ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−12 V470 Ω5.1 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 5.1 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่านตัวต้านทาน 470 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 12 VVZ = 5.1 VR = 470 Ω
IR = mA
2.ง่าย
+−Vs​15 VR = 330 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 15 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 330 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 15 VR = 330 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 100IC​ = ?RE​ = 1 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 82 kΩR2​ = 15 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 82 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 15 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 12 VR1 = 82 kΩR2 = 15 kΩRC = 1.5 kΩRE = 1 kΩβ = 100
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 200VCC​ = 15 VRB​ = 560 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 560 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VRB = 560 kΩRC = 1.5 kΩβ = 200VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 80VCC​ = 12 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 12 VRC = 680 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 80VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 2 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 2
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. IR = 14.68 mA
  2. 2. I = 41.21 mA
  3. 3. IC = 1.017 mA
  4. 4. VCE = 7.339 V
  5. 5. RB = 1.199 kΩ
  6. 6. RB = 7.883 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com