ซีเนอร์ไดโอด 5.1 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่านตัวต้านทาน 330 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
LED แดง ที่มีแรงดันไปข้างหน้า 2 V ทำงานจากแหล่งจ่าย 9 V ผ่านตัวต้านทานอนุกรม จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแส LED เป็น 25 mA
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 820 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 9 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 100 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี
เฉลย
- 1. IR = 20.91 mA
- 2. R = 280 Ω
- 3. IC = 2.616 mA
- 4. IC = 2.128 mA
- 5. RB = 2.71 kΩ
- 6. RB = 2.955 kΩ
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com