อิเล็กทรอนิกส์ 1: ชุดสรุปเร่งรัด

สรุปสูตร ขั้นตอนวิธีทำที่สำคัญของทุกหัวข้อ และโจทย์ฝึก 14 ข้อ พร้อมเฉลยละเอียดไว้ท้ายเล่ม

โจทย์ใหม่กลับไปที่รายวิชา

ในหน้าต่างพิมพ์ ให้เลือก “บันทึกเป็น PDF” เพื่อเก็บสำเนาไว้ในอุปกรณ์ของคุณ

1สูตรและวิธีทำ

ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ไดโอด (แรงดันตกคงที่)
VD = 0.7 V when conducting
บริเวณแอกทีฟ
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
ไบแอสคงที่
IB = (VCC − 0.7)/RB
ไบแอสแบบแบ่งแรงดัน
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
เทวินินของตัวแบ่งแรงดัน
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
ลูปคอลเลกเตอร์
VCE = VCC − ICRC − IERE
ภาวะอิ่มตัว
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

วงจรออปแอมป์

เครื่องขยายแบบกลับเฟส
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
เครื่องขยายแบบรวมสัญญาณ
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
ออปแอมป์อุดมคติ
V+ = V−, Iin = 0

ทรานเซียนต์ RC และ RL

ค่าคงตัวเวลา
τ = RC | τ = L/R
การตอบสนอง
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
ตัวเก็บประจุที่ไฟฟ้ากระแสตรง
วงจรเปิด vC กระโดดไม่ได้
ตัวเหนี่ยวนำที่ไฟฟ้ากระแสตรง
ลัดวงจร iL กระโดดไม่ได้
นิ่งแล้ว
t ≈ 5τ

วิธีการ

  1. หาค่าเริ่มต้นทันทีหลังสวิตช์: แรงดันตัวเก็บประจุและกระแสตัวเหนี่ยวนำกระโดดไม่ได้
  2. หาค่าสุดท้ายเมื่อสวิตช์ผ่านไปนาน: ตัวเก็บประจุทำตัวเป็นวงจรเปิด ตัวเหนี่ยวนำทำตัวเป็นลัดวงจร
  3. หาค่าคงตัวเวลา: τ = RC หรือ τ = L/R โดยใช้ความต้านทานที่ตัวเก็บประจุหรือตัวเหนี่ยวนำมองเห็น
  4. ใช้ x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

ตัวต้านทานอนุกรม
Req = R1 + R2 + …
ตัวต้านทานขนาน
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
สองตัวขนานกัน
Req = R1R2 / (R1 + R2)
กฎของโอห์ม
V = I·R
กำลัง
P = V·I = I²R = V²/R

วิธีการ

  1. เริ่มจากปลายของโครงข่ายที่ไกลจากขั้วที่สุด
  2. รวมตัวต้านทานอนุกรมโดยบวกกัน และตัวต้านทานขนานด้วย 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …
  3. วาดวงจรใหม่หลังทุกขั้นตอน
  4. ทำซ้ำจนเหลือตัวต้านทานตัวเดียวระหว่างขั้ว

ตัวแปลง DC-DC

บัค
Vo = D·Vin
บูสต์
Vo = Vin/(1 − D)
บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
สมดุลกำลังในอุดมคติ
VinIin = VoIo
ริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
กระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำ
บัค Io; บูสต์และบัค-บูสต์ Io/(1 − D)
ริปเปิลเอาต์พุต
บัค ΔIL/(8fC); บูสต์และบัค-บูสต์ Io·D/(fC)
ขอบเขต CCM
บัค (1 − D)R/(2f); บูสต์ D(1 − D)²R/(2f); บัค-บูสต์ (1 − D)²R/(2f)

วิธีการ

  1. ระบุตัวแปลง (บัค บูสต์ หรือบัค-บูสต์) และดิวตี้ไซเคิล D จากอัตราส่วนแรงดัน
  2. ใช้สมดุลโวลต์-วินาทีของตัวเหนี่ยวนำ: แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำตลอดหนึ่งคาบเป็นศูนย์
  3. หาแรงดันตัวเหนี่ยวนำขณะสวิตช์เปิด แล้วหา ΔIL = VL·D/(L·f)
  4. สำหรับริปเปิลเอาต์พุต ให้หาประจุที่ไหลเข้าและออกจากตัวเก็บประจุ สำหรับขอบเขต CCM ให้ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

แรงดันตัวแบ่งแรงดัน
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
สารน้ำออก
Vab = Va − Vb
ดุล
R1/R2 = R3/R4
สไลด์ไวร์บริดจ์
R/Rx = l/(100 − l)
ความต้านทานเทวินิน
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ตัวประกอบเกจ
ΔR/R = GF·ε
เอาต์พุตของบริดจ์
ควอเตอร์ Vs·GF·ε/4, ฮาล์ฟ Vs·GF·ε/2, ฟูล Vs·GF·ε
การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย แขนเดียว
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
ความเค้น
σ = E·ε

วิธีการ

  1. ถือว่าบริดจ์คือตัวแบ่งแรงดันสองตัวที่ใช้แหล่งจ่ายเดียวกัน
  2. สำหรับสมดุล ตั้ง R₁/R₂ = R₃/R₄ แล้วแก้หาตัวต้านทานที่ไม่ทราบค่า
  3. สำหรับบริดจ์ที่ไม่สมดุล หา Va และ Vb จากตัวแบ่งแรงดันแล้วลบกัน ใช้วงจรเทียบเท่าเทวินินเมื่อมิเตอร์เป็นโหลดของเอาต์พุต
  4. สำหรับสเตรนเกจ แปลงความเครียดเป็น ΔR/R = GF·ε และใช้ Vs·GF·ε/4, /2 หรือ ×1 สำหรับควอเตอร์ ฮาล์ฟ หรือฟูลบริดจ์

ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

เกตพื้นฐาน
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
กฎของพีชคณิตแบบบูล
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
กฎของเดอมอร์แกน
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
ลำดับของแผนที่คาร์โนห์
00, 01, 11, 10 (Gray code)
กลุ่มของ 2ᵏ เซลล์
สูญเสีย k ตัวแปร
มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
ฟลิปฟล็อป
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
ตัวนับ
n บิต: 2ⁿ สถานะ; มอด N: n ที่น้อยที่สุดที่ 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
ตัวนับริปเปิล
fmax = 1/(n·tpd)
ตัวนับริงและตัวนับจอห์นสัน
n และ 2n สถานะ

วิธีการ

  1. สำหรับวงจร ให้ทำจากอินพุตไปถึงเอาต์พุตทีละเกตและเขียนค่าบนทุกเส้น หรือเขียนนิพจน์ของมันแล้วเติมตารางค่าความจริง
  2. สำหรับการทำให้ง่าย ให้ใส่ 1 (และค่าไม่สนใจเป็น X) ลงในแผนที่คาร์โนห์ที่มีแถวและคอลัมน์เรียงตามรหัสเกรย์: 00, 01, 11, 10
  3. ครอบคลุม 1 ด้วยกลุ่ม 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ให้น้อยที่สุดและใหญ่ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ โดยพันข้ามขอบ แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณที่ประกอบด้วยตัวแปรที่คงที่ จัดกลุ่ม 0 สำหรับรูป POS
  4. สำหรับฟลิปฟล็อปและตัวนับ ให้อ่านอินพุตที่ขอบแอ็กทีฟของสัญญาณนาฬิกาแต่ละขอบ เขียนสถานะหลังทุกขอบ และจำไว้ว่าตัวนับ n บิตวนกลับหลัง 2ⁿ สถานะ

2โจทย์ฝึก

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 50VCC​ = 12 VRB​ = 680 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 680 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 12 VRB = 680 kΩRC = 1.5 kΩβ = 50VBE = 0.7 V
VCE = V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 50VCC​ = 24 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 24 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
3.วงจรออปแอมป์ปานกลาง
−+Vout​Rf​ = ?R1​ = 10 kΩVin​

เลือกตัวต้านทานป้อนกลับ Rf ที่ทำให้เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟสนี้มีอัตราขยายแรงดัน 5

R1 = 10 kΩAv = 5
Rf = kΩ
4.วงจรออปแอมป์ยาก
−+Vout​R2​ = 4.7 kΩV1​ = 1.9 VR1​ = 22 kΩV2​ = 1.2 VR3​ = 100 kΩR4​ = 10 kΩ

ออปแอมป์เป็นแบบอุดมคติและใช้แหล่งจ่าย ±15 V อัตราส่วนของตัวต้านทานไม่ตรงกัน จงหาแรงดันเอาต์พุต Vout

V1 = 1.9 VV2 = 1.2 VR1 = 22 kΩR2 = 4.7 kΩR3 = 100 kΩR4 = 10 kΩ
Vout = V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RLปานกลาง
+−Vs​30 Vt = 0R1​ = 6.8 kΩR2​ = 6.8 kΩC33 µF+−vC​

แหล่งกำเนิด Vₛ ประจุตัวเก็บประจุผ่าน R₁ และ R₂ ต่อขนานกับ C ตัวเก็บประจุยังไม่มีประจุเมื่อสวิตช์ปิดที่ t = 0 จงหาค่าคงที่เวลา τ ของวงจรหลังสวิตช์ปิด

Vs = 30 VR1 = 6.8 kΩR2 = 6.8 kΩC = 33 µF
τ = ms
6.ทรานเซียนต์ RC และ RLยาก
+−Vs​10 Vt = 0R = 6.8 kΩC68 µF+−vC​vC​(0) = 3 V

ก่อนสวิตช์ปิดที่ t = 0 ตัวเก็บประจุเก็บแรงดัน 3 V ตามขั้วที่แสดง ใช้เวลานานเท่าใดให้ vC ถึง 7.9 V หา t

Vs = 10 VR = 6.8 kΩC = 68 µFvC(0) = 3 V
t = ms
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานปานกลาง
R1​ = 15 ΩR3​ = 15 Ω+−V1​18 VR2​15 ΩAR4​3 ΩB

หาความต้านทานสมมูล Req ที่แหล่งจ่าย V1 มองเห็น

V1 = 18 VR1 = 15 ΩR2 = 15 ΩR3 = 15 ΩR4 = 3 Ω
Req = Ω
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานยาก
R1​ = 4 ΩIR1​R3​ = 8 ΩR5​ = 5 Ω+−V1​36 VR2​5 ΩAR4​6 ΩBR6​25 Ω

หากระแส IR1 ที่แหล่งจ่ายจ่ายออกมา ซึ่งไหลผ่าน R1

V1 = 36 VR1 = 4 ΩR2 = 5 ΩR3 = 8 ΩR4 = 6 ΩR5 = 5 ΩR6 = 25 Ω
IR1 = A
9.ตัวแปลง DC-DCปานกลาง
tiL​Imax​ = ?Imin​Io​DTT2T

ตัวแปลงบัคแปลง 9 V เป็น 6.3 V สำหรับโหลด 8 Ω สวิตช์ที่ 25 kHz โดย L = 150 µH จงหากระแสยอดของตัวเหนี่ยวนำ Imax

Vin​ = 9 VVo​ = 6.3 Vf = 25 kHzL = 150 µHR = 8 Ω
Imax = A
10.ตัวแปลง DC-DCยาก
+−15 VSL = 100 µHC = ?R+−9 V

ตัวแปลงบัคแปลง 15 V เป็น 9 V ที่ 40 kHz โดย L = 100 µH จงหาความจุเอาต์พุต C ที่จำกัดริปเปิลเอาต์พุตยอดถึงยอดไว้ที่ 5 mV

Vin​ = 15 VVo​ = 9 Vf = 40 kHzL = 100 µHΔVo = 5 mV
C = µF
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจปานกลาง
+−15 V470 Ω470 Ω + ΔR470 Ω470 Ωab+−Vab​ = ?

บริดจ์มีแขนสี่ข้างข้างละ 470 Ω และ Vs = 15 V เซนเซอร์ R₂ เพิ่มขึ้น ΔR = 37.6 Ω จงหาเอาต์พุตที่แน่นอน Vab ในหน่วย mV

Vs = 15 VR = 470 ΩΔR = 37.6 Ω
Vab = mV
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจยาก
+−3 V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−Vo​ = ?

บริดจ์ที่มีแขนข้างละ 120 Ω ถูกกระตุ้นด้วย 3 V และมี เกจที่ทำงานหนึ่งตัว (ควอเตอร์บริดจ์) ตัวประกอบเกจคือ 2 และความเครียดคือ 1000 µε จงหาเอาต์พุตของบริดจ์ Vo ในหน่วย mV

Vs = 3 VGF = 2ε = 1000 µε
Vo = mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปปานกลาง
ABCD000111100001111000110302140517060120130150140819011010

ใช้แผนที่คาร์โนห์หารูปผลบวกของผลคูณ (SOP) ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 7, 9) มีกี่พจน์ผลคูณ N

F(A, B, C, D) = Σm(1, 4, 7, 9)
N =
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปยาก
ABCD00011110000111100001130204050716112013115X1418X9111110

สำหรับ F(A, B, C, D) = Σm(3, 6, 8, 10, 11, 12, 15) + d(9, 14) โดย d แทนเงื่อนไขไม่สนใจ จงหาจำนวน N ของไพรม์อิมพลิแคนต์จำเป็น

F(A, B, C, D) = Σm(3, 6, 8, 10, 11, 12, 15) + d(9, 14)
N =

3สารละลาย

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: VCE = 10.75 V

จุดไบแอสของ BJT: ในบริเวณแอกทีฟ VBE = 0.7 V, IC = β·IB และ IE = (β + 1)·IB หา IB จากลูปเบสด้วย KVL แล้วหา IC จากนั้นหา VCE จากลูปคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ ตัวแบ่งแรงดันที่เบสถูกแทนด้วยวงจรสมมูลเทวินิน VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂ ตัวต้านทานอีมิตเตอร์ปรากฏใหญ่ขึ้น (β + 1) เท่าในลูปเบส

กระแสเบส

IB = (VCC − VBE)/RB = (12 − 0.7)/680 kΩ = 16.62 µA

กระแสคอลเลกเตอร์

IC = β·IB = 50·16.62 µA = 0.8309 mA

แรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์

VCE = 12 − 0.8309 mA·1.5 kΩ = 10.75 V

คำตอบ

VCE = 10.75 V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: RB = 3.714 kΩ

BJT เป็นสวิตช์: เพื่อเปิดโหลดเต็มที่ ทรานซิสเตอร์ถูกขับให้อิ่มตัว ซึ่ง VCE = VCE(sat) และกระแสคอลเลกเตอร์ถูกกำหนดโดยโหลด: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC การอิ่มตัวต้องมี IB อย่างน้อย IC(sat)/β หากกระแสเบสน้อยกว่านั้น ทรานซิสเตอร์จะอยู่ในบริเวณแอกทีฟและ IC = β·IB

กระแสคอลเลกเตอร์ในภาวะอิ่มตัว

IC(sat) = (24 − 0.2)/680 = 35 mA

กระแสเบสต่ำสุด

IB(min) = IC(sat)/β = 35/50 = 700 µA

ตัวต้านทานเบส

RB = (3.3 − 0.7)/IB = 2.6 V/0.7 mA = 3.714 kΩ

คำตอบ

RB = 3.714 kΩ

ตัวต้านทานเบสที่เล็กกว่านี้ก็ทำให้ทรานซิสเตอร์อิ่มตัวได้เช่นกัน ในทางปฏิบัติเลือกค่าที่เล็กกว่านี้ไม่กี่เท่า

3.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Rf = 40 kΩ

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อัตราขยายของเครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส

V₋ = V₊ = Vin และกระแสผ่าน R₁ ไหลผ่าน Rf ด้วย ดังนั้น Vout = Vin·(1 + Rf/R₁)

Av = 1 + Rf/R1
Rf = (5 − 1)·10 = 40 kΩ

คำตอบ

Rf = 40 kΩ
4.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Vout = −0.2735 V

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

แรงดันที่ขา +

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = 1.2·10/(100 + 10) = 0.1091 V

ซ้อนทับอินพุตทั้งสอง

เมื่อ V₂ = 0, V₁ เห็นเป็นเครื่องขยายแบบกลับเฟส เมื่อ V₁ = 0, V₊ ถูกขยายด้วยอัตราขยายแบบไม่กลับเฟส 1 + R₂/R₁

Vout = −(4.7/22)·1.9 + (1 + 4.7/22)·0.1091 = −0.4059 + 0.1324 = −0.2735 V

คำตอบ

Vout = −0.2735 V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: τ = 112.2 ms

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

วงจรสมมูลเทวินินที่ตัวเก็บประจุมองเห็น

ลัดวงจรแหล่งกำเนิดเพื่อหา Rth เปิดวงจรตัวเก็บประจุเพื่อหาแรงดันที่มันจะเข้าสู่

Rth = R1 ∥ R2 = 6.8·6.8/(6.8 + 6.8) = 3.4 kΩ
vC(∞) = 30·6.8/(6.8 + 6.8) = 15 V

ค่าคงตัวเวลา

τ = Rth·C = 3.4·33 = 112.2 ms

คำตอบ

τ = 112.2 ms
6.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: t = 556.7 ms

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

ค่าเริ่มต้น ค่าสุดท้าย ค่าคงตัวเวลา

แรงดันคร่อมตัวเก็บประจุไม่สามารถกระโดดได้ จึงเริ่มจากค่าที่เก็บไว้และมุ่งไปสู่แรงดันของแหล่งจ่าย

vC(0) = 3 V, vC(∞) = Vs = 10 V
τ = R·C = 6.8 kΩ · 68 µF = 462.4 ms
vC(t) = 10 + (3 − 10)·e−t/τ

แก้สมการหาเวลา

7.9 = 10 + (−7)·e−t/τ → e−t/τ = (7.9 − 10)/(3 − 10) = 0.3
t = τ·ln((3 − 10)/(7.9 − 10)) = 462.4·ln(3.333) = 556.7 ms

คำตอบ

t = 556.7 ms
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: Req = 23.18 Ω

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 15 ΩR3​ = 15 Ω+−V1​18 VR2​15 ΩAR4​3 ΩB

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R3 + R4 = 15 + 3 = 18 Ω
R2 ∥ 18 = 15·18/(15+18) = 8.182 Ω
Req = R1 + 8.182 = 15 + 8.182 = 23.18 Ω

คำตอบ

Req = 23.18 Ω
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR1 = 4.73 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 4 ΩR3​ = 8 ΩR5​ = 5 Ω+−V1​36 VR2​5 ΩAR4​6 ΩBR6​25 Ω

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R5 + R6 = 5 + 25 = 30 Ω
R4 ∥ 30 = 5 Ω
R3 + 5 = 13 Ω
R2 ∥ 13 = 3.611 Ω
Req = R1 + 3.611 = 4 + 3.611 = 7.611 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 36/7.611 = 4.73 A

คำตอบ

IR1 = 4.73 A
9.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: Imax = 1.039 A

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 6.3/9 = 0.7

กระแสเฉลี่ยและกระแสริปเปิล

Io = 6.3/8 = 0.7875 A
ΔIL = VL·D/(L·f) = 2.7·0.7/(150·10⁻⁶·25·10³) = 0.504 A

กระแสยอด

Imax = 0.7875 + 0.504/2 = 1.039 A

คำตอบ

Imax = 1.039 A
10.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: C = 562.5 µF

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 9/15 = 0.6

กระแสริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ

ΔIL = (15 − 9)·0.6/(100·10⁻⁶·40·10³) = 0.9 A

ความจุไฟฟ้า

C = 0.9/(8·40·10³·5·10⁻³) = 562.5 µF

คำตอบ

C = 562.5 µF
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vab = 288.5 mV

บริดจ์วีตสโตน: ตัวแบ่งแรงดันสองตัวใช้แหล่งจ่าย Vs ร่วมกัน ตัวแบ่งซ้าย R1–R2 ให้ Va = Vs·R2/(R1 + R2) และตัวแบ่งขวา R3–R4 ให้ Vb = Vs·R4/(R3 + R4) เอาต์พุตคือ Vab = Va − Vb บริดจ์สมดุล (Vab = 0 ไม่มีกระแสในมิเตอร์) เมื่อ R1/R2 = R3/R4 นั่นคือ R1·R4 = R2·R3 เมื่อมองจากเอาต์พุต บริดจ์คือแหล่งเทวินินที่มี Rth = R1∥R2 + R3∥R4

แรงดันโหนด

Va = 15·507.6/977.6 = 7.788 V
Vb = 7.5 V

สารน้ำออก

Vab = 288.5 mV

คำตอบ

Vab = 288.5 mV

ค่าประมาณเชิงเส้น Vs·ΔR/(4R) = 300 mV สูงเกินไป 4 % : ควอเตอร์บริดจ์ไม่เป็นเชิงเส้นอย่างสมบูรณ์

12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vo = 1.5 mV

สเตรนเกจ: เกจเปลี่ยนความต้านทานตามความเครียด: ΔR/R = GF·ε โดยตัวประกอบเกจ GF ประมาณ 2 สำหรับแผ่นโลหะบาง ในบริดจ์ที่แขนทุกข้างเท่ากับ R เกจที่ทำงานหนึ่งตัว (ควอเตอร์บริดจ์) ให้ Vo ≈ Vs·GF·ε/4 เกจที่ทำงานสองตัวที่มีความเครียดตรงข้ามกันในแขนที่อยู่ติดกัน (ฮาล์ฟบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε/2 และสี่ตัว (ฟูลบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε ความเค้นได้จากกฎของฮุก σ = E·ε โหลดเซลล์ระบุความไวเป็น mV/V คือเอาต์พุตที่โหลดเต็มต่อแรงดันกระตุ้นหนึ่งโวลต์

การเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของความต้านทาน

ΔR/R = 2·1000·10⁻⁶ = 0.002

เอาต์พุตของบริดจ์

Vo ≈ Vs·GF·ε/4 = 3·0.002/4 = 1.5 mV

คำตอบ

Vo = 1.5 mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 3

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ABCD000111100001111000110302140517060120130150140819011010

จัดกลุ่ม 1

ทุกกลุ่มเป็นสี่เหลี่ยมของ 2ᵏ เซลล์ เซลล์ที่ขอบเป็นเพื่อนบ้านของเซลล์ที่ขอบตรงข้าม

B′C′D
A′BC′D′
A′BCD

รูป SOP ที่น้อยที่สุด

F = B′C′D + A′BC′D′ + A′BCD
N = 3

คำตอบ

N = 3
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 4

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ไพรม์อิมพลิแคนต์

กลุ่มที่ใหญ่ที่สุดที่สร้างได้จาก 1 และ X

B′CD, BCD′, AD′, AC, AB′
ABCD00011110000111100001130204050716112013115X1418X9111110

ไพรม์อิมพลิแคนต์จำเป็น

B′CD, BCD′, AD′, AC
N = 4

คำตอบ

N = 4

ExamProblems · examproblems.com/courses/electronics-1