อิเล็กทรอนิกส์ 1: ชุดสรุปเร่งรัด

สรุปสูตร ขั้นตอนวิธีทำที่สำคัญของทุกหัวข้อ และโจทย์ฝึก 14 ข้อ พร้อมเฉลยละเอียดไว้ท้ายเล่ม

โจทย์ใหม่กลับไปที่รายวิชา

ในหน้าต่างพิมพ์ ให้เลือก “บันทึกเป็น PDF” เพื่อเก็บสำเนาไว้ในอุปกรณ์ของคุณ

1สูตรและวิธีทำ

ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ไดโอด (แรงดันตกคงที่)
VD = 0.7 V when conducting
บริเวณแอกทีฟ
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
ไบแอสคงที่
IB = (VCC − 0.7)/RB
ไบแอสแบบแบ่งแรงดัน
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
เทวินินของตัวแบ่งแรงดัน
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
ลูปคอลเลกเตอร์
VCE = VCC − ICRC − IERE
ภาวะอิ่มตัว
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

วงจรออปแอมป์

เครื่องขยายแบบกลับเฟส
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
เครื่องขยายแบบรวมสัญญาณ
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
ออปแอมป์อุดมคติ
V+ = V−, Iin = 0

ทรานเซียนต์ RC และ RL

ค่าคงตัวเวลา
τ = RC | τ = L/R
การตอบสนอง
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
ตัวเก็บประจุที่ไฟฟ้ากระแสตรง
วงจรเปิด vC กระโดดไม่ได้
ตัวเหนี่ยวนำที่ไฟฟ้ากระแสตรง
ลัดวงจร iL กระโดดไม่ได้
นิ่งแล้ว
t ≈ 5τ

วิธีการ

  1. หาค่าเริ่มต้นทันทีหลังสวิตช์: แรงดันตัวเก็บประจุและกระแสตัวเหนี่ยวนำกระโดดไม่ได้
  2. หาค่าสุดท้ายเมื่อสวิตช์ผ่านไปนาน: ตัวเก็บประจุทำตัวเป็นวงจรเปิด ตัวเหนี่ยวนำทำตัวเป็นลัดวงจร
  3. หาค่าคงตัวเวลา: τ = RC หรือ τ = L/R โดยใช้ความต้านทานที่ตัวเก็บประจุหรือตัวเหนี่ยวนำมองเห็น
  4. ใช้ x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

ตัวต้านทานอนุกรม
Req = R1 + R2 + …
ตัวต้านทานขนาน
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
สองตัวขนานกัน
Req = R1R2 / (R1 + R2)
กฎของโอห์ม
V = I·R
กำลัง
P = V·I = I²R = V²/R

วิธีการ

  1. เริ่มจากปลายของโครงข่ายที่ไกลจากขั้วที่สุด
  2. รวมตัวต้านทานอนุกรมโดยบวกกัน และตัวต้านทานขนานด้วย 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …
  3. วาดวงจรใหม่หลังทุกขั้นตอน
  4. ทำซ้ำจนเหลือตัวต้านทานตัวเดียวระหว่างขั้ว

ตัวแปลง DC-DC

บัค
Vo = D·Vin
บูสต์
Vo = Vin/(1 − D)
บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
สมดุลกำลังในอุดมคติ
VinIin = VoIo
ริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
กระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำ
บัค Io; บูสต์และบัค-บูสต์ Io/(1 − D)
ริปเปิลเอาต์พุต
บัค ΔIL/(8fC); บูสต์และบัค-บูสต์ Io·D/(fC)
ขอบเขต CCM
บัค (1 − D)R/(2f); บูสต์ D(1 − D)²R/(2f); บัค-บูสต์ (1 − D)²R/(2f)

วิธีการ

  1. ระบุตัวแปลง (บัค บูสต์ หรือบัค-บูสต์) และดิวตี้ไซเคิล D จากอัตราส่วนแรงดัน
  2. ใช้สมดุลโวลต์-วินาทีของตัวเหนี่ยวนำ: แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำตลอดหนึ่งคาบเป็นศูนย์
  3. หาแรงดันตัวเหนี่ยวนำขณะสวิตช์เปิด แล้วหา ΔIL = VL·D/(L·f)
  4. สำหรับริปเปิลเอาต์พุต ให้หาประจุที่ไหลเข้าและออกจากตัวเก็บประจุ สำหรับขอบเขต CCM ให้ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

แรงดันตัวแบ่งแรงดัน
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
สารน้ำออก
Vab = Va − Vb
ดุล
R1/R2 = R3/R4
สไลด์ไวร์บริดจ์
R/Rx = l/(100 − l)
ความต้านทานเทวินิน
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ตัวประกอบเกจ
ΔR/R = GF·ε
เอาต์พุตของบริดจ์
ควอเตอร์ Vs·GF·ε/4, ฮาล์ฟ Vs·GF·ε/2, ฟูล Vs·GF·ε
การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย แขนเดียว
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
ความเค้น
σ = E·ε

วิธีการ

  1. ถือว่าบริดจ์คือตัวแบ่งแรงดันสองตัวที่ใช้แหล่งจ่ายเดียวกัน
  2. สำหรับสมดุล ตั้ง R₁/R₂ = R₃/R₄ แล้วแก้หาตัวต้านทานที่ไม่ทราบค่า
  3. สำหรับบริดจ์ที่ไม่สมดุล หา Va และ Vb จากตัวแบ่งแรงดันแล้วลบกัน ใช้วงจรเทียบเท่าเทวินินเมื่อมิเตอร์เป็นโหลดของเอาต์พุต
  4. สำหรับสเตรนเกจ แปลงความเครียดเป็น ΔR/R = GF·ε และใช้ Vs·GF·ε/4, /2 หรือ ×1 สำหรับควอเตอร์ ฮาล์ฟ หรือฟูลบริดจ์

ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

เกตพื้นฐาน
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
กฎของพีชคณิตแบบบูล
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
กฎของเดอมอร์แกน
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
ลำดับของแผนที่คาร์โนห์
00, 01, 11, 10 (Gray code)
กลุ่มของ 2ᵏ เซลล์
สูญเสีย k ตัวแปร
มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
ฟลิปฟล็อป
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
ตัวนับ
n บิต: 2ⁿ สถานะ; มอด N: n ที่น้อยที่สุดที่ 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
ตัวนับริปเปิล
fmax = 1/(n·tpd)
ตัวนับริงและตัวนับจอห์นสัน
n และ 2n สถานะ

วิธีการ

  1. สำหรับวงจร ให้ทำจากอินพุตไปถึงเอาต์พุตทีละเกตและเขียนค่าบนทุกเส้น หรือเขียนนิพจน์ของมันแล้วเติมตารางค่าความจริง
  2. สำหรับการทำให้ง่าย ให้ใส่ 1 (และค่าไม่สนใจเป็น X) ลงในแผนที่คาร์โนห์ที่มีแถวและคอลัมน์เรียงตามรหัสเกรย์: 00, 01, 11, 10
  3. ครอบคลุม 1 ด้วยกลุ่ม 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ให้น้อยที่สุดและใหญ่ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ โดยพันข้ามขอบ แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณที่ประกอบด้วยตัวแปรที่คงที่ จัดกลุ่ม 0 สำหรับรูป POS
  4. สำหรับฟลิปฟล็อปและตัวนับ ให้อ่านอินพุตที่ขอบแอ็กทีฟของสัญญาณนาฬิกาแต่ละขอบ เขียนสถานะหลังทุกขอบ และจำไว้ว่าตัวนับ n บิตวนกลับหลัง 2ⁿ สถานะ

2โจทย์ฝึก

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ปานกลาง
+−12 VR = ?3 × 3.2 V5 mA

LED 3 น้ำเงิน ตัว (แรงดันไปข้างหน้าตัวละ 3.2 V) ต่ออนุกรมกับตัวต้านทานเข้ากับแหล่งจ่าย 12 V จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแสเป็น 5 mA

Vs = 12 VVF = 3.2 Vn = 3I = 5 mA
R = Ω
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ยาก
RC​ = 470 Ωβ = 200VCC​ = 12 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 470 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 12 VRC = 470 Ωβ = 200Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10
RB = kΩ
3.วงจรออปแอมป์ปานกลาง
−+Vout​Rf​ = ?R1​ = 47 kΩVin​

เลือกตัวต้านทานป้อนกลับ Rf ที่ทำให้เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟสนี้มีอัตราขยายแรงดัน 31

R1 = 47 kΩAv = 31
Rf = kΩ
4.วงจรออปแอมป์ยาก
Vin​V1​Vout​ภาคที่ 1: กลับเฟสR1​ = 2 kΩRf1​ = 4.7 kΩภาคที่ 2: ไม่กลับเฟสR2​ = 4.7 kΩRf2​ = 22 kΩ

ภาคออปแอมป์อุดมคติสองภาคต่อแบบคาสเคด: เครื่องขยายแบบกลับเฟส (R1, Rf1) ตามด้วยเครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส (R2 ลงกราวด์ Rf2 ในวงป้อนกลับ) ทั้งสองใช้แหล่งจ่าย ±15 V จงหาอัตราขยายแรงดันรวม Av = Vout/Vin

R1 = 2 kΩRf1 = 4.7 kΩR2 = 4.7 kΩRf2 = 22 kΩ
Av =
5.ทรานเซียนต์ RC และ RLปานกลาง
+−Vs​30 Vt = 0R1​ = 10 kΩR2​ = 4.7 kΩC10 µF+−vC​

แหล่งกำเนิด Vₛ ประจุตัวเก็บประจุผ่าน R₁ และ R₂ ต่อขนานกับ C ตัวเก็บประจุยังไม่มีประจุเมื่อสวิตช์ปิดที่ t = 0 หาแรงดัน vC คร่อมตัวเก็บประจุที่ t = 15 ms

Vs = 30 VR1 = 10 kΩR2 = 4.7 kΩC = 10 µFt = 15 ms
vC = V
6.ทรานเซียนต์ RC และ RLยาก
+−Vs​24 Vt = 0R = 6.8 kΩC22 µF+−vC​vC​(0) = 3 V

ก่อนสวิตช์ปิดที่ t = 0 ตัวเก็บประจุเก็บแรงดัน 3 V ตามขั้วที่แสดง หาแรงดัน vC คร่อมตัวเก็บประจุที่ t = 75 ms

Vs = 24 VR = 6.8 kΩC = 22 µFvC(0) = 3 Vt = 75 ms
vC = V
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานปานกลาง
R1​ = 2 ΩR3​ = 8 Ω+−V1​9 VR2​3 ΩIR2​AR4​10 ΩB

หากระแส IR2 ผ่าน R2

V1 = 9 VR1 = 2 ΩR2 = 3 ΩR3 = 8 ΩR4 = 10 Ω
IR2 = A
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานยาก
R1​ = 8 ΩR3​ = 20 ΩR5​ = 15 Ω+−V1​15 VR2​25 ΩIR2​AR4​6 ΩBR6​8 Ω

หากระแส IR2 ผ่าน R2

V1 = 15 VR1 = 8 ΩR2 = 25 ΩR3 = 20 ΩR4 = 6 ΩR5 = 15 ΩR6 = 8 Ω
IR2 = A
9.ตัวแปลง DC-DCปานกลาง
+−36 VSL = ?CR+−18 V

ตัวแปลงบัคในอุดมคติแปลง 36 V เป็น 18 V ที่ความถี่สวิตชิง 25 kHz จงหาค่าความเหนี่ยวนำ L ที่ทำให้กระแสริปเปิลยอดถึงยอดของตัวเหนี่ยวนำเป็น 0.8 A

Vin​ = 36 VVo​ = 18 Vf = 25 kHzΔIL = 0.8 A
L = µH
10.ตัวแปลง DC-DCยาก
tiL​Imax​IL​DTT2T

ตัวแปลงบัค-บูสต์แบบกลับขั้วในอุดมคติแปลง 36 V เป็น −12 V สำหรับโหลด 4 Ω ที่ 100 kHz จงหาความเหนี่ยวนำที่น้อยที่สุด Lcrit สำหรับการนำกระแสต่อเนื่อง

Vin​ = 36 VVo​ = −12 Vf = 100 kHzR = 4 Ω
Lcrit = µH
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจปานกลาง
+−3 V150 Ω150 Ω + ΔR150 Ω150 Ωab+−Vab​ = ?

บริดจ์มีแขนสี่ข้างข้างละ 150 Ω และ Vs = 3 V เซนเซอร์ R₂ เพิ่มขึ้น ΔR = 1.5 Ω โดยใช้การประมาณการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย จงหาเอาต์พุต Vab ในหน่วย mV

Vs = 3 VR = 150 ΩΔR = 1.5 Ω
Vab = mV
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจยาก
+−10 V1000 Ω − ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vo​ = ?

บริดจ์ที่มีแขนข้างละ 1000 Ω ถูกกระตุ้นด้วย 10 V และมี เกจที่ทำงานสองตัวในแขนที่อยู่ติดกัน ตัวหนึ่งรับแรงดึงและอีกตัวรับแรงอัด (ฮาล์ฟบริดจ์) ตัวประกอบเกจคือ 2.12 และความเครียดคือ 800 µε จงหาเอาต์พุตของบริดจ์ Vo ในหน่วย mV

Vs = 10 VGF = 2.12ε = 800 µε
Vo = mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปปานกลาง
MUXC′I0​0I1​0I2​1I3​ABS1​S0​F

มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1 มีอินพุตเลือก S₁ = A และ S₀ = B และอินพุตข้อมูลต่อเข้ากับ I₀ = C′, I₁ = 0, I₂ = 0, I₃ = 1 จาก 8 ชุดของ A, B และ C มีกี่ชุดที่เอาต์พุต F = 1 จงหา N

I₀ = C′I₁ = 0I₂ = 0I₃ = 1
N =
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปยาก
ABCD0001111000011110X0011312X4050716012113X151141809111010

จงหารูป SOP ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C, D) = Σm(2, 3, 6, 8, 11, 13, 14) + d(0, 4, 15) โดย d แทนเงื่อนไขไม่สนใจ มีกี่พจน์ผลคูณ N

F(A, B, C, D) = Σm(2, 3, 6, 8, 11, 13, 14) + d(0, 4, 15)
N =

3สารละลาย

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: R = 480 Ω

LED และวงจรไดโอด: LED ที่ไบอัสไปข้างหน้ามีแรงดันตกคร่อมประมาณแรงดันไปข้างหน้า VF (ประมาณ 2 V สำหรับสีแดง 3 V สำหรับสีน้ำเงินหรือสีขาว) ไม่ว่ากระแสเท่าใด ตัวต้านทานอนุกรมกำหนดกระแส: R = (Vs − n·VF)/I สำหรับ LED n ตัวอนุกรม ด้วยแบบจำลองไดโอดที่แม่นยำกว่า V = V₀ + I·rd จุดทำงานคือจุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด I = (Vs − V)/R ดังนั้น I = (Vs − V₀)/(R + rd)

แรงดันคร่อมตัวต้านทาน

VR = 12 − 3·3.2 = 2.4 V

ความต้านทาน

R = 2.4/0.005 = 480 Ω

คำตอบ

R = 480 Ω

ตัวต้านทานสูญเสียกำลัง 12 mW

2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: RB = 3.425 kΩ

BJT เป็นสวิตช์: เพื่อเปิดโหลดเต็มที่ ทรานซิสเตอร์ถูกขับให้อิ่มตัว ซึ่ง VCE = VCE(sat) และกระแสคอลเลกเตอร์ถูกกำหนดโดยโหลด: IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC การอิ่มตัวต้องมี IB อย่างน้อย IC(sat)/β หากกระแสเบสน้อยกว่านั้น ทรานซิสเตอร์จะอยู่ในบริเวณแอกทีฟและ IC = β·IB

กระแสคอลเลกเตอร์ในภาวะอิ่มตัว

IC(sat) = (12 − 0.2)/470 = 25.11 mA

กระแสเบสต่ำสุด

IB(min) = IC(sat)/β = 25.11/200 = 125.5 µA

กระแสเบสที่ออกแบบ

IB = 10·125.5 µA = 1255 µA

ตัวต้านทานเบส

RB = (5 − 0.7)/IB = 4.3 V/1.255 mA = 3.425 kΩ

คำตอบ

RB = 3.425 kΩ
3.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Rf = 1410 kΩ

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อัตราขยายของเครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส

V₋ = V₊ = Vin และกระแสผ่าน R₁ ไหลผ่าน Rf ด้วย ดังนั้น Vout = Vin·(1 + Rf/R₁)

Av = 1 + Rf/R1
Rf = (31 − 1)·47 = 1410 kΩ

คำตอบ

Rf = 1410 kΩ
4.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Av = −13.35

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อัตราขยายของแต่ละภาค

A1 = −Rf1/R1 = −4.7/2 = −2.35
A2 = 1 + Rf2/R2 = 1 + 22/4.7 = 5.681

อัตราขยายรวม

Av = A1·A2 = −2.35·5.681 = −13.35

คำตอบ

Av = −13.35
5.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: vC = 3.592 V

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

วงจรสมมูลเทวินินที่ตัวเก็บประจุมองเห็น

ลัดวงจรแหล่งกำเนิดเพื่อหา Rth เปิดวงจรตัวเก็บประจุเพื่อหาแรงดันที่มันจะเข้าสู่

Rth = R1 ∥ R2 = 10·4.7/(10 + 4.7) = 3.197 kΩ
vC(∞) = 30·4.7/(10 + 4.7) = 9.592 V

ค่าคงตัวเวลา

τ = Rth·C = 3.197·10 = 31.97 ms

เส้นโค้งการประจุ

vC(t) = 9.592·(1 − e−15/31.97) = 3.592 V

คำตอบ

vC = 3.592 V
6.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: vC = 11.28 V

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

ค่าเริ่มต้น ค่าสุดท้าย ค่าคงตัวเวลา

แรงดันคร่อมตัวเก็บประจุไม่สามารถกระโดดได้ จึงเริ่มจากค่าที่เก็บไว้และมุ่งไปสู่แรงดันของแหล่งจ่าย

vC(0) = 3 V, vC(∞) = Vs = 24 V
τ = R·C = 6.8 kΩ · 22 µF = 149.6 ms
vC(t) = 24 + (3 − 24)·e−t/τ

แรงดันที่เวลาที่กำหนด

vC(75) = 24 + (−21)·e−75/149.6 = 11.28 V

คำตอบ

vC = 11.28 V
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR2 = 1.688 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 2 ΩR3​ = 8 Ω+−V1​9 VR2​3 ΩAR4​10 ΩB

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R3 + R4 = 8 + 10 = 18 Ω
R2 ∥ 18 = 3·18/(3+18) = 2.571 Ω
Req = R1 + 2.571 = 2 + 2.571 = 4.571 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 9/4.571 = 1.969 A

กระแสผ่าน R₂

ลบแรงดันตกคร่อม R₁ เพื่อให้ได้แรงดันที่โหนด A ซึ่งเป็นแรงดันคร่อม R₂

VA = V1 − IR1·R1 = 9 − 1.969·2 = 5.063 V
IR2 = VA/R2 = 5.063/3 = 1.688 A

คำตอบ

IR2 = 1.688 A
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR2 = 0.3652 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 8 ΩR3​ = 20 ΩR5​ = 15 Ω+−V1​15 VR2​25 ΩAR4​6 ΩBR6​8 Ω

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R5 + R6 = 15 + 8 = 23 Ω
R4 ∥ 23 = 4.759 Ω
R3 + 4.759 = 24.76 Ω
R2 ∥ 24.76 = 12.44 Ω
Req = R1 + 12.44 = 8 + 12.44 = 20.44 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 15/20.44 = 0.7339 A

กระแสผ่าน R₂

ลบแรงดันตกคร่อม R₁ เพื่อให้ได้แรงดันที่โหนด A ซึ่งเป็นแรงดันคร่อม R₂

VA = V1 − IR1·R1 = 15 − 0.7339·8 = 9.129 V
IR2 = VA/R2 = 9.129/25 = 0.3652 A

คำตอบ

IR2 = 0.3652 A
9.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: L = 450 µH

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 18/36 = 0.5

ความเหนี่ยวนำ

L = 18·0.5/(0.8·25·10³) = 450 µH

คำตอบ

L = 450 µH
10.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: Lcrit = 11.25 µH

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 12/(36 + 12) = 0.25

เงื่อนไขที่ขอบเขต

ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำให้เท่ากับครึ่งหนึ่งของกระแสริปเปิล แล้วแก้หา L

Lcrit = (1 − D)²·R/(2f)

ความเหนี่ยวนำวิกฤต

Lcrit = (1 − 0.25)²·4/(2100·10³) = 11.25 µH

คำตอบ

Lcrit = 11.25 µH
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vab = 7.5 mV

บริดจ์วีตสโตน: ตัวแบ่งแรงดันสองตัวใช้แหล่งจ่าย Vs ร่วมกัน ตัวแบ่งซ้าย R1–R2 ให้ Va = Vs·R2/(R1 + R2) และตัวแบ่งขวา R3–R4 ให้ Vb = Vs·R4/(R3 + R4) เอาต์พุตคือ Vab = Va − Vb บริดจ์สมดุล (Vab = 0 ไม่มีกระแสในมิเตอร์) เมื่อ R1/R2 = R3/R4 นั่นคือ R1·R4 = R2·R3 เมื่อมองจากเอาต์พุต บริดจ์คือแหล่งเทวินินที่มี Rth = R1∥R2 + R3∥R4

การเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์

ΔR/R = 1.5/150 = 0.01

เอาต์พุตแบบเชิงเส้น

Vab ≈ 3·0.01/4 = 7.5 mV

คำตอบ

Vab = 7.5 mV

ค่าที่แน่นอนคือ 7.463 mV การประมาณใช้ได้ดีเมื่อ ΔR/R เล็ก

12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vo = 8.48 mV

สเตรนเกจ: เกจเปลี่ยนความต้านทานตามความเครียด: ΔR/R = GF·ε โดยตัวประกอบเกจ GF ประมาณ 2 สำหรับแผ่นโลหะบาง ในบริดจ์ที่แขนทุกข้างเท่ากับ R เกจที่ทำงานหนึ่งตัว (ควอเตอร์บริดจ์) ให้ Vo ≈ Vs·GF·ε/4 เกจที่ทำงานสองตัวที่มีความเครียดตรงข้ามกันในแขนที่อยู่ติดกัน (ฮาล์ฟบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε/2 และสี่ตัว (ฟูลบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε ความเค้นได้จากกฎของฮุก σ = E·ε โหลดเซลล์ระบุความไวเป็น mV/V คือเอาต์พุตที่โหลดเต็มต่อแรงดันกระตุ้นหนึ่งโวลต์

การเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของความต้านทาน

ΔR/R = 2.12·800·10⁻⁶ = 0.001696

เอาต์พุตของบริดจ์

Vo = Vs·GF·ε/2 = 10·0.001696/2 = 8.48 mV

คำตอบ

Vo = 8.48 mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 3

มัลติเพล็กเซอร์: มัลติเพล็กเซอร์ 2ⁿ ต่อ 1 ส่งอินพุตข้อมูลหนึ่งตัวไปยังเอาต์พุต สายเลือก (select) เมื่ออ่านเป็นเลขฐานสองจะเลือกว่าตัวใด สำหรับ MUX 4 ต่อ 1 ที่สายเลือก S₁S₀ = AB จะได้ F = A′B′·I₀ + A′B·I₁ + AB′·I₂ + AB·I₃ การต่ออินพุตข้อมูลเข้ากับ 0, 1, C หรือ C′ ทำให้ MUX สร้างฟังก์ชันใดก็ได้ของ A, B และ C ซึ่งเป็นวิธีที่พบบ่อยในการสร้างตรรกะด้วยชิปตัวเดียว

นิพจน์เอาต์พุต

F = A′B′C′ + AB

แถวที่ F = 1

ABC = 000, 110, 111
N = 3

คำตอบ

N = 3
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 5

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ไพรม์อิมพลิแคนต์

กลุ่มที่ใหญ่ที่สุดที่สร้างได้จาก 1 และ X

B′C′D′, B′CD, BCD′, A′D′, ACD, ABD, A′B′C, ABC
ABCD0001111000011110X0011312X4050716012113X151141809111010

การครอบคลุมที่น้อยที่สุด

F = B′C′D′ + B′CD + BCD′ + A′D′ + ABD
N = 5

คำตอบ

N = 5

มีการจัดกลุ่มอีกแบบที่มีขนาดเท่ากัน ซึ่งมีจำนวนพจน์และลิเทอรัลเท่ากัน

ExamProblems · examproblems.com/courses/electronics-1