แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1.5 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 470 Ω และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
แหล่งจ่ายไฟตรง 6 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 680 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 2.2 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 47 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
ตัวควบคุมซีเนอร์ 12 V มีตัวต้านทานอนุกรม 100 Ω อินพุตเพิ่มขึ้นได้ถึง 22 V และโหลดอาจถูกถอดออก จงหากำลังสูงสุด PZ,max ที่ซีเนอร์ต้องสูญเสีย
ตัวควบคุมซีเนอร์ 3.3 V มีตัวต้านทานอนุกรม 220 Ω อินพุตเพิ่มขึ้นได้ถึง 26 V และโหลดอาจถูกถอดออก จงหากำลังสูงสุด PZ,max ที่ซีเนอร์ต้องสูญเสีย
เฉลย
- 1. ID = 4.044 mA
- 2. ID = 7.476 mA
- 3. VCE = 5.171 V
- 4. VCE = 6.583 V
- 5. PZ,max = 1200 mW
- 6. PZ,max = 340.5 mW
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com