ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​15 VR1​ = 1 kΩR2​ = 4.7 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 15 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 4.7 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 15 VR1 = 1 kΩR2 = 4.7 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
2.ง่าย
+−15 V220 Ω9.1 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 9.1 V ได้รับแรงดันจาก 15 V ผ่านตัวต้านทาน 220 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 15 VVZ = 9.1 VR = 220 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 4.7 kΩβ = 120VCC​ = 10 VRB​ = 1000 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 120 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 1000 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 10 VRB = 1000 kΩRC = 4.7 kΩβ = 120VBE = 0.7 V
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 1 kΩβ = 100IC​ = ?VCC​ = 9 VRB​ = 150 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 150 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 9 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 9 VRB = 150 kΩRC = 1 kΩβ = 100VBE = 0.7 V
IC = mA
5.ยาก
+−≥ 24 VR = ?9.1 V≤ 25 mA

ตัวควบคุมซีเนอร์ 9.1 V ต้องจ่ายได้ถึง 25 mA ให้โหลด อินพุตลดลงได้ถึง 24 V และซีเนอร์ต้องการอย่างน้อย 2 mA เพื่อควบคุมแรงดัน จงหาความต้านทานอนุกรมสูงสุด Rmax ที่ยังควบคุมแรงดันได้

Vin,min = 24 VVZ = 9.1 VIL,max = 25 mAIZ,min = 2 mA
Rmax = Ω
6.ยาก
RC​ = 330 Ωβ = 50VCC​ = 5 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 330 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 2 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 5 VRC = 330 Ωβ = 50Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 2
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. ID = 14.15 mA
  2. 2. IR = 26.82 mA
  3. 3. VCE = 4.755 V
  4. 4. IC = 5.533 mA
  5. 5. Rmax = 551.9 Ω
  6. 6. RB = 7.391 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com