9 V nuolatinės įtampos šaltinis varo srovę per 220 Ω rezistorių, nuosekliai sujungtą su tiesiogine kryptimi įjungtu silicio diodu. Naudokite pastovaus įtampos kritimo modelį – 0,7 V kiekvienam laidžiam diodui. Raskite srovę I mA.
10 V nuolatinės įtampos šaltinis per rezistorių R₁ = 2,2 kΩ prijungtas prie mazgo X. Nuo mazgo X iki šaltinio neigiamojo gnybto yra du lygiagretūs keliai: rezistorius R₂ = 10 kΩ ir silicio diodas, kurio anodas prijungtas prie X. Naudokite pastovaus įtampos kritimo modelį su 0,7 V. Raskite diodo srovę ID mA.
NPN tranzistoriaus, kurio β = 80, darbo taškas nustatomas įtampos dalikliu iš VCC = 12 V: R₁ = 56 kΩ nuo VCC iki bazės ir R₂ = 12 kΩ nuo bazės iki įžeminimo. Kolektoriaus rezistorius RC = 1,5 kΩ, emiterio rezistorius RE = 1,5 kΩ. Imkite VBE = 0,7 V ir naudokite daliklio Tevenino ekvivalentą (bazės srovės nepaisyti negalima). Raskite kolektoriaus–emiterio įtampą VCE.
NPN tranzistoriaus, kurio β = 100, darbo taškas nustatomas bazės rezistoriumi RB = 680 kΩ iš maitinimo šaltinio VCC = 15 V. Kolektoriaus rezistorius RC = 2,7 kΩ, emiteris įžemintas. Imkite VBE = 0,7 V ir tarkite, kad tranzistorius veikia aktyviojoje srityje. Raskite kolektoriaus srovę IC mA.
6,2 V Zenerio stabilizatoriaus nuosekliojo rezistoriaus varža 270 Ω. Įėjimo įtampa gali pakilti iki 15 V, o apkrova gali būti atjungta. Raskite didžiausią galią PZ,max, kurią turi išsklaidyti Zenerio diodas.
NPN tranzistorius, kurio β = 80, komutuoja 330 Ω apkrovos rezistorių, prijungtą tarp VCC = 9 V ir jo kolektoriaus. Emiteris įžemintas. Bazė valdoma iš 5 V loginio išėjimo per bazės rezistorių RB. Imkite VBE = 0,7 V ir VCE(sat) = 0,2 V. Kad perjungimas būtų patikimas, projektuokite bazės srovę, 3 kartų didesnę už mažiausią įsotinimui reikalingą. Raskite RB kΩ.
Išsamūs sprendimai žingsnis po žingsnio: praktikuokite šią temą svetainėje examproblems.com.