1.ง่าย
แหล่งจ่ายไฟตรง 6 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 2.2 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA
Vs = 6 VR = 2.2 kΩVD = 0.7 V
I = mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
2.ง่าย
ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 18 V ผ่านตัวต้านทาน 150 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
Vin = 18 VVZ = 6.2 VR = 150 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 20 V: R₁ = 47 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 680 Ω ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
VCC = 20 VR1 = 47 kΩR2 = 8.2 kΩRC = 3.3 kΩRE = 680 Ωβ = 200
VCE = V
4.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 18 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 6.8 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 2.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
VCC = 18 VR1 = 56 kΩR2 = 6.8 kΩRC = 4.7 kΩRE = 2.2 kΩβ = 200
IC = mA
5.ยาก
ตัวควบคุมซีเนอร์ 9.1 V ต้องจ่ายได้ถึง 20 mA ให้โหลด อินพุตลดลงได้ถึง 20 V และซีเนอร์ต้องการอย่างน้อย 1 mA เพื่อควบคุมแรงดัน จงหาความต้านทานอนุกรมสูงสุด Rmax ที่ยังควบคุมแรงดันได้
Vin,min = 20 VVZ = 9.1 VIL,max = 20 mAIZ,min = 1 mA
Rmax = Ω
6.ยาก
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ
VCC = 9 VRC = 220 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 3
RB = kΩ
เฉลย
- 1. I = 2.409 mA
- 2. IR = 78.67 mA
- 3. VCE = 7.406 V
- 4. IC = 0.5573 mA
- 5. Rmax = 519 Ω
- 6. RB = 2.867 kΩ
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com