Lembaran kerja Diod & transistor dengan jawapan

Satu sumber AT 5 V disambung melalui perintang R₁ = 2.2 kΩ kepada nod X. Dari nod X ke terminal negatif sumber terdapat dua laluan selari: perintang R₂ = 1 kΩ, dan diod silikon dengan anodnya pada X. Gunakan model susutan malar dengan 0.7 V. Cari arus diod I_D dalam mA.

Satu sumber AT 3 V memacu arus melalui perintang 2.2 kΩ secara bersiri dengan diod silikon pincang depan. Gunakan model susutan malar dengan 0.7 V bagi setiap diod yang mengalirkan. Cari arus I dalam mA.

Satu transistor NPN dengan β = 200 mempunyai pincang pembahagi voltan daripada V_CC = 12 V: R₁ = 33 kΩ dari V_CC ke tapak dan R₂ = 15 kΩ dari tapak ke bumi. Perintang pengumpul ialah R_C = 1 kΩ dan perintang pemancar ialah R_E = 1.5 kΩ. Ambil V_BE = 0.7 V dan gunakan setara Thévenin bagi pembahagi (jangan abaikan arus tapak). Cari voltan pengumpul–pemancar V_CE.

Satu transistor NPN dengan β = 120 dipincang oleh perintang tapak R_B = 100 kΩ daripada bekalan V_CC = 10 V. Perintang pengumpul ialah R_C = 470 Ω dan pemancar dibumikan. Ambil V_BE = 0.7 V dan andaikan transistor berada dalam kawasan aktif. Cari voltan pengumpul–pemancar V_CE.

Diod dimodelkan sebagai 0.65 V bersiri dengan 50 Ω (ia mengalir di atas 0.65 V). Ia bersiri dengan perintang 1000 Ω merentasi bekalan 5 V. Cari arus operasi I_D di mana garis diod bertemu garis beban.

Satu transistor NPN dengan β = 50 menyuis perintang beban 1 kΩ yang disambung antara V_CC = 5 V dan pengumpulnya. Pemancar dibumikan. Tapak dipacu daripada keluaran logik 3.3 V melalui perintang tapak R_B. Ambil V_BE = 0.7 V dan V_CE(sat) = 0.2 V. Untuk pensuisan yang boleh dipercayai, reka bentuk untuk arus tapak 10 kali ganda minimum yang diperlukan untuk ketepuan. Cari R_B dalam kΩ.