ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​12 VR = 220 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 12 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 220 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 12 VR = 220 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−24 V150 Ω6.2 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 24 V ผ่านตัวต้านทาน 150 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 24 VVZ = 6.2 VR = 150 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 1.2 kΩβ = 100IC​ = ?VCC​ = 9 VRB​ = 330 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 330 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 9 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 9 VRB = 330 kΩRC = 1.2 kΩβ = 100VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 1.2 kΩβ = 50VCC​ = 9 VRB​ = 270 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 270 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 9 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 9 VRB = 270 kΩRC = 1.2 kΩβ = 50VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 470 Ωβ = 80VCC​ = 24 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 470 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 24 VRC = 470 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 1 kΩβ = 200VCC​ = 12 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 1 kΩ ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 12 VRC = 1 kΩβ = 200Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 3
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 48.18 mA
  2. 2. IR = 118.7 mA
  3. 3. IC = 2.515 mA
  4. 4. VCE = 7.156 V
  5. 5. RB = 4.108 kΩ
  6. 6. RB = 24.29 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com