1. ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ปานกลาง
RC = 1 kΩ β = 75 IC = ? VCC = 10 V RB = 150 kΩ ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 150 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
VCC = 10 V RB = 150 kΩ RC = 1 kΩ β = 75 VBE = 0.7 V
IC = mA
2. ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ยาก
RC = 220 Ω β = 150 VCC = 5 V 3.3 V RB = ? ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ
VCC = 5 V RC = 220 Ω β = 150 Vin = 3.3 V VBE = 0.7 V VCE(sat) = 0.2 V การขับเกิน = 3
RB = kΩ
3. วงจรออปแอมป์ ปานกลาง
− + Vout Rf = 100 kΩ R1 = 47 kΩ Vin = 0.6 V ออปแอมป์เป็นแบบอุดมคติและใช้แหล่งจ่าย ±15 V หาแรงดันเอาต์พุต Vout
Vin = 0.6 V R1 = 47 kΩ Rf = 100 kΩ
Vout = V
4. วงจรออปแอมป์ ยาก
− + Vout C = 0.22 µF Vin = 0.2 V R = 22 kΩ วงจรอินทิเกรเตอร์ใช้ออปแอมป์อุดมคติที่มีแหล่งจ่าย ±15 V เอาต์พุตอิ่มตัวที่ ±12 V ตัวเก็บประจุยังไม่มีประจุเมื่อป้อนอินพุตคงที่ Vin = 0.2 V ที่ t = 0 จงหาแรงดันเอาต์พุต Vout ที่ t = 50 ms
Vin = 0.2 V R = 22 kΩ C = 0.22 µF Vsat = ±12 V t = 50 ms
Vout = V
5. ทรานเซียนต์ RC และ RL ปานกลาง
+ − Vs 20 V t = 0 R = 47 Ω L 47 mH i(t) ตัวเหนี่ยวนำไม่มีกระแสก่อนที่สวิตช์จะปิดที่ t = 0 จงหาพลังงาน W(∞) ที่สะสมในตัวเหนี่ยวนำเมื่อวงจรเข้าสู่สถานะคงตัว ใน mJ
Vs = 20 V R = 47 Ω L = 47 mH
W(∞) = mJ
6. ทรานเซียนต์ RC และ RL ยาก
+ − Vs 5 V t = 0 R = 2.2 kΩ C 33 µF + − vC vC (0) = 6 V
ก่อนสวิตช์ปิดที่ t = 0 ตัวเก็บประจุเก็บแรงดัน 6 V ตามขั้วที่แสดง ใช้เวลานานเท่าใดให้ vC ถึง 5.6 V หา t
Vs = 5 V R = 2.2 kΩ C = 33 µF vC (0) = 6 V
t = ms
7. ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน ปานกลาง
R1 = 4 Ω IR1 R3 = 20 Ω + − V1 24 V R2 15 Ω A R4 6 Ω B หากระแส IR1 ที่แหล่งจ่ายจ่ายออกมา ซึ่งไหลผ่าน R1
V1 = 24 V R1 = 4 Ω R2 = 15 Ω R3 = 20 Ω R4 = 6 Ω
IR1 = A
8. ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน ยาก
R1 = 30 Ω R3 = 8 Ω R5 = 10 Ω + − V1 15 V R2 25 Ω IR2 A R4 25 Ω B R6 20 Ω หากระแส IR2 ผ่าน R2
V1 = 15 V R1 = 30 Ω R2 = 25 Ω R3 = 8 Ω R4 = 25 Ω R5 = 10 Ω R6 = 20 Ω
IR2 = A
9. ตัวแปลง DC-DC ปานกลาง
t iL Imax Imin ΔI = ? DT T 2T ตัวแปลงบัค-บูสต์แบบกลับขั้วในอุดมคติแปลง 36 V เป็น −24 V ที่ 100 kHz โดย L = 150 µH จงหากระแสริปเปิลยอดถึงยอดของตัวเหนี่ยวนำ ΔIL
Vin = 36 V Vo = −24 V f = 100 kHz L = 150 µH
ΔIL = A
10. ตัวแปลง DC-DC ยาก
ตัวแปลง บูสต์ ในอุดมคติแปลง 24 V เป็น 40 V สำหรับโหลด 50 Ω ที่ 100 kHz จงหาความเหนี่ยวนำที่น้อยที่สุด Lcrit สำหรับการนำกระแสต่อเนื่อง
Vin = 24 V Vo = 40 V f = 100 kHz R = 50 Ω
Lcrit = µH
11. บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ ปานกลาง
+ − 9 V R1 = 1000 Ω R2 = 500 Ω R3 = 50 Ω R4 = 150 Ω a b + − Rth = ?
จงหาความต้านทานเทวินิน Rth ของบริดจ์ที่แสดง เมื่อมองจากขั้วเอาต์พุต a และ b
Vs = 9 V R1 = 1000 Ω R2 = 500 Ω R3 = 50 Ω R4 = 150 Ω
Rth = Ω
12. บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ ยาก
+ − 3 V 350 Ω − ΔR 350 Ω + ΔR 350 Ω 350 Ω a b + − Vo = ?
บริดจ์ที่มีแขนข้างละ 350 Ω ถูกกระตุ้นด้วย 3 V และมี เกจที่ทำงานสองตัวในแขนที่อยู่ติดกัน ตัวหนึ่งรับแรงดึงและอีกตัวรับแรงอัด (ฮาล์ฟบริดจ์) ตัวประกอบเกจคือ 2.05 และความเครียดคือ 200 µε จงหาเอาต์พุตของบริดจ์ Vo ในหน่วย mV
Vs = 3 V GF = 2.05 ε = 200 µε
Vo = mV
13. ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป ปานกลาง
A BC 00 01 11 10 0 1 1 0 1 1 1 3 1 2 0 4 0 5 1 7 0 6
ใช้แผนที่คาร์โนห์หารูปผลคูณของผลบวก (POS) ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C) = Σm(0, 1, 2, 3, 7) มีกี่พจน์ผลบวก (ตัวประกอบ) N
F(A, B, C) = Σm(0, 1, 2, 3, 7)
N =
14. ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป ยาก
AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 0 0 X 1 0 3 1 2 X 4 1 5 1 7 1 6 0 12 X 13 0 15 1 14 0 8 1 9 1 11 1 10
จงหารูป SOP ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C, D) = Σm(2, 5, 6, 7, 9, 10, 11, 14) + d(1, 4, 13) โดย d แทนเงื่อนไขไม่สนใจ มีกี่พจน์ผลคูณ N
F(A, B, C, D) = Σm(2, 5, 6, 7, 9, 10, 11, 14) + d(1, 4, 13)
N =