ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​24 VR = 220 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 24 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 220 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 24 VR = 220 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​5 VR = 3.3 kΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 5 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 3.3 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 5 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 150RE​ = 1.2 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 82 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 82 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 12 VR1 = 82 kΩR2 = 12 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.2 kΩβ = 150
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 5.6 kΩβ = 200RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 82 kΩR2​ = 22 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 82 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 5.6 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 2.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VR1 = 82 kΩR2 = 22 kΩRC = 5.6 kΩRE = 2.2 kΩβ = 200
VCE = V
5.ยาก
+−≥ 24 VR = ?6.2 V≤ 10 mA

ตัวควบคุมซีเนอร์ 6.2 V ต้องจ่ายได้ถึง 10 mA ให้โหลด อินพุตลดลงได้ถึง 24 V และซีเนอร์ต้องการอย่างน้อย 5 mA เพื่อควบคุมแรงดัน จงหาความต้านทานอนุกรมสูงสุด Rmax ที่ยังควบคุมแรงดันได้

Vin,min = 24 VVZ = 6.2 VIL,max = 10 mAIZ,min = 5 mA
Rmax = Ω
6.ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 50VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 4 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 4
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 102.7 mA
  2. 2. I = 1.303 mA
  3. 3. VCE = 9.065 V
  4. 4. VCE = 6.593 V
  5. 5. Rmax = 1187 Ω
  6. 6. RB = 4.604 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com