ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​10 VR = 1.5 kΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 1.5 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 10 VR = 1.5 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​5 VR = 1.5 kΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 5 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 1.5 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 5 VR = 1.5 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 4.7 kΩβ = 200RE​ = 1.2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 56 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VR1 = 56 kΩR2 = 12 kΩRC = 4.7 kΩRE = 1.2 kΩβ = 200
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 50VCC​ = 15 VRB​ = 330 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 330 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VRB = 330 kΩRC = 3.3 kΩβ = 50VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 100 Ωβ = 150IC​ = ?VCC​ = 12 V5 VRB​ = 1 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 100 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 1 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 12 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 1 kΩ
IC = mA
6.ยาก
RC​ = 1 kΩβ = 150IC​ = ?VCC​ = 9 V5 VRB​ = 100 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 1 kΩ ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 100 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 9 VRC = 1 kΩβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 100 kΩ
IC = mA

เฉลย

  1. 1. I = 6.2 mA
  2. 2. I = 2.4 mA
  3. 3. VCE = 5.84 V
  4. 4. VCE = 7.85 V
  5. 5. IC = 118 mA
  6. 6. IC = 6.45 mA

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com