อิเล็กทรอนิกส์ 1: ชุดสรุปเร่งรัด

สรุปสูตร ขั้นตอนวิธีทำที่สำคัญของทุกหัวข้อ และโจทย์ฝึก 14 ข้อ พร้อมเฉลยละเอียดไว้ท้ายเล่ม

โจทย์ใหม่กลับไปที่รายวิชา

ในหน้าต่างพิมพ์ ให้เลือก “บันทึกเป็น PDF” เพื่อเก็บสำเนาไว้ในอุปกรณ์ของคุณ

1สูตรและวิธีทำ

ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ไดโอด (แรงดันตกคงที่)
VD = 0.7 V when conducting
บริเวณแอกทีฟ
VBE = 0.7 V, IC = β·IB, IE = (β + 1)·IB
ไบแอสคงที่
IB = (VCC − 0.7)/RB
ไบแอสแบบแบ่งแรงดัน
IB = (VTH − 0.7)/(RTH + (β + 1)RE)
เทวินินของตัวแบ่งแรงดัน
VTH = VCC·R2/(R1 + R2), RTH = R1∥R2
ลูปคอลเลกเตอร์
VCE = VCC − ICRC − IERE
ภาวะอิ่มตัว
IC(sat) = (VCC − VCE(sat))/RC, IB ≥ IC(sat)/β

วงจรออปแอมป์

เครื่องขยายแบบกลับเฟส
Vout = −(Rf/Rin)·Vin
เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส
Vout = (1 + Rf/R1)·Vin
เครื่องขยายแบบรวมสัญญาณ
Vout = −Rf(V1/R1 + V2/R2)
ออปแอมป์อุดมคติ
V+ = V−, Iin = 0

ทรานเซียนต์ RC และ RL

ค่าคงตัวเวลา
τ = RC | τ = L/R
การตอบสนอง
x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ
ตัวเก็บประจุที่ไฟฟ้ากระแสตรง
วงจรเปิด vC กระโดดไม่ได้
ตัวเหนี่ยวนำที่ไฟฟ้ากระแสตรง
ลัดวงจร iL กระโดดไม่ได้
นิ่งแล้ว
t ≈ 5τ

วิธีการ

  1. หาค่าเริ่มต้นทันทีหลังสวิตช์: แรงดันตัวเก็บประจุและกระแสตัวเหนี่ยวนำกระโดดไม่ได้
  2. หาค่าสุดท้ายเมื่อสวิตช์ผ่านไปนาน: ตัวเก็บประจุทำตัวเป็นวงจรเปิด ตัวเหนี่ยวนำทำตัวเป็นลัดวงจร
  3. หาค่าคงตัวเวลา: τ = RC หรือ τ = L/R โดยใช้ความต้านทานที่ตัวเก็บประจุหรือตัวเหนี่ยวนำมองเห็น
  4. ใช้ x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

ตัวต้านทานอนุกรม
Req = R1 + R2 + …
ตัวต้านทานขนาน
1/Req = 1/R1 + 1/R2 + …
สองตัวขนานกัน
Req = R1R2 / (R1 + R2)
กฎของโอห์ม
V = I·R
กำลัง
P = V·I = I²R = V²/R

วิธีการ

  1. เริ่มจากปลายของโครงข่ายที่ไกลจากขั้วที่สุด
  2. รวมตัวต้านทานอนุกรมโดยบวกกัน และตัวต้านทานขนานด้วย 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + …
  3. วาดวงจรใหม่หลังทุกขั้นตอน
  4. ทำซ้ำจนเหลือตัวต้านทานตัวเดียวระหว่างขั้ว

ตัวแปลง DC-DC

บัค
Vo = D·Vin
บูสต์
Vo = Vin/(1 − D)
บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว
|Vo| = Vin·D/(1 − D)
สมดุลกำลังในอุดมคติ
VinIin = VoIo
ริปเปิลของตัวเหนี่ยวนำ
ΔIL = VL,on·D/(L·f); buck Vin − Vo, boost and buck-boost Vin
กระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำ
บัค Io; บูสต์และบัค-บูสต์ Io/(1 − D)
ริปเปิลเอาต์พุต
บัค ΔIL/(8fC); บูสต์และบัค-บูสต์ Io·D/(fC)
ขอบเขต CCM
บัค (1 − D)R/(2f); บูสต์ D(1 − D)²R/(2f); บัค-บูสต์ (1 − D)²R/(2f)

วิธีการ

  1. ระบุตัวแปลง (บัค บูสต์ หรือบัค-บูสต์) และดิวตี้ไซเคิล D จากอัตราส่วนแรงดัน
  2. ใช้สมดุลโวลต์-วินาทีของตัวเหนี่ยวนำ: แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำตลอดหนึ่งคาบเป็นศูนย์
  3. หาแรงดันตัวเหนี่ยวนำขณะสวิตช์เปิด แล้วหา ΔIL = VL·D/(L·f)
  4. สำหรับริปเปิลเอาต์พุต ให้หาประจุที่ไหลเข้าและออกจากตัวเก็บประจุ สำหรับขอบเขต CCM ให้ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

แรงดันตัวแบ่งแรงดัน
Va = VsR2/(R1 + R2), Vb = VsR4/(R3 + R4)
สารน้ำออก
Vab = Va − Vb
ดุล
R1/R2 = R3/R4
สไลด์ไวร์บริดจ์
R/Rx = l/(100 − l)
ความต้านทานเทวินิน
Rth = R1∥R2 + R3∥R4
ตัวประกอบเกจ
ΔR/R = GF·ε
เอาต์พุตของบริดจ์
ควอเตอร์ Vs·GF·ε/4, ฮาล์ฟ Vs·GF·ε/2, ฟูล Vs·GF·ε
การเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย แขนเดียว
Vab ≈ Vs·ΔR/(4R)
ความเค้น
σ = E·ε

วิธีการ

  1. ถือว่าบริดจ์คือตัวแบ่งแรงดันสองตัวที่ใช้แหล่งจ่ายเดียวกัน
  2. สำหรับสมดุล ตั้ง R₁/R₂ = R₃/R₄ แล้วแก้หาตัวต้านทานที่ไม่ทราบค่า
  3. สำหรับบริดจ์ที่ไม่สมดุล หา Va และ Vb จากตัวแบ่งแรงดันแล้วลบกัน ใช้วงจรเทียบเท่าเทวินินเมื่อมิเตอร์เป็นโหลดของเอาต์พุต
  4. สำหรับสเตรนเกจ แปลงความเครียดเป็น ΔR/R = GF·ε และใช้ Vs·GF·ε/4, /2 หรือ ×1 สำหรับควอเตอร์ ฮาล์ฟ หรือฟูลบริดจ์

ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

เกตพื้นฐาน
A·B, A + B, A′, (A·B)′, (A + B)′, A ⊕ B
กฎของพีชคณิตแบบบูล
X + X′ = 1, X·X′ = 0, X + XY = X, XY + XY′ = X
กฎของเดอมอร์แกน
(X·Y)′ = X′ + Y′, (X + Y)′ = X′·Y′
ลำดับของแผนที่คาร์โนห์
00, 01, 11, 10 (Gray code)
กลุ่มของ 2ᵏ เซลล์
สูญเสีย k ตัวแปร
มัลติเพล็กเซอร์ 4 ต่อ 1
F = A′B′I0 + A′BI1 + AB′I2 + ABI3
ฟลิปฟล็อป
D: Q⁺ = D, T: Q⁺ = T ⊕ Q, JK: Q⁺ = JQ′ + K′Q
ตัวนับ
n บิต: 2ⁿ สถานะ; มอด N: n ที่น้อยที่สุดที่ 2ⁿ ≥ N; fout = fclk/N
ตัวนับริปเปิล
fmax = 1/(n·tpd)
ตัวนับริงและตัวนับจอห์นสัน
n และ 2n สถานะ

วิธีการ

  1. สำหรับวงจร ให้ทำจากอินพุตไปถึงเอาต์พุตทีละเกตและเขียนค่าบนทุกเส้น หรือเขียนนิพจน์ของมันแล้วเติมตารางค่าความจริง
  2. สำหรับการทำให้ง่าย ให้ใส่ 1 (และค่าไม่สนใจเป็น X) ลงในแผนที่คาร์โนห์ที่มีแถวและคอลัมน์เรียงตามรหัสเกรย์: 00, 01, 11, 10
  3. ครอบคลุม 1 ด้วยกลุ่ม 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ให้น้อยที่สุดและใหญ่ที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ โดยพันข้ามขอบ แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณที่ประกอบด้วยตัวแปรที่คงที่ จัดกลุ่ม 0 สำหรับรูป POS
  4. สำหรับฟลิปฟล็อปและตัวนับ ให้อ่านอินพุตที่ขอบแอ็กทีฟของสัญญาณนาฬิกาแต่ละขอบ เขียนสถานะหลังทุกขอบ และจำไว้ว่าตัวนับ n บิตวนกลับหลัง 2ⁿ สถานะ

2โจทย์ฝึก

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ปานกลาง
RC​ = 2.2 kΩβ = 200RE​ = 1 kΩVCC​ = 20 VR1​ = 33 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 20 V: R₁ = 33 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.2 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 20 VR1 = 33 kΩR2 = 12 kΩRC = 2.2 kΩRE = 1 kΩβ = 200
VCE = V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์ยาก
V (V)I (mA)0.6510.64Q = ?

ไดโอดถูกจำลองเป็น 0.6 V อนุกรมกับ 25 Ω (นำกระแสเมื่อสูงกว่า 0.6 V) มันอนุกรมกับตัวต้านทาน 470 Ω คร่อมแหล่งจ่าย 5 V จงหากระแสทำงาน ID ณ จุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด

Vs = 5 VR = 470 ΩV0 = 0.6 Vrd = 25 Ω
ID = mA
3.วงจรออปแอมป์ปานกลาง
−+Vout​Rf​ = ?R1​ = 4.7 kΩVin​

เลือกตัวต้านทานป้อนกลับ Rf ที่ทำให้เครื่องขยายแบบไม่กลับเฟสนี้มีอัตราขยายแรงดัน 25

R1 = 4.7 kΩAv = 25
Rf = kΩ
4.วงจรออปแอมป์ยาก
−+Vout​R2​ = 47 kΩV1​ = 2 VR1​ = 47 kΩV2​ = 1.1 VR3​ = 10 kΩR4​ = 4.7 kΩ

ออปแอมป์เป็นแบบอุดมคติและใช้แหล่งจ่าย ±15 V อัตราส่วนของตัวต้านทานไม่ตรงกัน จงหาแรงดันเอาต์พุต Vout

V1 = 2 VV2 = 1.1 VR1 = 47 kΩR2 = 47 kΩR3 = 10 kΩR4 = 4.7 kΩ
Vout = V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RLปานกลาง
+−Vs​12 Vt = 0R1​ = 1 kΩR2​ = 1 kΩC100 µF+−vC​

แหล่งกำเนิด Vₛ ประจุตัวเก็บประจุผ่าน R₁ และ R₂ ต่อขนานกับ C ตัวเก็บประจุยังไม่มีประจุเมื่อสวิตช์ปิดที่ t = 0 หาแรงดัน vC คร่อมตัวเก็บประจุที่ t = 100 ms

Vs = 12 VR1 = 1 kΩR2 = 1 kΩC = 100 µFt = 100 ms
vC = V
6.ทรานเซียนต์ RC และ RLยาก
+−Vs​12 Vt = 0R = 2.2 kΩC?+−vC​

ตัวตั้งเวลาเริ่มประจุตัวเก็บประจุที่ไม่มีประจุผ่านตัวต้านทานจากแหล่งจ่าย 12 V ที่ t = 0 ต้องทริกเกอร์เมื่อแรงดันตัวเก็บประจุถึง 9.6 V พอดี 20 ms หลังเริ่ม เมื่อ R = 2.2 kΩ จงหาความจุ C ที่ต้องการ

Vs = 12 VVth = 9.6 VT = 20 msR = 2.2 kΩ
C = µF
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานปานกลาง
R1​ = 15 ΩR3​ = 3 Ω+−V1​9 VR2​10 ΩAR4​4 ΩB

หาความต้านทานสมมูล Req ที่แหล่งจ่าย V1 มองเห็น

V1 = 9 VR1 = 15 ΩR2 = 10 ΩR3 = 3 ΩR4 = 4 Ω
Req = Ω
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนานยาก
R1​ = 3 ΩR3​ = 4 ΩR5​ = 20 Ω+−V1​6 VR2​10 ΩIR2​AR4​3 ΩBR6​20 Ω

หากระแส IR2 ผ่าน R2

V1 = 6 VR1 = 3 ΩR2 = 10 ΩR3 = 4 ΩR4 = 3 ΩR5 = 20 ΩR6 = 20 Ω
IR2 = A
9.ตัวแปลง DC-DCปานกลาง
tiL​Imax​Imin​ΔI = ?DTT2T

ตัวแปลงบัค-บูสต์แบบกลับขั้วในอุดมคติแปลง 15 V เป็น −10 V ที่ 100 kHz โดย L = 150 µH จงหากระแสริปเปิลยอดถึงยอดของตัวเหนี่ยวนำ ΔIL

Vin​ = 15 VVo​ = −10 Vf = 100 kHzL = 150 µH
ΔIL = A
10.ตัวแปลง DC-DCยาก
tiL​Imax​IL​DTT2T

ตัวแปลง บูสต์ ในอุดมคติแปลง 24 V เป็น 48 V สำหรับโหลด 4 Ω ที่ 250 kHz จงหาความเหนี่ยวนำที่น้อยที่สุด Lcrit สำหรับการนำกระแสต่อเนื่อง

Vin​ = 24 VVo​ = 48 Vf = 250 kHzR = 4 Ω
Lcrit = µH
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจปานกลาง
+−9 V400 Ω400 Ω + ΔR400 Ω400 Ωab+−44.55 mV

บริดจ์ที่มีแขนสี่ข้างข้างละ 400 Ω ได้รับแรงดัน 9 V เมื่อเซนเซอร์ R₂ เปลี่ยนไป เอาต์พุตอ่านได้ Vab = 44.55 mV จงหาการเปลี่ยนแปลงที่แน่นอน ΔR ของ R₂

Vs = 9 VR = 400 ΩVab = 44.55 mV
ΔR = Ω
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจยาก
+−5 V1000 Ω − ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vo​ = ?

บริดจ์ที่มีแขนข้างละ 1000 Ω ถูกกระตุ้นด้วย 5 V และมี เกจที่ทำงานสองตัวในแขนที่อยู่ติดกัน ตัวหนึ่งรับแรงดึงและอีกตัวรับแรงอัด (ฮาล์ฟบริดจ์) ตัวประกอบเกจคือ 2 และความเครียดคือ 1200 µε จงหาเอาต์พุตของบริดจ์ Vo ในหน่วย mV

Vs = 5 VGF = 2ε = 1200 µε
Vo = mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปปานกลาง
ABC00011110010011030214051706

ใช้แผนที่คาร์โนห์หารูปผลบวกของผลคูณ (SOP) ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C) = Σm(1, 4, 7) มีลิเทอรัลรวมกี่ตัว L (ตัวแปรที่มีไพรม์นับเป็นหนึ่งลิเทอรัล)

F(A, B, C) = Σm(1, 4, 7)
L =
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อปยาก
ABCD00011110000111101011130214151716012013015014X819X11110

จงหารูป SOP ที่น้อยที่สุดของ F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10) + d(8, 11) โดย d แทนเงื่อนไขไม่สนใจ มีกี่พจน์ผลคูณ N

F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10) + d(8, 11)
N =

3สารละลาย

1.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: VCE = 5.844 V

จุดไบแอสของ BJT: ในบริเวณแอกทีฟ VBE = 0.7 V, IC = β·IB และ IE = (β + 1)·IB หา IB จากลูปเบสด้วย KVL แล้วหา IC จากนั้นหา VCE จากลูปคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ ตัวแบ่งแรงดันที่เบสถูกแทนด้วยวงจรสมมูลเทวินิน VTH = VCC·R₂/(R₁ + R₂), RTH = R₁∥R₂ ตัวต้านทานอีมิตเตอร์ปรากฏใหญ่ขึ้น (β + 1) เท่าในลูปเบส

วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง

VTH = 20·12/(33 + 12) = 5.333 V
RTH = 33·12/(33 + 12) = 8.8 kΩ

กระแสเบส

KVL รอบลูปเบส กระแสอีมิตเตอร์คือ (β + 1)·IB

IB = (5.333 − 0.7)/(8.8 + 201·1) = 22.08 µA

กระแสคอลเลกเตอร์

IC = 200·22.08 µA = 4.417 mA
IE = 201·22.08 µA = 4.439 mA

แรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์

VCE = 20 − 4.417·2.2 − 4.439·1 = 5.844 V

คำตอบ

VCE = 5.844 V
2.ไดโอดและทรานซิสเตอร์

คำตอบ: ID = 8.889 mA

LED และวงจรไดโอด: LED ที่ไบอัสไปข้างหน้ามีแรงดันตกคร่อมประมาณแรงดันไปข้างหน้า VF (ประมาณ 2 V สำหรับสีแดง 3 V สำหรับสีน้ำเงินหรือสีขาว) ไม่ว่ากระแสเท่าใด ตัวต้านทานอนุกรมกำหนดกระแส: R = (Vs − n·VF)/I สำหรับ LED n ตัวอนุกรม ด้วยแบบจำลองไดโอดที่แม่นยำกว่า V = V₀ + I·rd จุดทำงานคือจุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด I = (Vs − V)/R ดังนั้น I = (Vs − V₀)/(R + rd)

รวมสองสมการ

5 = 0.6 + I·(470 + 25)

กระแสทำงาน

ID = 4.4/495 = 8.889 mA
VD = 0.6 + 0.008889·25 = 0.8222 V

คำตอบ

ID = 8.889 mA
3.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Rf = 112.8 kΩ

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

อัตราขยายของเครื่องขยายแบบไม่กลับเฟส

V₋ = V₊ = Vin และกระแสผ่าน R₁ ไหลผ่าน Rf ด้วย ดังนั้น Vout = Vin·(1 + Rf/R₁)

Av = 1 + Rf/R1
Rf = (25 − 1)·4.7 = 112.8 kΩ

คำตอบ

Rf = 112.8 kΩ
4.วงจรออปแอมป์

คำตอบ: Vout = −1.297 V

กฎของออปแอมป์อุดมคติ: เมื่อมีป้อนกลับลบ ออปแอมป์จะขับเอาต์พุตให้อินพุตทั้งสองมีแรงดันเท่ากัน (V₋ = V₊) และไม่มีกระแสไหลเข้าอินพุตใดเลย เขียน KCL ที่อินพุตกลับเฟสโดยใช้สองข้อนี้ก็จะได้เอาต์พุต

แรงดันที่ขา +

V₊ = V2·R4/(R3 + R4) = 1.1·4.7/(10 + 4.7) = 0.3517 V

ซ้อนทับอินพุตทั้งสอง

เมื่อ V₂ = 0, V₁ เห็นเป็นเครื่องขยายแบบกลับเฟส เมื่อ V₁ = 0, V₊ ถูกขยายด้วยอัตราขยายแบบไม่กลับเฟส 1 + R₂/R₁

Vout = −(47/47)·2 + (1 + 47/47)·0.3517 = −2 + 0.7034 = −1.297 V

คำตอบ

Vout = −1.297 V
5.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: vC = 5.188 V

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

วงจรสมมูลเทวินินที่ตัวเก็บประจุมองเห็น

ลัดวงจรแหล่งกำเนิดเพื่อหา Rth เปิดวงจรตัวเก็บประจุเพื่อหาแรงดันที่มันจะเข้าสู่

Rth = R1 ∥ R2 = 1·1/(1 + 1) = 0.5 kΩ
vC(∞) = 12·1/(1 + 1) = 6 V

ค่าคงตัวเวลา

τ = Rth·C = 0.5·100 = 50 ms

เส้นโค้งการประจุ

vC(t) = 6·(1 − e−100/50) = 5.188 V

คำตอบ

vC = 5.188 V
6.ทรานเซียนต์ RC และ RL

คำตอบ: C = 5.648 µF

ทรานเซียนต์อันดับหนึ่ง: ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวหรือตัวเหนี่ยวนำหนึ่งตัว แรงดันและกระแสทุกค่าเปลี่ยนแบบเอกซ์โพเนนเชียลจากค่าเริ่มต้นไปยังค่าสุดท้าย: x(t) = x(∞) + [x(0) − x(∞)]·e−t/τ โดย τ = RC หรือ τ = L/R หลังจากประมาณ 5τ วงจรจะนิ่งแล้ว

ค่าคงที่เวลาที่ต้องการ

9.6 = 12·(1 − e−20/τ) → τ = 20/ln(12/(12 − 9.6))
τ = 20/1.609 = 12.43 ms

ความจุไฟฟ้า

kΩ คูณ µF ได้มิลลิวินาที

C = τ/R = 12.43/2.2 = 5.648 µF

คำตอบ

C = 5.648 µF
7.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: Req = 19.12 Ω

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 15 ΩR3​ = 3 Ω+−V1​9 VR2​10 ΩAR4​4 ΩB

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R3 + R4 = 3 + 4 = 7 Ω
R2 ∥ 7 = 10·7/(10+7) = 4.118 Ω
Req = R1 + 4.118 = 15 + 4.118 = 19.12 Ω

คำตอบ

Req = 19.12 Ω
8.ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน

คำตอบ: IR2 = 0.3445 A

ตัวต้านทานอนุกรมและขนาน: ในการต่ออนุกรม กระแสเดียวกันไหลผ่านตัวต้านทานแต่ละตัว และ R = R₁ + R₂ + … ในการต่อขนาน ตัวต้านทานแต่ละตัวมีแรงดันเท่ากัน และ 1/R = 1/R₁ + 1/R₂ + … วงจรแบบบันไดลดรูปทีละคู่จนเหลือความต้านทานสมมูลเพียงค่าเดียว

R1​ = 3 ΩR3​ = 4 ΩR5​ = 20 Ω+−V1​6 VR2​10 ΩAR4​3 ΩBR6​20 Ω

รวมตัวต้านทานจากปลายสุด

เริ่มจากปลายที่ไกลจากแหล่งจ่ายที่สุดแล้วไล่กลับมาหาแหล่งจ่าย ตัวต้านทานที่มีกระแสเท่ากันต่ออนุกรมกัน ตัวต้านทานที่คร่อมโหนดคู่เดียวกันต่อขนานกัน

R5 + R6 = 20 + 20 = 40 Ω
R4 ∥ 40 = 2.791 Ω
R3 + 2.791 = 6.791 Ω
R2 ∥ 6.791 = 4.044 Ω
Req = R1 + 4.044 = 3 + 4.044 = 7.044 Ω

กระแสจากแหล่งจ่าย

แหล่งจ่ายเห็นเพียง Req ดังนั้นกฎของโอห์มจึงให้กระแสที่มันจ่ายออกมา กระแสนั้นไหลผ่าน R₁

IR1 = V1/Req = 6/7.044 = 0.8517 A

กระแสผ่าน R₂

ลบแรงดันตกคร่อม R₁ เพื่อให้ได้แรงดันที่โหนด A ซึ่งเป็นแรงดันคร่อม R₂

VA = V1 − IR1·R1 = 6 − 0.8517·3 = 3.445 V
IR2 = VA/R2 = 3.445/10 = 0.3445 A

คำตอบ

IR2 = 0.3445 A
9.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: ΔIL = 0.4 A

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 10/(15 + 10) = 0.4

แรงดันตัวเหนี่ยวนำระหว่างช่วงเปิด

ขณะ S เปิด ตัวเหนี่ยวนำอยู่คร่อม Vin โดยตรง

VL = 15 V

กระแสริปเปิล

ΔIL = VL·D/(L·f) = 15·0.4/(150·10⁻⁶·100·10³) = 0.4 A

คำตอบ

ΔIL = 0.4 A
10.ตัวแปลง DC-DC

คำตอบ: Lcrit = 1 µH

ตัวแปลง DC-DC: สวิตช์ S เปิดในสัดส่วน D ของแต่ละคาบ T = 1/f ในสถานะคงตัว แรงดันเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเป็นศูนย์ (สมดุลโวลต์-วินาที) ซึ่งให้อัตราส่วนการแปลงในอุดมคติในโหมดนำกระแสต่อเนื่อง: บัค Vo = D·Vin, บูสต์ Vo = Vin/(1 − D), บัค-บูสต์แบบกลับขั้ว |Vo| = Vin·D/(1 − D) ตัวแปลงในอุดมคติรักษากำลังไว้: Vin·Iin = Vo·Io ขณะ S เปิด กระแสตัวเหนี่ยวนำเพิ่มขึ้น ΔIL = VL·D·T/L โดย VL = Vin − Vo สำหรับบัค และ Vin สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ ริปเปิลเอาต์พุตคือ ΔVo = ΔIL/(8fC) สำหรับบัค และ Io·D/(fC) สำหรับบูสต์และบัค-บูสต์ กระแสตัวเหนี่ยวนำเพียงแตะศูนย์ (ขอบเขต CCM) เมื่อกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำเท่ากับ ΔIL/2

วัฏจักรหน้าที่

D = 1 − 24/48 = 0.5

เงื่อนไขที่ขอบเขต

ตั้งกระแสเฉลี่ยของตัวเหนี่ยวนำให้เท่ากับครึ่งหนึ่งของกระแสริปเปิล แล้วแก้หา L

Lcrit = D(1 − D)²·R/(2f)

ความเหนี่ยวนำวิกฤต

Lcrit = 0.5(1 − 0.5)²·4/(2250·10³) = 1 µH

คำตอบ

Lcrit = 1 µH
11.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: ΔR = 7.999 Ω

บริดจ์วีตสโตน: ตัวแบ่งแรงดันสองตัวใช้แหล่งจ่าย Vs ร่วมกัน ตัวแบ่งซ้าย R1–R2 ให้ Va = Vs·R2/(R1 + R2) และตัวแบ่งขวา R3–R4 ให้ Vb = Vs·R4/(R3 + R4) เอาต์พุตคือ Vab = Va − Vb บริดจ์สมดุล (Vab = 0 ไม่มีกระแสในมิเตอร์) เมื่อ R1/R2 = R3/R4 นั่นคือ R1·R4 = R2·R3 เมื่อมองจากเอาต์พุต บริดจ์คือแหล่งเทวินินที่มี Rth = R1∥R2 + R3∥R4

แรงดันโหนด

Va = 4.5 + 0.04455 = 4.545 V

แก้ตัวแบ่งแรงดัน

R₂ = 400·4.545/(9 − 4.545) = 408 Ω
ΔR = 408 − 400 = 7.999 Ω

คำตอบ

ΔR = 7.999 Ω
12.บริดจ์วีตสโตนและสเตรนเกจ

คำตอบ: Vo = 6 mV

สเตรนเกจ: เกจเปลี่ยนความต้านทานตามความเครียด: ΔR/R = GF·ε โดยตัวประกอบเกจ GF ประมาณ 2 สำหรับแผ่นโลหะบาง ในบริดจ์ที่แขนทุกข้างเท่ากับ R เกจที่ทำงานหนึ่งตัว (ควอเตอร์บริดจ์) ให้ Vo ≈ Vs·GF·ε/4 เกจที่ทำงานสองตัวที่มีความเครียดตรงข้ามกันในแขนที่อยู่ติดกัน (ฮาล์ฟบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε/2 และสี่ตัว (ฟูลบริดจ์) ให้ Vs·GF·ε ความเค้นได้จากกฎของฮุก σ = E·ε โหลดเซลล์ระบุความไวเป็น mV/V คือเอาต์พุตที่โหลดเต็มต่อแรงดันกระตุ้นหนึ่งโวลต์

การเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของความต้านทาน

ΔR/R = 2·1200·10⁻⁶ = 0.0024

เอาต์พุตของบริดจ์

Vo = Vs·GF·ε/2 = 5·0.0024/2 = 6 mV

คำตอบ

Vo = 6 mV
13.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: L = 9

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ABC00011110010011030214051706

จัดกลุ่ม 1

ทุกกลุ่มเป็นสี่เหลี่ยมของ 2ᵏ เซลล์ เซลล์ที่ขอบเป็นเพื่อนบ้านของเซลล์ที่ขอบตรงข้าม

A′B′C
AB′C′
ABC

รูป SOP ที่น้อยที่สุด

F = A′B′C + AB′C′ + ABC
L = 9

คำตอบ

L = 9
14.ตรรกะดิจิทัล: เกต แผนที่คาร์โนห์ และฟลิปฟล็อป

คำตอบ: N = 4

แผนที่คาร์โนห์: เซลล์เรียงตามรหัสเกรย์ (00, 01, 11, 10) ดังนั้นเซลล์ที่อยู่ติดกัน รวมถึงเซลล์ที่อยู่ตรงข้ามขอบ ต่างกันเพียงตัวแปรเดียว จัดกลุ่ม 1 เป็นสี่เหลี่ยมที่มี 1, 2, 4, 8 หรือ 16 เซลล์ ให้ใหญ่ที่สุดและมีจำนวนกลุ่มน้อยที่สุดจนครอบคลุมทุก 1 แต่ละกลุ่มคือหนึ่งพจน์ผลคูณ: ตัวแปรที่คงที่ภายในกลุ่ม กลุ่มที่มี 2ᵏ เซลล์สูญเสียตัวแปรไป k ตัว ค่าไม่สนใจ (X) ใช้เพื่อทำให้กลุ่มใหญ่ขึ้นได้ แต่ไม่จำเป็นต้องถูกครอบคลุม การจัดกลุ่ม 0 แทนจะได้รูป POS ที่น้อยที่สุด

ไพรม์อิมพลิแคนต์

กลุ่มที่ใหญ่ที่สุดที่สร้างได้จาก 1 และ X

B′D, B′C′, A′D, A′C′, A′B, AB′
ABCD00011110000111101011130214151716012013015014X819X11110

การครอบคลุมที่น้อยที่สุด

F = B′D + B′C′ + A′B + AB′
N = 4

คำตอบ

N = 4

มีการจัดกลุ่มอีกแบบที่มีขนาดเท่ากัน ซึ่งมีจำนวนพจน์และลิเทอรัลเท่ากัน

ExamProblems · examproblems.com/courses/electronics-1