiesiogine kryptimi įjungtais silicio diodais. Naudokite pastovaus įtampos kritimo modelį – 0,7 V kiekvienam laidžiam diodui. Raskite srovę I mA.
Užduočių lapas tema Diodai ir tranzistoriai su atsakymais
6 V nuolatinės įtampos šaltinis per rezistorių R₁ = 680 Ω prijungtas prie mazgo X. Nuo mazgo X iki šaltinio neigiamojo gnybto yra du lygiagretūs keliai: rezistorius R₂ = 10 kΩ ir silicio diodas, kurio anodas prijungtas prie X. Naudokite pastovaus įtampos kritimo modelį su 0,7 V. Raskite diodo srovę ID mA.
NPN tranzistoriaus, kurio β = 120, darbo taškas nustatomas įtampos dalikliu iš VCC = 18 V: R₁ = 82 kΩ nuo VCC iki bazės ir R₂ = 8,2 kΩ nuo bazės iki įžeminimo. Kolektoriaus rezistorius RC = 4,7 kΩ, emiterio rezistorius RE = 1,2 kΩ. Imkite VBE = 0,7 V ir naudokite daliklio Tevenino ekvivalentą (bazės srovės nepaisyti negalima). Raskite kolektoriaus srovę IC mA.
3 baltas LED (kiekvieno tiesioginė įtampa 3 V) sujungti nuosekliai su rezistoriumi ir prijungti prie 12 V šaltinio. Raskite varžą R, nustatančią 5 mA srovę.
3,3 V Zenerio stabilizatoriaus nuosekliojo rezistoriaus varža 680 Ω. Įėjimo įtampa gali pakilti iki 26 V, o apkrova gali būti atjungta. Raskite didžiausią galią PZ,max, kurią turi išsklaidyti Zenerio diodas.
NPN tranzistorius, kurio β = 200, komutuoja 330 Ω apkrovos rezistorių, prijungtą tarp VCC = 5 V ir jo kolektoriaus. Emiteris įžemintas. Bazė valdoma iš 5 V loginio išėjimo per bazės rezistorių RB. Imkite VBE = 0,7 V ir VCE(sat) = 0,2 V. Kad perjungimas būtų patikimas, projektuokite bazės srovę, 4 kartų didesnę už mažiausią įsotinimui reikalingą. Raskite RB kΩ.
Atsakymai
- 1. I = 12,65 mA
- 2. ID = 7,724 mA
- 3. IC = 0,7361 mA
- 4. R = 600 Ω
- 5. PZ,max = 110,2 mW
- 6. RB = 14,78 kΩ
Išsamūs sprendimai žingsnis po žingsnio: praktikuokite šią temą svetainėje examproblems.com.