แหล่งจ่ายไฟตรง 5 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 220 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
ซีเนอร์ไดโอด 5.1 V ได้รับแรงดันจาก 24 V ผ่านตัวต้านทาน 100 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 120 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 470 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 6.8 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 5.6 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 2.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 1 kΩ ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 2 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ
ไดโอดถูกจำลองเป็น 0.65 V อนุกรมกับ 25 Ω (นำกระแสเมื่อสูงกว่า 0.65 V) มันอนุกรมกับตัวต้านทาน 330 Ω คร่อมแหล่งจ่าย 5 V จงหากระแสทำงาน ID ณ จุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด
เฉลย
- 1. I = 19.55 mA
- 2. IR = 189 mA
- 3. IC = 3.651 mA
- 4. VCE = 11.8 V
- 5. RB = 36.65 kΩ
- 6. ID = 12.25 mA
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com