ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​5 VR = 1 kΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 5 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 1 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 5 VR = 1 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​24 VR = 3.3 kΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 24 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 3.3 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 24 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 150IC​ = ?VCC​ = 15 VRB​ = 330 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 330 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 15 VRB = 330 kΩRC = 1.5 kΩβ = 150VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
+−12 V270 Ω3.3 V3300 ΩIZ​ = ?

ตัวควบคุมซีเนอร์ 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่าน 270 Ω และจ่ายให้โหลด 3300 Ω จงหากระแสซีเนอร์ IZ

Vin = 12 VVZ = 3.3 VR = 270 ΩRL = 3300 Ω
IZ = mA
5.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 80VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 3
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 150VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 24 VRC = 220 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 3.6 mA
  2. 2. I = 7.061 mA
  3. 3. IC = 6.5 mA
  4. 4. IZ = 31.22 mA
  5. 5. RB = 1.06 kΩ
  6. 6. RB = 5.962 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com